"3D 시뮬레이션"의 검색결과 입니다.

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bim 적용사례 전자회로실험 메타버스 mosfet 직류특성 전자회로설계실습 전자회로설계 디지털트윈 이강윤

"3D 시뮬레이션" 검색결과 61-80 / 5,920건

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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성

다이오드의 전류-전압 특성 해석하기표 1-1 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 시뮬레이션 결과V _{D} `rm [`mV]0100200300400I _{D}` rm [`mA]0 A ... 0.168 mA0.207 mA그림 1-8 PN 접합 다이오드의I _{D} -V _{D} 특성 시뮬레이션 결과 파형20핵심이 보이는 전자회로 실험실험 1 PN 접합 다이오드의 전류 ... 특성 측정 결과(다이오드 모델명: D1N4004 )V _{D} `rm [`mV]0100200300400V _{R1}` rm [`V]4.13mV4.05mV3.95mV3.82mV12.6

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.20

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한눈에 들어오는 경력기술서

, 시방서)2. 3D 프린팅 모형제작 및 Scale 모델 실험3. 건축음향성능 및 차음 측정4. 모델링 및 예측 시뮬레이션5. 현장 기술 지원주요 프로젝트컨설팅[사급 ... , Excel, 한글업무내용1. 시스템 설계 : 공연장, 스튜디오- 설계도서작성(설계도면, 제안서, 내역서, 시방서) 입찰2. 시스템 측정3. 모델링 및 예측 시뮬레이션4. 현장 기술 ... 건축 음향 예측 : Catt Acoustic, Odeon건축 음향 측정 : Dirac3D Slicing Tool : IdeaMaker (3D Printing)Office 프로그램

서식 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.11.06

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의복 패턴을 위한 2.5D 맵핑 시스템의 설계 및 구현 (Design and Implementation of 2.5D Mapping System for Cloth Pattern)

하여 구현하였다. 향후 연구 과제는 2.5D 맵핑 시스템의 구현 기술을 기반으로 하여 3D 의복 기술과 3D 인체 구현 기술을 접목한 3D 패션 디자인 시스템을 연구하여 2.5D 맵핑 ... . Future work plans to study 3D fashion design system that graft together 3D clothes technology and 3D ... 본 논문에서 구현한 2.5D 맵핑(mapping) 시스템은 다양한 질감과 패턴에 따른 패션 의상의 모델 사진 이미지를 그대로 살려 외각선 영역 위에 드레이핑(draping

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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한양사이버대 디지털건축 스마트건설경영 일반과제_건설 프로젝트의 BIM와 적용사례

의 공정 시뮬레이션 검토5D(4D+비용)공정정보가 포함된 3차원 모델에 내역(또는 비용) 관련 정보를 연계하여 프로젝트의 적산/견적/공사비 산정 업무에 활용하는 단계6D(5D+조달 ... .2 3D BIM 적용 사례 : EBS 디지털 통합사옥 건립공사1) 도입의 필요성2) 3D BIM 적용 분야 및 방법3. 느낀점1. 건설 프로젝트의 BIM1.1 BIM ... (Building Information Modeling)의 정의BIM이란, Building Information Modeling의 약자로 3D 모델을 기반으로, 건축, 토목, 플랜트를 포함

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.10.19 | 수정일 2024.10.29

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3D 디지털 클로딩 기술을 활용한 스몰웨딩용 웨딩드레스 맞춤제작 프로세스 제안 (A Suggestion of Customized Wedding Dress Process Using 3D Digital Clothing Technology)

시뮬레이션 및 실물제작까지 맞춤제작 전 과정을 제시하였다.본 연구에서 제안한 3D 디지털 클로딩 기술을 웨딩산업에 적용 시 스몰웨딩용 웨딩드레스 맞춤제작 프로세스는 총 8단계 ... 시뮬레이션, 다섯째, 소비자의 자신의 아바타에 완성된 스몰웨딩용 웨딩드레스 시뮬레이션 확인 및 최종 디자인 주문, 여섯째, 웨딩업체의 3D 가상 드레스 패턴 출력, 일곱째, 웨딩업체 ... 본 연구의 목적은 최근 스몰웨딩의 유행과 맞춤형제품을 선호하는 소비자 요구에 맞는 새로운 공정을개발하여 웨딩 산업에 3D 디지털 기술이 효과적으로적용될 수 있도록 스몰웨딩용 웨딩

논문 | 14페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.17 | 수정일 2025.05.10

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홍익대 실험3 7주차예비보고서

해석하기표 1 :N-채널 MOSFET의 ID-VDS 특성 시뮬레이션 결과I _{D}[mA]V _{DS}[V]0.10.40.82.04.05.0V _{GG}[V]1 ... 특성 해석하기표 2 : N-채널 MOSFET의 ID-VGS 특성 시뮬레이션 결과(VDS=4V)I _{D}[mA]V _{GG}[V]0.20.40.60.81.02.03.04.05.0000000109.248384.792705.596 ... -MOSFET, P-MOSFET으로 구분된다.MOSFET 소자는 게이트, 소스, 드레인 3개의 단자를 갖는다. 게이트는 BJT의 베이스, 소스는 BJT의 이미터, 드레인은 BJT

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28

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교류및전자회로실험 실험5-2_다이오드 정류회로 결과보고서

지 못했다. 하지만 시뮬레이션을 통해 확인한 결과에서 확인한 결과는 다음과 같다. 전원전압의 신호가 양의 반주기 동안에는 D1이 순바이어스되어 도통하고 D2는 역바이어스되어 차단 ... 적으로 확인하고 출력전압 특성과 연계하여 회로를 설계하는 간단한 예를 실습을 통하여 습득한다.3. 실험 결과-정류회로(1) 변압기의 1 차측 플러그를 100V 전원 플러그에 꽂고 출력전압 ... 었다. (함수발생기에서 Vpp는 피크대피크 값이 아닌 Vp값임을 오실로스코프를 통해 이전에 확인하였다.)(3) 플러그를 꽂고 전원스위치를 올린 다음 부하단에 나타나는 출력전압파형

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.17

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다이오드 보고서

D1은 차단되어 부하저항 R1에 아무것도 전달되지 않은 상태가 된다.[그림.1.2] (D1N4148 데이터시트)3. 시뮬레이션 조건TRANSIENT해석을 이용하여 Run to ... 원에 비례하는 전류가 생기게 된다.[그림.3.2] (D1N4148 데이터시트)3. 시뮬레이션 조건DC Sweep 해석을 이용하여 출력파형이 거칠지 않게 Increment값을 0 ... 은 연결이 되어 교류 전압원(V1)이 부하저항 R1에 다이오드 D1의 전위장벽(0.7V)을 넘긴 값(Vp:10V-0.7V=9.3V)이 전달 되고 교류 전압원이 부극성일 경우 다이오드

리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.29

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직류 공급전압 Vs 400 V 부하저항 R 40

= 40 Ω듀티비 D = 0.4인덕터 L = 0.5 mH = 0.5 × 10^(-3) H커패시터 C = 1 uF = 1 × 10^(-6) F강압형 컨버터의 출력 전압 V0는 다음과 같이 ... = (1 - D) × Vs / (2 × fs × C)ΔV0 = (0.6 × 400 V) / (2 × 40000 Hz × 1 × 10^(-6) F) = 3 V결과적으로, 스위칭 주파수 ... 전압 Vs = 400 V부하저항 R = 40 Ω듀티비 D = 0.4인덕터 L = 0.5 mH커패시터 C = 1 uF스위칭 주파수 fs = 40 kHz2. 시뮬레이션 결과 및 분석

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.05.04

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전자회로실험 MOSFET의 특성 실험 예비레포트

로만 동작한다3. 시뮬레이션 과정 및 결과공핍형, 증가형 MOSFET에서V_{ GS} 의 변화에 따라I_{ D} 가 어떻게 변화하는지를 살펴보기위하여 회로에 대하여 Multisim ... 시뮬레이션을 수행한다공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선시뮬레이션 조건* D-MOSFET 모델명: MOS_3TDN*R _{D}=620OMEGA*V _{GS}를 매개변수로 하여V _{DS ... ``와} I _{D} 관계를 그래프로 도시한다공핍형 MOSFET 전달특성곡선시뮬레이션 조건* D-MOSFET 모델명: MOS_3TDN*V _{DD}=18V ,R _{D}=620

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05

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인하대 VLSI 설계 3주차 NAND,NOR,AND,OR

gate의 진리표이다. Tran 시뮬레이션 결과를 보면입력 신호 A, B 중 하나라도 0이면 1을 출력, 2.1u~2.3u 구간처럼 A와 B가 둘 다 1인 경우 0을 출력하는 것을 확인 ... 이다. Tran 시뮬레이션 결과를 보면입력 신호 A와 B 중 하나라도 0인 경우 0을 출력, 2.1u~2.3u구간처럼 A와 B가 모두 1인경우에만 1을 출력하는 것을 확인할 수 있 ... 연결(Series)되어 두 Input 모두 1일 때만 Y 노드가 GND와 연결되어 0이 출력되는 Pull-down network를 구성한다. eq \o\ac(○,3) [그림 2

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.15 | 수정일 2023.03.21

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Arena를 이용한 시뮬레이션 연습문제 5-20, 7-4

- 제품 D와 제품 K의 주문비, 재고유지비 및 재고품절비는 소형 기계장치와 동일하다. 2. Arena 모형 3. 시뮬레이션 결과 - 각 제품별 재고 유지비용 및 재고품절비용 ... .4,14.2) - 모든 이동시간은 각각 3분 - sequence기능과 sets 기능 사용하여 각 부품별 주기시간을 계산하라. - 시뮬레이션을 10,000분 동안 한번만 실행 2 ... . Arena 모형 3. 시뮬레이션 결과 - 각 부품별 평균 주기시간은? ☞ 부품 1의 평균 대기시간(부품을 조립하는 시간)은 49분, 이동 시간은 9분이다. 부품 2의 평균 대기

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.09.26 | 수정일 2024.10.02

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딥러닝 신경망 모델과 SFM 기술 기반으로 구축된 3차원 디지털 트윈을 이용한 구조물의 기울기 자동 산출 (Automatic calculation of inclination angle of a structure based on 3D reconstruct digital twin using neural deep learning model and SFM technology)

인공지능과 융합된 디지털 트윈 기술은 국방 분야를 비롯한 다양한 산업 전반에 시뮬레이션도구로서 그 활용도가 증대되고 있다. 다양한 객체로 구성된 3차원 모델을 신속하고 값싸게구축 ... various industries, including the defense field. Technology for quick and inexpensive construction of 3D ... beencarried out focused on automatic 3D model construction based on multiple 2Dimages. In this paper

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.17 | 수정일 2025.05.10

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3D 가상 패션디자인 소프트웨어를 활용한 가방 디자인 프로세스 개발 - 개인맞춤형 백팩 디자인 중심으로 - (Advancing the Process of Personalized Backpack Design Using 3D Virtual Fashion Design Software)

시뮬레이션으로 가방을 시각화함으로 소비자와의 커뮤니케이션이 가능하며, 가방 디자인 프로세스에서 3D 디자인 소프트웨어의 활용은 디자인 개선 단계에서 효율적인 디자인 도구임을 확인 ... 고도화되는 디지털 환경은 가방 디자인에도 영향을 미쳐 새로운 프로세스로 변화되고 있다. 이에 본 연구의 목적은 3D 가상 패션디자인 소프트웨어를 활용한 가방의 디자인 프로세스 ... 하였다. 앙투안의 프로세스를 적용해 2D 가방 디자인 개발을 위한 프로젝트를 수행함으로써 개인맞춤형 백팩 디자인 프로세스로서의 효율성을 입증하였다. 둘째, 우리는 3D 가상

논문 | 19페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.08 | 수정일 2025.05.17

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비전프로가 컴퓨팅 환경 미칠 영향력에 대하여 작성자 본인의 생각

업그레이드 할 수 있습니다.(4) 디자인 및 엔지니어링비전 프로는 건축가와 디자이너에게 혁신적인 도구를 제공합니다. 3D 모델링과 시뮬레이션을 통해 디자인 과정을 개선하고, 고객 ... Computing)비전 프로는 '공간 컴퓨팅'을 통해 기존의 평면 스크린을 넘어서는 3D 인터페이스를 제공합니다. 사용자들은 가상 공간에서 무한한 작업 영역을 활용할 수 있으며, 이를 통해 ... 하여 기존의 2D 화면을 넘어서는 몰입형 3D 작업 환경을 제공하며, 이는 업무 생산성 향상, 협업 효율성 증대, 디자인 및 엔지니어링 분야의 혁신 등을 가능하게 합니다??. 이러

방송통신대 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.05.19

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기어 처닝 손실 예측을 위한 수치 해석 연구 (A Numerical Simulation for Predicting the Gear Drag Torque)

한 결과로 검증된 3D 시뮬레이션을 통해 기어의 구체적인 윤활 유동 연구가 가능할 것이다. The gear is one of the vital components of power ... 손실이 오랫동안 분석되어 왔지만, 최근 계산 성능 향상을 통한 3D CFD(전산 유체역학) 해석이 가능해졌다. 본 연구에서는 3차원 CFD 해석을 이용하여 기어의 처닝 손실 예측 ... (volume of fluid) 다상 유동 모델이 사용되었다. 회전 속도가 5,000rpm인 경우 실험 데이터, 실험의 경험식 및 3D 예측 방법이 잘 예측되는 것을 확인하였다. 이러

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.08 | 수정일 2025.05.08

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다관점 기반‘VR 번지’어트랙션 콘텐츠 개발 (Development of 'VR Bungee' Attraction Contents Based on Multi-View)

구성과 그에 따른 실시간 3차원 가상현실 영상콘텐츠 제작 파이프라인에 관해 연구하였고, 이를 통해 3차원 게임엔진에서 제작된 VR 영상과 시뮬레이션 간의 모션 세팅을 동기화하여 다 ... orresponding to the simulation and real time 3D virtual reality image contents pipeline were studied. We ... ettings between the VR images produced by the 3D game engine and the simulations. 한국디지털콘텐츠학회 디지털콘텐츠학회논문지 홍성대, 김두범

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.08 | 수정일 2025.05.08

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[전자회로실험2]보고서5주차- MOSFET CS Amplifier

하게 된다.3.V _{DD}를 gate에 넣어주는 이유는?--> bias를 주기 위함이다.[PSpice 시뮬레이션]시뮬레이션 회로ⅰ) f=1kHz일 때ⅱ) f=5kHz일 때ⅲ) f ... 다.MOSFET은 제작되는 방식에 따라 depletion mode와 enhancement mode 트랜지스터로 구분된다.-MOSFET 3가지 mode1. CS (Common Source ... )2. CG (Common Gate)3. SF (Source Follower)-MOSFET CS Amplifier 회로일 때(CS mode로 사용하기 위해서는 Saturation

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.26

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W-CDMA에서 3차원 적응 배열 안테나를 이용한 방해 신호의 도래각 추정 성능에 관한 연구 (A study on the DoA Estimation Prformance of Interference Signal in W-CDMA using 3D Adaptive Array Antenna)

의 경우 Stack 3D 형을 제외한 나머지 3D 안테나가, 도래각 추정 오차의 경우 방해 신호의 수와 전력이 증가할때 Curved-B 형 안테나가 가장 우수함을 알 수 있 ... 었다. This paper deals with the estimation performance DoA (Direction of Arrival) using the 3D adaptive ... array antenna in W-CDMA signal. For this, we proposed the 5 types of 3D array antenna, and appied for

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.28

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전자공학실험2 15장 예비레포트

으로 시뮬레이션을 수행한다.시뮬레이션 조건? JFET 모델명: 2N5432?R_G=1Mohm,R_D=2.2kohm,R_S=1kohm,R_L=10kohm?C_1=0.1muF,C_2=C_3=10 ... (a)의 회로에 대하여 Multisim으로 시뮬레이션을 수행한다.시뮬레이션 조건? E-MOSFET 모델명: 2N7078?R_1=47kohm,R_2=33kohm,R_D=3.3kohm ... }의 양(+)의 증가는 증가 모드를 만들어I _{d}를 증가시킨다(●표시부분).증가형 MOSFET 소스 공통 교류증폭기그림 15-3은 교류신호원이 캐패시터 결합으로 게이트에 연결

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.05.01

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