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"트랜지스터논리게이트" 검색결과 61-80 / 550건

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    한양대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서
    형태 공학 연구, 레일리 분포를 이용한 고유전율/메탈게이트 일함수 변화 연구, 조정 가능한 금속 및 반도체 채널을 갖춘 다형성 멤트랜지스터 연구, 압축된 영상 복원을 위한 양자 ... 연구, 의사 난수 논리 BIST를 위한 천이 동결을 이용한 새로운 스캔 전력 감소 기법 연구, 상부 방출 유기 발광을 위한 수소 보조 저온 플라즈마 강화 화학 기상 증착 박막
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.03
  • 광운대학교 전기공학실험 실험7. 디코더와 인코더 결과레포트 [참고용]
    *************0000001000000011000011000000000110B’A’-O0 : 점등BA-O1 : 점등XBA’-O2 : 점등그림 4 B’A-O3 : 점등X분석: NAND게이트로 구성한 논리회로 ... .)(5) 그림 7의 74148 인코더의 입력단에 스위치를 통한 입력신호 발생회로를 접속하고 출력단에는 트랜지스터를 통한 LED 구동회로를 접속하고 기능 확인한 것.만능 기판 내 ... 됐으며, actvie LOW이므로 001이 정상 출력됨을 볼 수 있다. 오른쪽사진은 무관항 검증을 한 모습이며, 자세한 내용은 고찰에서 다루겠다.4. 고찰본 실험을 통해 디지털논리회로
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.02
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    연세대학교 일반대학원 화공생명공학과 학업계획서
    연구, 플라스틱 상의 고체 동종접합 전기화학 트랜지스터논리 게이트 연구, Rigid Planar low-Bandgap Semiconductor와 Flexible Coil
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.28
  • 부경대 컴퓨터공학과 전기전자공학개론 기말고사 족보
    )을 반복하라.A. 트랜지스터 - base전류를 조정해서 기본전류를 조정한다. 스위치와 증폭기 역할을한다.FET-게이트 전압을 변동하여 드레인 전류를 변동시킨다.b. 장단점: 트랜지스터 ... 시험 형식: 개념문제 계산문제(과제)9장 반도체 소개진공관-전류를 한쪽으로 흐르게 한다.-전력 증폭기, 발진기 등으로 사용됨실리콘-다이오드 트랜지스터 집적회로에서 넓게 사용됨 ... 위치에 놓음퓨즈-짧은 연선으로 전류가 특정 값 이상으로 올라가면 자체가 녹아서 회로를 끊어버림-22장 쌍극성 트랜지스터트랜지스터-쌍극성과 FET로 나누어짐바이어스-두 개
    시험자료 | 6페이지 | 7,000원 | 등록일 2020.07.23 | 수정일 2020.10.19
  • 아주대학교 논리회로실험 / 9번 실험 RAM 예비보고서
    하는 메모리라고 할 수 있겠다. 반도체 ROM들은 바이폴라 트랜지스터와 MOS 트랜지스터로 구성된다.ROM의 IC의 경우, 디코더와 OR 게이트를 모두 포함하고 있는 장치이기에 디코더 ... 으로 추후 연관 과목에 대해 직관적인 시각을 다질 수 있다.3. 실험 도구 및 소자IC 이름74HC00 (Quad 2-input NAND Gate)핀 구성함수 다이어그램논리 다이어그램 ... 진리표ABY001011101110IC 이름74HC03 (Quad 2-input NAND Gate)핀 구성함수 다이어그램논리 다이어그램진리표ABY00Z01Z10Z110※Z는 높
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.20
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    삼성전자 회로설계 자기소개서 (2)
    하였습니다. 전자회로, ASIC 설계 과목을 들으며 트랜지스터의 동작과 그것을 활용한 논리 게이트의 제작에 대해 배웠습니다. 웨어러블 디바이스용 집적회로 설계 과목을 수강하며 최근 ... 의 특성부터 시작하여 디지털 회로, 논리 게이트, 컴퓨터 구조까지 궁금했던 내용과 더욱 심화된 내용을 전공과목으로부터 배울 수 있었습니다.진로 선택 이외의 동아리 활동의 장점은 협업 ... 항상 궁금했습니다. 궁금해한 내용을 더 자세히 배우고 싶어서 전자전기공학부에 진학을 결심하였습니다. 결과적으로 전자전기공학부에서 제가 원하던 내용을 배울 수 있었습니다. 트랜지스터
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.05
  • 아주대학교 논리회로실험 예비보고서2
    =5V, VIN=(사인파 Vpp 5V Voffset 2.5)로 설정한다.②오실로스코프의 출력모드를 X-Y모드로 설정한다.·예상결과 : 이 실험은 inverter 게이트논리레벨 ... ) 즉, 3.5~5V의 전압은 1의 논리로 동작하게 된다. 실험부품에서 조사한 74HC04의 datasheet에 의하면 inverter 게이트는 4.5V 전원으로 동작하였을 때 ... , ac 특성)을 실험을 통해 알아본다.2. 실험에 대한 이론·logic levels & DC noise margins논리회로는 전기 신호를 처리하여 입력값을 얻는다. 전형적인
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.18
  • 반도체공정정비요약
    가 공정별로 구분트랜지스터반도체 물질을 사용. 전기 스위치, 증폭 작용을 하는 반도체 소자. 가장 기초적 부품으로 조합에 따라 AND, OR 등의 논리 게이트 형성. 또한 논리게이트 ... . 최종 시험.MOSFET산화막에 의해 전기적으로 절연된 게이트에 전압을 걸어 소스와 드레인 사이를 수평으로 흐르는 전류의 통로를 제어하는 전계효과 트랜지스터제조공정이 간단하고 전력소비 ... 라인 : 웨이퍼에서 아무소자가 없는 곳 웨이퍼를 개개의 칩으로 나눔TEG : 테스트 다이로 소자가 너무 작은 IC의 트랜지스터, 다이오드 저항, 캐패시터는 공정 중 품질 관리
    시험자료 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.07.16
  • 울산대학교 디지털실험예비22 디지털 논리회로의 전압특성과 지연시간
    디지털회로 22. 디지털 논리회로의 전압특성과 지연시간학번 : 이름 :1. 실험 목적2진수를 전압으로 처리하는 디지털 논리회로의 동작전압, 지연시간 등을 측정하여 회로의 특성 ... 을 파학한다. (동작 주파수를 높게 변화시키면서 실험할 것)2. 실험 이론모든 디지털 기기들은 디지털 논리회로에서 배운 부울대수의 AND, OR, NOT의 3개로 연산하는 장치이 ... 다. 이 3가지 동작들을 결합하면 NAND, NOR, Exclusive OR, Multiplexer, Exclusive NOR, Flip-Flop 등과 같은 확장된 논리연산과 저장기능
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20
  • 전기및디지털회로실험 실험 3. 부울대수와 논리조합 예비보고서
    하고 부울대수에 활용하는 방법을 익힌다. (4) 논리조합의 기초를 익힌다. (5) 논리게이트의 대체기호 및 그 의미를 숙지한다. (6) 서로 다른 게이트간의 치환방법을 익히고 이 ... 를 통해 기본 게이트들 간의 상관관계를 숙지한다. 3. 이론조사 -부울대수의 기본연산과 정리 부울대수(Boolean algebra)는 1 또는 0의 값에 대해 논리 동작을 다루 ... 과 같다. -게이트의 치환 모든 논리적 함수관계는 AND, OR, NOT 세가지의 기본 동작의 조합으로 표현이 가능하다. AND가 OR의 속성을 가지고 있고, OR이 AND의 속성
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.30 | 수정일 2025.02.19
  • 디지털회로실험 산술논리연산회로 결과
    나 AND, OR, 전가산기 트랜지스터를 하나 혹은 두개만 쓰고 거기에 들어있는 게이트들을 모두 사용하려니 회로결선이 엄청 복잡해졌지만 올바른 실험값을 얻을 수 있었다. 그리고 4 ... 비트 전가산기 74LS283을 이용하여 출력 F1F2F3F4와 Cout을 얻었다.논리연산회로에서는 OR, XOR, AND ,NOT의 여러 게이트들을 썼는데 우리는 이 중 XOR ... 디지털회로실험-산술논리연산회로 결과-학과 : 전자공학과1. 결과1.1 실험과정 5.2의 결과를 다음 표에 작성하시오.기능 선택가산기의 Y입력입력출력출력 (V)사진s1s0Cin
    리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.04.16
  • 전자회로 예비4주차
    ,Blocking) - 게이트(Gate) : 정보 흐름의 허용 " 논리소자에서 열린(개방) Hyperlink "http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?nav=2 ... ) 서브스트레이트 위에 소스-게이트-드레인으로 구성된 pnp, npn 접합 구조 - 소스(Source) : 전하 캐리어의 공급 - 게이트(Gate) : 전하 캐리어의 흐름 조절 ... (수평) 서브스트레이트 위에 소스-게이트-드레인으로 구성된 pnp, npn 접합 구조 - 소스(Source) : 전하 캐리어의 공급 - 게이트(Gate) : 전하 캐리어의 흐름 조절
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.27
  • 반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)
    이 저하되었다. 특히 핵심은 기존의 트랜지스터와 커패시터 형성 재료, 실리콘, 실리콘다이오드, 폴리실리콘이 근본적인 재료 한계에 도달하고 지속적인 scaling에 새로운 재료 ... 에 비하면 여전히 적다. SOI의 경우 개선된 고주파 논리 성능 및 감소된 소비전력뿐만 아니라 다중 gate 구조와 같은 향상된 장치성능에 의해 사용된다. 이런 몇 가지 과정들은 단순 ... 루제어하는 high-k 게이트 유전체 및 gate stack층의 실질적인 Scaling을 제한하는 도핑된 Poly-Si의 공핍 효과를 제거하기 위한 금속 게이트가 있다. 그러나
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03
  • 8. 래치와 플립플롭 예비보고서 - [아날로그및디지털회로설계실습 A+ 인증]
    신호가 0에서 1 혹은 1에서 0으로 바뀌는 edge 에서만 입력에 따라 출력이 바뀐다.먼저 래치에 대해 알아보자.두 NOR 게이트로 만들어진 RS 래치 :- R=reset, S ... 됨- 경주효과에 의한 불확실성을 피하기 위해 R, S 의 입력이 동시에 1에서 0이 되는 것을 피해야 함NAND 게이트로 만들어진 level-sensitive RS 래치 : ... 는 순간에만 입력을 샘플링- 게이트 상호간의 작은 시간 delay 차이를 이용하거나 클록신호가 바뀌는 동안만 출력이 변화하도록 되어있음- 따라서 Setup, Hold 시간을 지켜주
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.02 | 수정일 2023.01.03
  • 플라스틱 기판에 펜타센 유기박막트랜지스터를 이용한 집적회로 제작 (Fabrication of Organic IC based on Pentacene TFTs on Plastic Substrate)
    본 연구에서는 하부전극 구조 펜타센 유기박막트랜지스터를 이용하여 플라스틱 기판에 인버터, 링 발진기, NAND & NOR 논리게이트, 정류기 등 간단한 집적회로를 제작하고 그 ... 특성을 관찰하였다. 제작된 유기박막트랜지스터 소자의 평균 전하이동도는 0.26 cm2/V.sec, 전류점멸비는 105 로 나타났으며 인버터와 NAND, NOR 논리게이트는 입력 ... 에 대해 정확한 논리출력값을 출력하였다. 전파 정류기는 1MHz의 AC 입력신호에 대해 정류효과를 나타냈으며 링 발진기는 DC 40V에서 1MHz의 발진특성을 보였다. 이와 같이 유기
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27
  • 플래시 메모리, 프로그래머블 논리장치(PLD) ,SRAM ,DRAM , MROM , EPROM , PROM , FRAM , PRAM , MRAM , 메모리 조사 대체과제 만점 , 논문까지 참고 및 없는 내용 없음 사기적
    라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장하며, DRAM이나 SRAM의 경우에는 1개의 cell에 1비트의 정보 ... Cell )해당 그림은 플래시 메모리에서 1개 cell의 구조이며, 트랜지스터와 비슷한 구조이나 본래 게이트가 있을 자리에 floating gate라는 새로운 층이 하나가 추가 되 ... 있다. 그러므로 연결상태에 따라 라우팅 딜레이가 다르게 되어 타이밍 예측이 어렵고 논리 소자의 성능 또한 CPLD 구조에 비해 떨어진다. 그러나 사용할 수 있는 게이트의 용량
    리포트 | 19페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.08.30
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    [A+보고서] 회로실험 CMOS-TTL Interface 결과 보고서
    [kΩ]47[kΩ]Vout5.0374.8594.9544.9985.0165.031? 실험 결과 분석- 실험 (1)CMOS를 이용해 2입력 NOR 게이트를 구성하였다. NOR 게이트 ... 과 측정값이 매우 근사하게 나타났다. 회로 구성과 측정이 올바르게 잘 된 것으로 판단된다.실험 결과를 통해 CMOS NOR 게이트 회로는 두 개의 입력이 모두 low이면 p-c ... 었다.이 결과 값을 통해 CMOS NAND 게이트 회로는 A,B 두 개의 입력이 모두 high이면 p-channel FET는 off되고, n-channel FET는 on 되어 출력
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.22 | 수정일 2024.07.21
  • 서울시립대학교 전전설3 9주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)
    circuit을 만드는 실험을 해보았다.PMOS Inverter의 경우 NOT gate의 역할을 하는 논리 게이트로 많이 활용되고 있다. 이번 실험에서 Vm을 분석하는 과정을 진행해 보 ... Hyperlink \l "주석1" [1]CMOS Inverter우선 극단적인 두 경우를 알아보자. 가 0V인 논리값 0인 경우와 가 인 논리 1의 경우이다.두 경우에서 n채널 소자 을 구동 ... 트랜지스터로 그리고 p채널 소자 를 부하로 고려할 것이다. 그러나 회로가 완전히 대칭이므로 이 가정은 분명히 임의적이며, 반대로 해도 결과는 마찬가지이다.- 인 경우CMOS
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20
  • 서울시립대 전전설2 결과레포트 2주차 A+
    1. Design with TTL Gates서론실험 목적TTL 게이트를 이용해 디지털 설계를 해 본다. OR, 턖, AND 소자를 이용해 반가산기와 전가산기를 c ... ombinational한 논리 회로를 만들어 본다.실험 이론디지털 논리 회로의 종류: combinational, se벼두샤미. 조합회로와 달리 순차회로는 feedback기능이 있다. 따라서 ... memory가 있으며 clock으로 동기화되어야 한다. Input이 외부 입력뿐 아니라 현재와 과거의 states에도 영향을 받는다는 뜻이다.TTL은 표준 IC의 한 종류로 트랜지스터
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.22
  • ITRS 2005 요약
    으로 Logic, Memory, Reliability에 대해 이야기해보자면,Logic은 반도체 소자 생산의 주요 부분은 Digital Logic에 전념하고 있다. 고성능 및 저전력 논리(일반 ... 되는 동시에 전반적인 칩 성능을 높일 수 있다. 따라서 시스템 설계자는 시스템 레벨 성능을 최적화하는 데 있어 가공되지 않은 트랜지스터 속도 대신 칩에 더 많은 코어를 넣을 수 있 ... 방식은 위에서 설명한 고성능이고 낮은 Vt 장치와 더 높은 Vt 및 더 큰 EOT를 가진 다른 MOSFET를 포함하여 칩에 둘 이상의 트랜지스터를 제작하여 누설 전류를 줄이는 것이
    리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.12
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2025년 06월 08일 일요일
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- 작별인사 독후감