"저온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 식품 관련 발표 탄소나노튜브 중앙공급실 족보 안과 수술 스퍼터링 펌프 공대생

"저온플라즈마" 검색결과 721-740 / 1,024건

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cvd 와 pvd의 특징과 비교

실리콘 질화 막이 훨씬효과적인 장벽을 만들기 때문이다.1) CVD에서의 Plasma의 사용플라즈마 몰리나 플라즈마 화학은 고압영역으로 부터 글로우 방전, 불꽃방전,태양코로나등 ... 다. CVDVD , plasma-enhanced CVD, photochemical CVD, laser-induced CVD, and electron-beam assisted CVD로 분류 ... 될 수 있다.2. CVD의 개요* CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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[재료공학] cvd(Chemical vapor deposition)

: a) 성막 온도와 원료 가스에 제약이 있다.b) 저온에서 형성한 막의 치밀성이 플라즈마 CVD법으로 형성한 막보다도 떨어 진다.상압 CVD : 박막 형성시의 압력이 대기압감압 ... 하는 것을 열 CVD라고 한다.○열 CVD의 특징장점: a) 원료 가스나 반응계(장치, 공급ㆍ배기)ㆍ조건의 설정에 따라 고순도의 박막이 형성된다.b) 피복성이 좋다.c) 플라즈마 CVD ... 와 비교하여 장치 구성이 간단하다.d) 플라즈마(이온)를 사용하지 않기 때문에 고속 입자의 충돌로 인한 손상이 없다.e) 조건에 따라 선택 성장이 가능한 점 등을 들 수 있다.단점

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.13

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[공학]열처리 종류 및 표면경화처리법 설명

표면경화 시키는 처리4) 플라즈마침붕(Plasma Boriding)처리 부품을 음극에 그리고 노벽을 양극의 직류 전원에 연결된 진공로에서 저압으로 유지된 염화보론과 수소의 혼합가스 ... 는 가스 분위기 속에서 처리 부품을 침질탄화 온도에서 2 ~ 5 시간 동안 유지한 다음 퀜칭하여 표면경화 시키는 처리5) 플라즈마 침질탄화(Plasma Nitrocarburizing ... 는 재료에 쓰인다.고온에서 급랭(急冷)하여 보통이면 일어날 변화를 일부 또는 전부 저지하여 필요한 특성을 끌어내는 담금질, 한 번 담금질한 후 비교적 저온에서 가열하여 담금질로써 저지

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.05 | 수정일 2018.05.28

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Fulleren & CNT 발표자료(나노 신소재)

튜브를 합성하는 방법 - 대량 생산 / Scale up에 용이 - 대량생산체제를 확보한 외국기업(일본)들이 이용● 플라즈마 화학 기상 증착법 (Plasma Enhanced ... Chemical Vapor Deposition) - 플라즈마 CVD는 열 CVD에 비해서 저온에서 탄소 나노튜브를 합성가능한 장점 - 성장온도가 낮아서 구조가 안정적이지 못 함 ● 레이저

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.08.24

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[박막공학]진공펌프의 종류와 진공게이지

펌프진공코팅, 진공 동결건조, 진공합금, 신소재 합금10-3Torr-10-7Torr고진공터보분자펌프, 흡착 펌프, 저온 냉각 펌프원자핵 연구 장치, 전자 현미경, 플라즈마 발생기 ... 는 인위적으로 진공을 만드는데 사용 되고 있으며 진공을 만드는 정도와 방법에 따라 여러 종류의 진공 펌프가 존재한다.진공 펌프의 종류확산 펌프, 터보분자펌프, 흡착 펌프, 저온 냉각

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.21

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전기화학 발표

과 마이너스 전하밀도가 동등한 전기적인 중성의 기체상태를 말한다.① 고온 플라즈마-> 플라즈마 용접, 절단 : Plasma의 고온을 이용한 재료의 가공.-> Plasma 용사 : 고 ... 융점 분말을 Plasma로 녹여 고체 표면위에 coating시켜 내열, 내식, 내마모성등을 높임.-> 초미립자 제조 : 열플라즈마의 고온,고활성을 이용하여 기상반응으로 합성된 입자 ... 및 유리화시킴-> 플라즈마 소결 : 난소결성의 세라믹 등을 단시간에 치밀화시킴.-> 플라즈마 야금 : 플라즈마의 고온, 활성을 이용하여 금속을 정련, 제② 저온 플라즈마-> Dry

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.06.10

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[합금]알루미늄합금의 고속초소성(高速超塑性)가공

플라즈마소결에 의해 저온(600～700K(327～427℃))에서 급냉응고분말의 예비성형이 가능하게 되면, 1μm이하의 초미세조직구조를 갖는 예비성형체(pre-form)를 얻을 수 ... 예비성형(pre-Form성형)급냉응고 분말이 가지는 초미세조직구조를 유지해가면서 피가공재로서의 필요한 강도를 확보한다. 결정조직의 성장이 진행되지 않는 저온, 단시간 내에 급냉응고 ... 속도의 유지가 가능하다.[그림 6]～[그림 7]은 평균입자경 400μm의 Al-12%Si(ADC12상당)의 분말을 방전플라즈마소결에 의하여 예비성형하고, 이 예비성형체(pre

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.02.07

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[철강][금속][금속 부식][도금][도금 원리][도금 종류][도금 과정][전기도금][화학도금][건식도금]철강의 활용과 금속의 부식, 도금의 원리, 도금의 종류, 도금의 과정, 전기도금, 화학도금, 건식도금 분석

) CVD의 원리CVD 법은 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(氣相, vapour)와 고온에 가열된 물체(도금 할 고체의 물체)와의 접촉으로 고온분해, 고온반응에 의해, 글로방전분해 ... (放電分解), 또는 레저 등의 光에너지를 조사(照射)시켜서 저온에서 물체표면에 금속 도는 금속화합물층을 석출시키는 방법을 말한다.2) CVD의 특징CVD의 최대의 특징은 처리온도 ... (plasma, 이온과 전자가 공존하여 전체적으로 중성을 유지하고 있는 상태)에는 항상 나타나기 마련이다. 음극스피터링은 이 플라스마 속의 이온(Ar+ 같은)을 음극의 음전기의 힘

리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.15

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박막 증착 방법, 종류

1. 박막증착 방법PVD(physical vapor deposition)법옛날부터 박막형성에 이용되어 온 방법으로서, 다른 방법으로는 할 수 없는 저온처리에 의해서 비교적 간단히 ... 다.최근에 이온이 갖는 에너지를 효과적으로 사용하여 저온영역에서 우수한 피막을 형성할 수 있는 것으로서, 이온플레이팅, 이온주입, 이온빔믹싱 등의 방법이 주목을 받고 있다.(1) 진공 ... 의 순도가 높고 균일하다- 증착률이 낮고, 높은 온도가 단점PECVD( Plasma Enhanced CVD )- 0.1 - 5.0 torr, 200 C - 500 C , 50

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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[공학]CVD 이해

과 에칭이 동시 진행되는 기판 bias 인가 고밀도 플라즈마(HDP; High Density Plasma) CVD 산화막이 응용된다. CMP stopper로서의 실리콘질화막(Si3N4 ... 에 있어서도, CVD에 의한 좁은 gap에 대한 저온 채움이 요구된다. 이렇게 저온공정이 요구되는 이유는 Thermal flow 등의 공정에 온도 제약이 있기 때문이다.또 하나 ... 는 염소 플라즈마를 Cu 판과 반응 시켜 저차의 염화물(CuCl)을 형성 시키고, 기판상으로 운송하여 그 표면에, Cl radical에 의해 환원하여 Cu 막을 기판 위에 형성한다고 하

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.30

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[생물학]세균의 분류 및 분류조건, 분류법

. Tenericutes미아코플라즈마라 부르는 세포벽이 없는 원핵생물이다.4) Division Ⅳ. Mendosicutes대부분이 어떤 형의 세포벽을 가지고 있지만, muramic ... 가 달라진다. 왜냐하면 세균의 증식에는 효소 등의 작용에 의해 대사가 일어나며 이들 작용은 적정온도에서 최대 효율을 나타내기 때문이다.세균은 생육적온에 의해 저온성 세균

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.06.16

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[기기분석]유도 결합 플라즈마 분광법 Inductively Coupled Plasma(ICP)

..PAGE:1유도결합플라스마 분광법Inductively Coupled Plasma(ICP)Emission speectroscopy..PAGE:2..PAGE:31. 원리 및 적용 ... ( 2～4 ㎜ )에 위치한다. 이와 같은 ICP의 구조는 중심에 저온, 저전자 밀도의 영역이 형성되어 도너츠 형태로 되는데 이 도너츠 모양의 구조가 ICP의 특징이다...PAGE:8 ... 여개)의 분석가능,특히 P.B.W.Zr,V회토류 원소와 같은 내화물원소의 미량 분석가능...PAGE:9불황성 기체인 알곤 플라즈마를 사용하므로 화학적 방해가 적음.원자 흡광법

리포트 | 38페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.21

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[공학기술]박막

throughput.Single wafer다양한(신재료) 재료 대응 가능. 장비구조 복잡(LDS등).MOCVD증착속도 빠름. PVD + CVD 저온화 가능.PECVD(Plasma ... 속도와 높은 균일성의 특징이 있으며, 폴리 실리콘에 사용LPCVDLPCVD 구조PECVD 시스템의 특징 Plasma-enhanced CVD 플라즈마 원리를 이용하여 화학 기상 ... 가열기전극웨이퍼전극RF 동력 입력가스 배출구, 펌프가스 주입구 (SiH4, O2)플라즈마PECVD 구조MOCVD 시스템의 특징 Metal Organic CVD. Meta

리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

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진공의 기초

Vacuum 10 -7 Torr 이하 원자핵 연구장치 , 전자 현미경 Plasma 발생기 , 물리 실험 장치 터보 분자 펌프 , 저온 냉각펌프 , 흡착 펌프진공을 위한 부품들 12 진공 ... , 이중유리창 ) 입자의 장거리 비행가능 (TV 모니터 , 입자가속기 ) 증발과 승화작용 안정된 플라즈마를 유지 (TV 모니터 ) 산화와 부패 등의 생화학 반응 억제 ( 램프 ... -7 Torr 진공코팅 , 진공 동결 건조 , 진공 합금 , 신소재합금 확산펌프 , 터보 분자 펌프 , 흡착펌프 , 저온 냉각 펌프 , 승화펌프 초고진공 Ultrahigh

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.29

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[공학]전자재료

), ＞; 104 K(Te : electron temperature, Th : heavy particle temperature)-＞일반적으로 대기압 또는 고압에서 활용저온플라즈마(비평형플라즈마) ... )아크, 열, 전자빔 등의 에너지에 의해 진공분위기에서 금속물질을 증발시키고, 플라즈마, 이온빔 등의 에너지로 활성화시킨 후, 기능성 소지에 원하는 조성 및 결정구조로 요구도에 맞 ... 과 충격이 큰 부품은 밀착력을 올리기 위해 플라즈마 클리닝과 이온충격공정을 반드시 하여야 한다. 클리닝과 표면반응을 얼마나 효과적으로 하느냐에 따라 금형과 공구의 성능과 수명

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10 | 수정일 2024.01.14

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조직구조 관찰과 경도측정

적인 방법은 화학부식 방법이며 이외에도 molten salt방법, 전해부식, 열 및 plasma 부식 방법 등이 있다. 이 실험에서는 에탄올 50mL 와 질산 1mL의 혼합물을 사용 ... 를 조대화시켜 강을 여리게 만들며, 특히 상온 E또는 그 이하의 저온에 있어서는 특히 현저해 진다.* 고온메짐성: 강은 구리 (Cu)의 함유량이 0.2% 이상이 되면 고온에 있

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.17

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Polyimide의 대하여

및 내플라즈마 특성④ 우수한 내화학성⑤ 가공성이 떨어지고 불용,불융등을 특징으로 가지고 있어서 우주 항공산업 및 전자산업 등의 첨단 분야에서 다양하게 이용되고 있다. 특히 전자산업 ... (Torlon) 및 GE의 polyetherimide(Ultem)이 개발 판매됨- 부가 경화형 PI 수지, 현장중합형 PI(In-situ polymerization), 저온 중합형 PI 등

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.21

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세균감염실습과 배지만들기

, 건식가열, 저온플라즈마가스, 오존에기초한 노출, 알킬란트 멸균제 또는 산화 멸균 제를 이용하는 방법 등이 있다.1. 고압증기 멸균 : 1기압 이상의 포화증기로 미생물을 죽이는 방법

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.18

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자원과환경 족보

. 이러한 융합과정에서 가벼운 원자들의 결합에너지는 방출된다. -핵융합장치: 고온플라즈마(고온에서 전자와 핵이 분리된 채 섞여있는 상태)를 고밀도로 가두는 토카막을 이용※신에너지 ... -화산기원:판구조운동, 205C이상 고온열수 -비화산기원:방사성원소 붕괴, 맨틀 열의 전도현상, 150C미만 저온열수 -자연적인 지하수원 존재, 저투수성 지층 존재, 대수층

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.20

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[공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

to target atoms4) Sputtering3. Sputtering의 특징 비교1) 비교적 저온에서 고융점 물질을 박막화할 수 있다.2) 비교적 넓은 면적의 균일한 막 ... . Sputtering 장점1) 충분한 이온공급에 의한 Sputtering rate 증가2) Target 면적을 증가시켜 넓은 증착 표면 형성3) Plasma에 의한 Substrate ... 다.◎ RF sputtering1) sputtering plasma 발생 oscillating power source를 사용하므로 DC방법보다 많은 장점이 있다.2) 주파수가 50

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18

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