"Phase change random access memory (상변화 메모리)"의 검색결과 입니다.

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PRAM DRAM FeRAM의 원리

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"Phase change random access memory (상변화 메모리)" 검색결과 41-60 / 91건

[반도체]PRAM

)3. Characteristic상변화 메모리 소자의 전류-전압 특성곡선3. 특 성PRAM (Phase change Random Access Memory )3 ... : Writing MethodPRAM (Phase change Random Access Memory )3. Characteristic기록, 소거용 펄스와 상변화와의 상관관계~210 oC~630 ... Resistance RESET state = “1”=2. 기본동작원리PRAM (Phase change Random Access Memory )2. Basic Operation Principle상

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.04 | 수정일 2013.11.05

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비휘발성 메모리

. PRAMPRAM은 이전 정보를 기억하는 메모리 셀이 phase-change 층과 resistor 및 스위치 트랜지스터로 구성된다. 트랜지스터는 일반적인 실리콘 웨이퍼 위에 만들어지며, re빠르다. ... 디바이electric Random Access Memory)FRAM 혹은 FeRAM은 Ferro-electric RAM의 약자로 강유전체(ferroelectrics)의 잔류분극현상 ... 된 정보가 지워지지 않는 “비휘발성”을 요구하고 있다. 비휘발성 메모리를 이용하면 입력된 정보가 자동적으로 저장 될 뿐만 아니라 ROM (read only memory)의 내용

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25

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차세대 비휘발성 메모리

서 론기술 동향FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램)MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램)PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램)PoRAM ... 휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말 ... ), PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램), ReRAM(Resistance RAM: 저항 램), PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램), NFGM(Nano

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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컴퓨터사양조사 리포트

이상의 제품이면 사용에 지장이 없다고 볼 수 있습니다.★주기억장치에는..★① 램(RAM : Random Access Memory)? 전원 공급이 끊기면 기억된 내용을 잃어버리는 휘발 ... 이 중단되어도 기억된 내용을 그대로 유지하는 비휘발성 메모리③플래시메모리 [flash memory]? 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 기억장치.소비전력이 작고, 전원이 꺼지 ... 화 하였다2.마우스DPI(해상도)- dpi수피가 높을 수록 마우스 포인터가 모니터 상에서 더 많이 이동합니다. 마우스를 손으로 1인치 움직였을때 마우스 포인터가 화면 상에서 이동하는 거리

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.18

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나노입자(nano particle)

구조의 또 다른 응용 분야로서 1,000억불에 이르는 RAM(Random Access Memory) 시장을 놓고 경쟁을 벌일 MRAM(Magnetic RAM)을 들 수 있다. 최근 ... Particle)4.1. 상향식(Top-Down)4.2. 하향식(Bottom-Up)4.3. 기체 상의 방법(Gas Phase method)4.4. 액체 상의 방법(Liquid Phase ... 는 수십 나노 초부터 수십 피코 초까지 변한다. 이러한 물리적․광학적 성질 변화는 화합물 반도체 나노 결정의 여러 가지 응용가능성을 제시하고 있다. 일반적으로, 나노 결정의 성질은 결정

리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.29

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DRAM&NAND

DRAM NAND 정보전송재료 12 조Contents D R A M 1 2 N A N D SKKUSKKU DRAMRAM(Random Access Memory) SKKU - 어떠 ... 자 임의로 내용을 저장하거나 읽을 수 있음 . - 실행 중인 프로그램과 데이터 저장 .DRAM 이란 ? SKKU Dynamaic Random Access Memo ry Refresh ... )DRAM 동향SKKU NANDFlash Memory ? SKKU ◦ 작은 소비전력 ◦ 비 휘발성 메모리 반도체 ◦ TV, 캠코더 , 휴대전화 , 디지털카메라 , MP3 player

리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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차세대 비휘발성 메모리

I. 메모리의 2가지 종류메모리는 데이터 접근 방식에 따라 크게 일기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access ... 기시간내구성 취약상대적 고비용차세대 메모리들은 메모리 반도체를 구성하는 기본 단위를 이루는 물질에 따라서 종류가 구분된다.P(Phase Change)램은 상변화를 일으키는 물질을 이용 ... -차세대 메모리의 종류구 분PRAMFRAMMRAM동작원리특정물질의 상변화강유전체의 분극특성전극의 자화방향장 점비휘발성,고속,고집적화비휘발성,고속,저전력비휘발성,고속,내구성단 점쓰

리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향

다.. 휘발성 메모리휘발성 메모리는 전원이 끊기면 정보가 사라지는 메모리를 말한다.0) DRAM (Dynamic Random Access Memory)DRAM은 동적 램으로 한 개 ... 결과 수 ms 마다 한 번씩 새로운 전하를 가함으로써 메모리 셀을 재생시켜 주어야하는 단점이 있다.1) SRAM (Static Random Access Memory)가장 먼저 개발 ... Memory Device)로 소별된다. 휘발성 메모리 소자란 전원의 공급이 중단되면 기록 상태가 유지가 되지 않는 것으로 동적 임의 접근 메모리(Dynamic Random Access

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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[기억장치] 메모리(MEMORY) 프리젠테이션 자료

하는 기억장치 →ROM(Read-Only Memory) →RAM(Random Access Memory)반도체 기억소자의 회로도ROM(Read Only Memory)→ 컴퓨터 판독 ... ) → EPROM (Erasable PROM) → EEPROM (Electrically Erasable PROM)RAM(Random Access Memory)→ 컴퓨터에서 정보나 명령 ... 의 자화 방향으로 Data를 저장 → FRAM(Ferro-eletric RAM) - 강유전체 분극 특성을 이용하여 Data를 저장 → PRAM(Phase-change RAM)

리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.05.25

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PRAM(Phase change RAM)의 동작원리와 개발동향

Phase Change Random Access Memory (PRAM)◆ 목 차Ⅰ. PRAM의 개발 필요성 Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 Ⅲ. 타 Memory와 PRAM ... -Ovonics사를 창업한 S.R. Ovshinsky는1960년대 결정 및 비정질간의 상변화에 의한 저항 변화를 메모리로 응용 가능하다고 세계 최초로 보고• ECD-Ovonics사 ... 한 얇은 박막 소재를 사용 • 메모리 소자는 칼코게나이드 화합물과 저항 소자로 구성 • 인가 전압을 가하는 것으로 비결정질 상태와 결정 상태의 변화Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.30 | 수정일 2021.08.12

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반도체, P램, D램, 차세대반도체

는 디바이스가 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)이다. FRAM은 간단히 말해 DRAM 각 셀의 커패시터 유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문 ... RAM; 상변화 메모리)에 대한 관심이 높았다. 이어 반도체전략회의를 갖고 차세대 반도체에 대한 연구에 박차를 가하라는 지시를 내렸다. 현재 세계 메모리반도체 시장에서 1위 ... 기, 삭제를 할 수 있고 자기 테이프가 데이터를 찾기 위해 처음부터 주소를 차례차례 읽어나가야 하는 반면 고속으로 어떤 위치에라도 바로 접근(access)할 수 있다(random

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.07 | 수정일 2022.03.09

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메모리반도체소자

는 전원이 끊기면 정보가 사라지는 메모리를 말한다.0) DRAM (Dynamic Random Access Memory)DRAM은 PC나 워크스테이션에 사용되는 가장 일반적인 종류 ... Access Memory)MRAM은 강자기성램으로 터널접합전극의 자화방향으로 데이터를 저장하는 메모리로, 막대자석과 같이 N극과 S극의 자성을 띤 물질의 방향에 따라 `0'과 `1 ... 화시키기 위해 상변화물질과 상부전극 사이에 절연체를 삽입하여 열효율을 향상시키는 연구도 필요하다.마지막으로 공정 및 회로설계 측면에서 해결해야하는 과제로는 최소 contact 사이즈

리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.04

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p-ram

개 요1.서론2. 상변화 기술이론(2.1) 기본이론(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory ... 이론 과 비휘발성 메모리,PRAM(Phase change RAM) 에 대한 연구를 통해서 화제가 되고 있는 비휘발성 메모리에 대한 전반적 발전 방향을 모색해 보았다.2. 상변화 ... 가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28

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판매자 표지

[공학]메모리 구성 요소

된 내용을 보존하는 ROM의 특성과 기록된 내용을 자유롭게 수정 할 수 있는 RAM의 특성을 가지고 있다.RAM(Random Access Memory)Random Access ... 어야 기억된 자료가 유지되는데 동작 속도가 매우 빨라 대용량 기억장치에 많이 사용된다.ROM(Read Only Memory)Read Only Memory의 약칭으로 메모리로 한번 ... 으며, 고밀도 집적회로를 사용하여 소형, 대용량화되고 있다. 이와 같이 전원이 끊어지면 정보가 상실되는 것을 휘발성 메모리(Volatile Memory)라 한다. DRAM은 단위 면적

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.16

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NFGM(Nano-Floating Gate Memory) 동작원리

NFGM(Nano-Floating Gate Memory)1.서론플래시(flash) 메모리는 휴대폰, 카메라, 그리고 Mp3와 같은 휴대기기의 출현으로 지난 몇 년간 폭발적인 성장 ... Memory)이라한다.2. NFGM과 기존 플래시 기술과의 비교기존의 ETOX 플래시 메모리 셀은 지속적으로 세대를 거듭하면서 축소화되어 2007년경에는 65nm 기술 노드 (셀 크기 ... 가 있는 것으로 예상하고 있다. 1980년대 후반플래시 메모리 개념이 정립되고. ETOX cell을 중심으로 플래시 메모리제품이 상용화 되면서 data access 방법 또는

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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[반도체]강유전체의 FRAM에서의 활용방안

) capacitor 유전체 및 비휘발성 메모리 소자인 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 소자의 개발에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ... 강유전체의 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)에서의 활용방안2005年月日목 차제 1 장. 서 ... 인 RAM (random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM

리포트 | 37페이지 | 5,000원 | 등록일 2005.12.06

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[물리학 콜로퀴엄]무연계 강유전체 박막 소재 연구

이 Ferroelectric random access memory라고 하는데, 현재도 시작에서 판매되고 있는, 과거에 나왔던 물건인데, 사실적으로 용량이 작아서 낮은 시장성의 위치에 있 ... 유전체를 memory에 적용하는 것. 이것을 중점으로 연구를 하고 계시는데, 이 적용을 위해서는 size자체가 nano단위로 가야만 가능하다고 한다. 만약 이것이 성공하게 된다면 ... 우리는 장차 미래에 한사람의 몸에 지닐 수 있는 메모리의 크기는 약 400GB 이상이 될 것이라고 한다. 이렇게 메모리 소자로 응용을 하기 위해서는, 아래의 그림의 형태를 보이는 것

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.11

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하드웨어 부품

승 )■ 2조 컴퓨터 구성 프로젝트 발표보고서RAM 과 ROM정의R A MR O M임의 접근 메모리 ( Random Access Memory )읽기 전용 메모리 ( Read ... 로트 레지스터■ 2조 컴퓨터 구성 프로젝트 발표보고서2.5 시프트 레지스터Mod e controlS1S0Register operation00No change01Shift rigth ... to 0XX1↑Load inputs I0 through I3X10↑Increment count by 1100↑No change000

리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.19

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[공학기술]요즘 새로 나온 저장매체(2005년이후로)

(Phase Change RAM.상변화메모리) = 특정 물질의 상(相) 변화를 판단하여데이터를 저장하는 차세대 메모리 반도체로 최근 삼성전자가 세계 최초로 64 메가 P 램시제품 개발 ... 변화메모리·상태변화메모리·상전이메모리라고도 한다. 전원이끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점과 전원이 끊어지면 저장된 자료가소멸되지만, 빠른 처리 속도를 자랑 ... 다. 기존 반도체 소재인 실리콘이 아닌 게르마늄 안티몬텔룰라이드(Ge2Sb2Te5) 라는 신물질의 상(相)이 변화하는 특성을 이용, 데이터를저장하고 동작하는 방식이다.(PRAM

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.22

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메모리에 대해서

메모리에 대해서메모리는 또 데이터 접근 방식에 따라 크게 읽기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access memory ... 가 구분된다. P(Phase Change) 램은 상변화를 일으키는 물질을 이용하여 메모리 반도체를 구성하는 것이며, F(Ferroelectric) 램은 강유전체 물질을 이용 ... 는다.가. RAMRANDOM ACCESS MEMORY의 약자로 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리이지만, 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워져 버리는 단점이 있다. 이렇게

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.25

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