"Phase change random access memory (상변화 메모리)"의 검색결과 입니다.

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PRAM DRAM FeRAM의 원리

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"Phase change random access memory (상변화 메모리)" 검색결과 61-80 / 91건

[전자재료] 고분자 메모리

의 비휘발성(3) 차세대 RAM 후보- PRAM(Phase-change RAM)- NFGM(Nano Floating Gate Memory)- ReRAM(Resistive RAM) ... [Polymer RAM]1. RAM(1) RAM이란 무엇인가?Random Access Memory의 약칭이다. 기록과 해독의 두 회로가 있어서 정보의 기록, 해독이 가능 ... (volatile memory)라 하고, ROM(read only memory)과 같이 전원이 끊어져도 정보가 지워지지 않는 것을 비휘발성 메모리라 한다. 스태틱램은 다른 집적회로와 접속하기

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01

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RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

가 이루어지고 있다. 최근 ITRS roadmap에 따르면,차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating ... 으로 예상된다.4.2 제시된 저항변화 스위칭 메카니즘제안된 메모리 스위칭 모델은 그게 두 가지로 나눌 수 있다.박막 내부 구조적 변화에 의해 형성된 저항 정도가 다른 c ... 다. 즉 VCNR의 경우, 전압이 증가함에 따라 전류가 큰 상태에서 작아지는 상태로 변화하는 특징을 보이는데, 이때 나타나는 상당히 큰 저항 차이를 이용하여 ON/OFF 메모리 특성

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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재료실험-Magnetoresistance

메모리(magnetic random access memory,MRAM)의 새로운 기록 방식으로 사용하기 위한 다양한 연구가 진행 중이다. STT가 제안되기 이전에는 자기장 ... )은 그림과 같이, Lorentz force 에 의해 전류가 흐르는 방향이 달라져서 생기게 됩니다. 일반적으로 이 효과는 작은 변화만을 보인다.출처 : Lenz J E Proc ... 성 자기저항) 이라고 부른다. 카세트 테이트 헤드 등이 이런 AMR 을 응용하여 만들어 졌고, 방향에 따라 2.5% 정도의 저항 차이를 보인다.3) GMR요번에 노벨상을 받

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.08

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[공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.

차세대 비휘발성 메모리 소자.서론표 1에서 알 수 있듯이 컴퓨터 주기억장치의메모리 소자로 사용되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 현재 cell ... 듯이 PRAM은 1개의 트랜지스터와 소오스 영역에 상변화 재료인 칼코게나이트(chalcogenite)계 Ge-Sb-Te(GST) 3원계 금속 합금이 연결되어 있는 1T1R의 구조를 가지 ... ) 혹은 결정화(set)의 상변화를 유발시킴으로 비정질상(고저항)과 결정상(저저항)의 저항차를 메모리소자에 응용한 것이 PRAM 소자이다.[그림 2] GST를 적용한 PRAM소자

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.28

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[램(RAM),롬(ROM)] 램(RAM),롬(ROM)

도 읽을 수 있는 파나소닉의 PD (phase change dual) 드라이브와 비슷하다. 그러나, 파나소닉 위상 변화 디스크는 오직 PD 드라이브에서만 사용할 수 있다. ... .{random access memory의 약칭이다. 기록과 해독의 두 회로가 있어서 정보의 기록, 해독이 가능하고 컴퓨터나 주변 단말기기의 기억장치에 널리 쓰이고 있다. 장점 ... 려면 3∼4배의 소자가 더 필요하므로 그만큼 복잡하고 가격도 비싸다.S-RAM [ static random access memory ] ; 램의 한 종류로 플립플롭 방식의 메 모리 셀

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

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강유전체 원리와 응용

와 응용기술에 대해 설명하기로 한다.강유전체 메모리는 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 불휘발성 메모리인 ROM(read only memory)의 두 ... 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정개발 수준이 DRAM(Dynamic random access memory)에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다. 하지 ... . 1960년대에 강유전체의 이론이 확립되었으며 1970년대에 이르러 미국을 중심으로 강유전체를 반도체 메모리 소자에 적용하고자하는 연구가 진행되었다. 1980년대가 되면서 급격히

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.03.02

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[기초전기실험] 실험6. RC,RL 회로의 과도 응답과 주파수 응답(예비)

과 정적 램인 SRAM(static random access memory: SRAM)이 있다. DRAM은 반도체 산업 중에서 비중이 매우 큰 제품이며, 특히 우리나라 반도체 산업의 주류 ... 도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 DRAM ... 는 capacitance이다. 전류는 전하의 시간 변화량으로 정의되므로 capacitor의 전류-전압 특성은 다음과 같다.위 식에서 알 수 있는 것처럼, Capacitor에 흐르

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.08

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[메모리이론] FeRAM(Ferroelectrics Random Access Memory)

는 분야는 메모리 분야이다. 메모리 분야는 크게 DRAM(dynamic random access memory)와 FeRAM(ferroelectric random access memory ... Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. DRAM과 다른 점은 강유전체라는 ... 축의 길이는 같으나 c축이 다른 두 축에 비해 조금 늘어난 상태)로 상전이를 하게 된다. 이와같이 상전이 온도이하로 냉각되어 정방정상 구조를 가지게 되면 중앙에 위치한 양이온 원자

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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[졸업작품]ATmega를 이용한 AMoRo(Autonomous Mobile Robot) 분리수거 로봇

이 가장 부드럽게 동작하였다. 회전의 경우 포토센서의 민감도에 맞춰 루프 반복을 조절해야 한다.//스텝 모터 구동에 필요한 상(1-2상여자 구동방식)__flash u08 C_PHASE; i ... ) 시그널을 이용한다. Motolora에서 개발되었으며 Master와 Slave가 SCLK에 동기하여 데이터를 교환하는 방식이다. 플래시 메모리를 액세스하기 위해서는 AVR의 Reset ... 핀을 low로 한 상태에서 앞의 세 시그널을 이용하여 데이터를 읽고 쓴다. 즉, AVR과의 SPI 인터페이스를 맞추어주기만 하면 내부 플래시 메모리의 액세스가 가능하다는 것이다.이

리포트 | 24페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.02.11

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차세대 메모리

. PRAMPRAM은 이전 정보를 기억하는 메모리 셀이 phase-change 층과 resistor 및 스위치 트랜지스터로 구성된다. 트랜지스터는 일반적인 실리콘 웨이퍼 위에 만들어지며, r. ... 래 FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)FRAM 혹은 FeRAM은 Ferro-electric RAM의 약자로 강유전체 ... 다. 그림 1(a)는 트랜지스터(T)/강유전 커패시터(C)로 구성된 소위 1T/1C형 FRAM 메모리 셀의 단면도인데, Si 기판상에 형성된 CMOS 트랜지스터 위에 강유전 박막

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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[컴퓨터] HDD와 ODD

라고 하는 것이다.• CD-RW CD-R과 달리 CD-RW는 여러 번 쓸 수 있다. 비결은 상전이(phase change)다. (에너지를 이용해 물질의 위상(phase)을 바꾼다는 뜻 ... versatile disc-rewritable)● DVD-RAM (digital versatile disc-random access memory)• 읽고 쓰기가 가능한 DVD ... IDE기본 메모리 버퍼점퍼설정전송속도데이터 전송방식구분- IDE 방식 40개의데이터 전송핀이 장착 된 커넥터제공에 비해 시리얼 ATA 방식은 기억자 모양의 작은 커넥터를 사용

리포트 | 60페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.07.18

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[반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

는 비휘발성 특징- 플래시 메모리와 비교해 낮은 전압에서 고속으로 정보를 읽고 쓸 수 있다.? MRAM (Magnetic Random Access Memory)- 자기 메모리라고 ... 물질? 차세대 메모리 F램과 M램이란? FRAM(Ferroelectric Fandom Access Memory)- 강유전체 메모리라고 불린다.- 전원을 꺼도 정보가 소실되지 않 ... 불린다.- SRAM과 유사한 빠른 기록 및 재생 가능- DRAM 이상의 고밀도 기록- 낮은 단가 및 저 소비전력- 차세대 비휘발성 메모리 소자? 갈륨-비소 화합물 반도체 (GaAs

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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스핀트로닉스의 이해

(MRAM: magnetic random access memory)등의 기술이 획기적으로 발전해왔다.거대자기저항은 [그림 3]에 나타낸 바와 같이 두 개의 강자성체 금속층 사이에 비자 ... 면, 자성상태로 정보를 기록하는 자기기록(magnetic recording)분야에서 하드디스크용 메모리의 기록 밀도를 높이기 위하여 높은 coercivity를 갖는 물질의 개발과 이 ... : tunneling magnetoresist-ance)현상의 발견으로 자성소자분야의 연구 및 응용에 있어서 새로운 전환점이 마련되었다. 그리고, 이를 이용한 정보저장 및 센서와 자기메모리

리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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[정보저장공학, 반도체재료]광메모리(optical memory)와 상변화메모리(phase change memory) 기반기술

광메모리와 전기메모리 기반기술 - 상변화(phase change) 기술(1) 기본이론상변화 디스크의 기본원리는 무척 단순하다. 비정질(amorphous)과 결정질(Crystal ... 은 지난 10년동안 매우 급변했다. 표 [표1.2-2-2]는 광메모리용 상변화 물질 연구의 역사를 보였다. 1970년대 초에 레이저를 이용한 가역 상전이(phase ... 다. 에폭시 수지는 복굴절 흡수성이 양호하지만 가격이 비싸서 사용되지 않고 있다.(4) 상변화 물질의 발전 역사소거 가능한 상변화 광 메모리 재료로서 가장 좋은 물질은 무엇인가에 대한 해답

리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.12.06

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[공학]0i 보수

를 이용해 수정 가능하나 어려움.M-RAM·자성의 성질 중에서 SPIN이 Up과 Down으로 나뉘어 지는 것을 이용 한 메모리P-RAM·물체의 상(phase)이 결정일 때와 비 결정 ... 를 지울 수 있는 PROM. 일정한 전압을 가하면 그 내용 이 지워지며 쓰기 가능.RAM(Random Access Memory)컴퓨터가 동작하는 동안 데이터와 프로그램을 저장 ... Ⅰ. Memory 카드 종류{종 류특 징휘발성DRAM·PC의 주기억장치와 그래픽 카드에 주로 사용·일정한 주기로 refresh라고 하는 동작을 해서 data를 보존·소모 전력

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.03

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[LCD]상전이,동적산란 ,게스트호스트,TN,복굴절제어,열광학,강유전성,STN,고분자분산효과

1. 상전이(Phase change:PC)효과-Helical 구조의 분자배열을 가진 Cholesteric상(相)으로부터 Homeotropic 분자배열을 Nematic 상으로 상 ... 전이하는 현상이다.-반대로 Nematic 상으로부터 Cholesteric 상으로의 상전이 하는 현상이다.2. 동적산란(Dynamic scattering:DS)효과-유기전해질 등 ... ~10?3정도이지만 열 광학 효과는 실온에서 100??c정도 변화에 ?n~5*10?3정도 상승한다.-물질의 선택성이 매우 다양하여 광을 매우 효율적으로 제어 가능하다.-파장의 광

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.23

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nc 공작기계가 경제성에 미치는 영향

시킨다.(3) 내부 기억장치??① 램(RAM: Random Access Memory)????읽기 및 쓰기가 가능한 메모리이며 입,출력 정보나 계산결과를 기록하는 데 쓰인다 ... 로 구성되어 있다.(2) 직선절삭 NC??이동중에 소재를 절삭하기 때문에 도중의 경로가 문제된다.단 그경로는 직선에만 해당된다.??공구치수의 보정,주축의 속도변화,공구의 선택등과 같 ... )이다.???일반 3상모터와는 달리 저속에서도 큰 토크와 가속성, 응답성이 우수한 모터로서 속도와 위치를 동시에 제어한다.???속도제어와 위치검출을 하는 장치를 엔코더

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.13

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[영상편집] 비선형 편집 시스템

의 메모리를 사용하는 것이 좋으며, 일반적으로 128MB, 256MB이상을 사용하는 좋다.③ 메인메모리(Main Memory)RAM(Random Access Memory)은 캐시 ... Memory)은 캐시 메모리(cache mamory)나 메인 메모리로 주로 사용되며, SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)으로 나누어져 있다. 이중 ... 하는입의 펜티엄3, 4 메인보드와 소켓 A형의 AMD 애슬론 메인보드 등이 널리 사용되고 있다.② CPU(Central Processing Unit)RAM(Random Access

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.06

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[강유전체 재료] FRAM의 원리

고 있다. 따라서 저전압에서 고속 Random Access 동작을 할 수 있으면서도 전원을 꺼도 저장 내용이 지워지지 않는 비휘발성 특성을 갖는 메모리가 필요하다.FRAM 이란 ... Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. 강유전체 (Ferroelectrics ... 의 특유의 이력특성은 소멸되어 일반적 절연체와 같이 전계와 분극의 관계는 보통의 선형성을 나타내며 상유전성으로 변하는데,이 변화를 상전이(Phase Transition)라고 한다

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.01.30

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[반도체] Fram과 강유전체

. Perovskite 결정그림 2. P-E 특성FRAM(Ferroelectric Random Access Memory, 강유전성 램)단순 매트릭스형 액정 표시 장치의 한 가지로써 액정 소재 ... (random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 ... FRAM 이 상품화 되었다. 그리고 제조 초기부터 현재까지 정보감지가 쉬운 2개의 트랜지스터와 2개의 축전기 (2transistor/2capacitor; 2T/2C) 를 메모리 셀

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.02

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