다이오드 보고서
- 최초 등록일
- 2022.05.29
- 최종 저작일
- 2020.04
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소개글
다이오드 보고서
목차
1장 DIODE의 정류작용 ·
2장 DIODE의 정류, 평활 작용
3장 DIODE의 순방향/역방향 특성
4.1장 DIODE의 온도 특성
4.2장 DIODE의 온도 특성
5.1장 전파정류, 평활회로
5.2장 전파정류, 평활회로
6장 배압 회로
본문내용
1. 회로의 구성
교류 전압원 V1과 DIODE D1 및 부하저항 R1을 구성한 회로로서 DIODE의 반파정류작용을 측정하기 위한 회로이다.
2. 회로의 해석
교류 전압원에서 나오는 신호(진폭:10V, 주파수:60Hz, OFFSET전압:0V)가 정극성일 경우 다이오드 D1은 연결이 되어 교류 전압원(V1)이 부하저항 R1에 다이오드 D1의 전위장벽(0.7V)을 넘긴 값(Vp:10V-0.7V=9.3V)이 전달 되고 교류 전압원이 부극성일 경우 다이오드 D1은 차단되어 부하저항 R1에 아무것도 전달되지 않은 상태가 된다.
3. 시뮬레이션 조건
TRANSIENT해석을 이용하여 Run to time은 40ms로 하고 Maximum step size는 0.1ms로 설정한다.
4. 시뮬레이션 결과
V1에서 나오는 교류 전압원은 SIN파형을 그리는 결과가 나오고 부하저항에서 측정된 값은 SIN파형의 주기 π보다 작다는 결과가 나왔고 Vp값도 입력 10V에서 전위장벽(0.7V)을 넘은 9.7V가 결과로 나왔다. 따라서 반파 정류파형이 생성되었다.
참고 자료
없음