1. 실험 결과 및 분석 - 반파 정류회로 및 피크 정류회로 (1). 실험회로 1([그림 2-12])에서, 에 피크 값이 5V이고, 주파수가 100Hz인 정현파를 인가한다. 부하 저항 R에 100kΩ을 연결하고, 입력 와 출력 의 파형을 측정해서 기록한다. 우선 실험회..
실험 제목 : 소오스 팔로워 1. 실험 개요 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작..
실험 제목 : BJT의 기본 특성 1. 실험 결과 및 분석 (2). 를 12V로 고정하고, Vsig 전압을 0V~12V까지 1V 간격으로 변화시키면서 전압(, 컬렉터 전류를 측정하여 표에 기록하라. 동작 영역을 확인하기 위해서 , 전압도 같이 기록한다. 우선 실험을 진..
실험 제목 : 정류회로 1. 실험 개요 다이오드의 기본 특성을 이용한 정류회로들을 구성하고 실험을 통하여 특성을 확인한다. 또한 정류회로 중 반파 정류회로뿐만 아니라, 전파 정류회로 및 브리지 정류회로의 특성도 살펴보고 서로 비교해본다. 2. 실험 기자재 및 부품 • ..
실험 제목 : BJT 기본 특성 1. 실험 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭..
실험 제목 : MOSFET 기본 특성 1. 실험 개요 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로..
실험 제목 : 공통 게이트 증폭기 1. 실험 개요 저번 실험과 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 ..
실험 제목 : 공통 이미터 증폭기 1. 실험 개요 BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 직접 실험을 통해 동작 특성을 측정한다. 이미터 증폭기는 B가 입력, C가 출력, E가 공통 단자인 증폭기이며, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어..
실험 제목 : 공통 소오스 증폭기1. 실험 개요이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 ..
