"저온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 식품 관련 발표 안과 수술 탄소나노튜브 중앙공급실 족보 스퍼터링 펌프 금오공대 신소재

"저온플라즈마" 검색결과 621-640 / 1,005건

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sputter deposition에 대한 이해

vector의 진폭과 방향이 다양하기 때문에 한 주기 내에서 플라즈마 내의 전자들이 받는 힘이 변하게 된다. 따라서 plasma내에서 행동하는 전자들의 힘도 다양해져 plasma ... , electron density, electron temperature, plasma potential을 조사예) 플라즈마 전압이 anode보다 약 2∼10V 더 positive ... 의 질량보다 훨씬 작기 때문에, 플라즈마 중에서의 전자의 이동도는 이온의 이동도보다 크다. 따라서, 플라즈마에 밖에서 자장이 가해지면 전자만이 가속되고 이온은 그 만큼 가속되지 않

리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.09.07

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진공과 진공펌프에 대해서~

∼10-10Torr전자현미경Plasma 발생기표면연구재료분석터보분자 펌프저온냉각 펌프크라이오 펌프게터 펌프극고진공Extremely High Vacuum10-10Torr ~ 이하원자핵 ... CVD), AP-CVD (Atmospheric presure)여기 에너지: Thermal, Plasma, Photon, Laser CVD반응 재료: MOCVD (Metal ... 진공동결건조진공합금진공가스치환진공씰링진공용접이온주입확산 펌프터보분자 펌프흡착 펌프저온냉각 펌프이온 펌프크라이오 펌프승화 펌프초고진공Ultra High Vacuum10-7Torr

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17

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MO-CVD 설명

에 전장을 걸어 Plasma 상태를 형성하여 박막 증착하는 방법. Thermal CVD 방법보다 저온에서 박막 증착 가능PE CVD반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열 ... (Gas) + …By-Product반응 Energy (열, 플라즈마, 빛(UV or Laser), 또는 임의의 에너지)MOCVD란?Metal Organic Chemical Vapor

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28

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질소산화물~ NOx에 대한 자료

· 암모니아 누출시 환경오염 · SO2에 의한 손상SCR의 장단점반응온도가 200℃이하인 SCR촉매 선박의 입출항시 연소가스의 온도가 저온일 때 SCR반응을 일으키기 위한 저온 플라즈마 ... ℃200∼400℃적용온도 범위고온 조건하에서 암모니아 또는 요소를 분무하여 NOx를 환원함촉매존재하에서 암모니아를 분무 저온에서 NOx를 N2와 H2O로 환원함제거 원리 ... 하에서 암모니아를 분무 저온에서 NOx를 N2와 H2O로 환원함제거 원리SNCRSCR항 목SCR과 SNCR ROCESS 와의 효율비교1) 장점 · 2차 대기오염의 위험이 없다. · 단순

리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

thermal CVD, plasma CVD, photo CVD로 분류하기도 한다. 플라즈마(plasma)나 광자(photon)를 이용한 CVD는 반응물 기체를 플라즈마나 혹은 광자로 미리 ... ), 색상, 부식저항 등을 향상시키기 위해PVD의 장점PVD 단점▶ 저온에서 증착이 가능▶ 불순물이 적음▶ 모든 물질 증착이 가능▶ 부착력이 우수함▶ Bad Step Coverage

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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고분자 자료조사 PI 의 발표자료

Polyimide, PIPolyimide 란 ? www.themegallery.com 듀폰이 전세계 시장을 독점 , 스펠이라는 상품으로 알려진 내열 내마모성이 높고 플라즈마특성 ... 성이 강해 반도체 장비 자동차 등에 널리 사용 . 극저온에서 초고온 ( 연속사용온도 300 ℃ , 단기사용 600 ℃ ) 영역까지 기계적 물리적 특성을 유지 가능

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.28

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탈황 및 탈염 공정

~$리 문제없음- 난해한 미생물 배양조건- 고농도 처리시 미생물 폐사위험- 높은 압력손실로 전력비 높음산성폐액$20 ~ $60저온플라즈마- 설치비,운전비,유지비저렴- 저농도 일수록 ... , Furan$15 ~ $370촉매연소법- NOx, Dioxin발생 없음- 저온운전(250~400℃)가능- 설치비, 촉매교환 비용고가- 촉매독 존재 시 전처리 필요폐촉매 발생$30 ... 않아도 된다.저온 증류 설비는 조작을 위해 에너지와 비용을 효율적으로 사용한다.많은 기계설비가 완전히 자동으로 되어있고 작동하는데 얼마 안 되는 인원을 필요로 한다.이 기술은 양질진 :

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.27

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[실내환경] 플라즈마 집진기술

플라즈마(plasma)집진 기술1 플라즈마(plasma)란고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체상태로서 전하분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로는 음 ... 은 양 또는 음으로 하전되어 전기적으로 중성상태의 가스가 되는데 이를 저온 플라즈마라 한다. 플라즈마는 전자, 이온, 분자의 온도가 모두 높은 고온 열플라즈마와 전자 온도만 높 ... 은 저온 플라즈마로 구분된다. 고온 열플라즈마는 고온을 얻을 수 있어 물질을 용융하는데 활용된다. 저온 플라즈마는 가스온도는 당해 배출가스의 온도이며, 전자의 온도만 높기 때문에 고온

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.08.25

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화합물 반도체(Compound Semiconductor)

된 에너지원으로 열 에너지가 많이 사용되는데 이런 경우를 열(thermal) CVD라고 한다. 또한 열 에너지 이외에 플라즈마나 빛 에너지도 사용되며, 이런 경우는 플라즈마(plasma ... 인 저온, 고순도 결정성장의 이점은 기상(vapor phase)으로부터의 결정화를 통해서도 가능하다. 결정층은 반도체 재료의 화학증기(chemical vapor) 또는 반도체 재료

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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용융 접합의 종류 특징 장단점 (용접)

용접법(Plasma Welding)금속노즐과 구멍을 통과하는 가스기류에 의한 열의 핀치효과에 의해 긴축된 초고온 플라즈마를 이용하는 용접법 키홀(Keyhole)용접이 가능초박판 ... 되는 장비가 약간 더 복잡하고, 가격이 비싸다. 용접봉 자체는 가늘지만, 용접총 노즐은 비교적 커서 용접부에 접근(reach)하기가 곤란한 위치에서는 작업하기가 비교적 어렵다.플라즈마 ... (Submerged Arc Welding)심선의 송급에 따라 용접진행을 자동화한 자동금속 아크용접법 2000~3000A 대전류가 사용고장력강의 용접 저도 탱크의 횡향 용접 저온용 용구의 용접

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.07

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스템플러의 공정및 열처리 등등 있습니다. (스테이플러, 스탬플러,호치키스)

에서는 볼 수 없는 우수한 특징을 지니고 있으며 금속을 대신하는 플라스틱- 기계적 특성 : 고온이나 저온에서 우수한 stress와 strain의 관계는 금속에 가깝고 탄성회복도가 좋 ... 의6%Cr, 나머지는 Fe이며, 이것에 2%의 Mn을 첨가한다. 이 합금은 Ni-Cr 합금보다 내산화성이 낮으므로 저온용으로 이용된다. 또 주물로서 풀림용형에 또한 판, 봉 ... 판재의 절단(material control)- 프라즈마 커팅(Plasma Cutting), 워터 제트(Water Jet Cutting)▶ 관재, 봉재, 압출물의 절단

리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.16

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[공학기술]plasma

하소로서 이용된다.8. 플라즈마 중합(Plasma Polymerization)플라즈마 중합(Plasma Polymerization)은 기체 및 유기 증기들이 저압 상태에서 플라즈마 ... 할 수 있고, 접착력이 우수하며, 건식 방법이므로 용매에 의한 환경오염이 없으며, 에너지 소비량이 적어 경제적인 장점들이 있다. 이 방법은 저온 플라즈마를 사용하며 저압 상태(약 ... < 목 차 >>Ⅰ. 플라즈마 응용Ⅱ. microwave플라즈마 응용기술Ⅲ. 플라즈마 공정Ⅳ. 종래 기술과 비교Ⅴ. 문제점 및 향후 개선방향Ⅰ. 플라즈마 응용플라즈마는 열

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.15

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제올라이트, 기기분석

속재료 등의 표면 물성 파악에 필수4) ICP (Inductive Couples Plasma Mass Spectrometer)여러 가지 화학분야의 분석기중 하나로 유기, 무기 ... 분석중 무기 분석에 해당한다. 유도 쌍결합 플라즈마 질량 분광계가 ICP-MS 이다.I. 기본적인 원리유도결합플라즈마(ICP)의 원리는 주로 석영 등의 유전체 반응기 외부에 코일 ... 을 감아 전기장을 변화시키면 코일의 내부에 유도자장이 발생하게 되고 그에 따른 2차 유도전류가 반응기 내부에 형성되는 것을 이용하여 발생시키는 고밀도 플라즈마이다.⒜유전체 반응기 외부

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.02

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정전척(Electrostatic Chuck)

상에 존재하는 표면장력, 반데르바알스힘 및 정전기력의 3가지 힘 중에서 정전척은 정전기력을 이용한 방법이다.정전기란 전기가 정지하고 있는 상태를 나타내는 것으로 플라즈마와 같은 도체 ... 클램핑 응용 분야는 주로 저온에서 공정되는 에칭 분야와 이온 주입기와 관련 하여 대부분 연구되었으나 500℃ 이상의 고온에서 응용될 수 있는 정전기력에 의한 클램핑 방법이 연구 ... puttering, CVD 또는 plasma spray 방법으로 표면에 박막 형태로 형성하는 것이며, 다른 한 가지는 금속 전극 set를 세라믹 소결시 안쪽에 위치시키는 방법이

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.18

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[유전학 실험][서울대] CEF cell isolation and culture

다.③ 배양에 필요한 배지의 조성이 완전하게 알려져 있지 않고, 혈청(serum)과 같은 값비싼성분을 요구한다.④ 동물세포는 섬세한 플라스마 막(plasma membrane)으로 둘러쌓 ... 로, 작은 눈금이 있어 눈금에 들어간세포의 수를 센 뒤 간단한 식에 대입하여 전체 세포의 수를 계산한다.⑧ 액체질소(Liquid N2) : 탱크액체 질소는 -196℃의 초저온

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.31

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반도체 제조 공정

) CVD라고 한다. 또한 열 에너지 이외에 플라즈마나 빛 에너지도 사용되며, 이런 경우는 플라즈마(plasma) CVD 또는 광(photo) CVD라고 한다. 이중 본 절에서는 반응 ... 는 공정 온도 영역에 의해 다시 저온 CVD(LTCVD; T500 ℃) 등으로 나뉘어 지며, LPCVD는 고온 벽 CVD와 저온 벽 CVD로 구분되어 진다.그림은 상업적으로 많이 사용

리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01

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[금속공학]건식증착법

, Pulsed Laser Deposition),플라즈마증착법, 등이 있습니다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체 ... 으로 증착할 때 물질에 따로 다소 저온도 가능하지만 이 저온이란 것도 CVD에서는 500도 정도를 저온이라고 지칭한다. 반면에 PVD에서는 가열이 없이도 증착이 가능하지만, 대신 상압 ... 는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 조절하는데 어려움이 있다.(2)플라즈마 증착플라즈마의 응용기술은 현대

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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FPD장치조사 - PDP 와 FED 의 비교 분석

, FED에서의 저전압 전자방출을 위한 GaN tip 및 carbon nanotube에 관한 연구, TFT-LCD에서의 mobility향상을 위한 저온 polysilicon에 관한 ... 금속전극 형성공정 등이다. 이중에서 정보표시소자의 플라즈마를 이용한 건식식각공정은 GaN의LED 및 LD제작, TFT-LCD 및 FED 소자제작, 그리고 micro

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.14

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[공학]플라즈마와 표면재질

가 ppm 농도로 존재하는 저감 대상의 유해가스에 이전된다. 따라서 저온 플라즈마 처리의 목표는 이들 주요 배경가스의 분자들로부터 활성기를 효율적으로 생성하는데 있다. 배경가스 ... 에 의한 전자 평균에너지는 3～6eV 정도이므로 배경가스 중의 주요 해리 대상물질은 O2 및 H2O가 된다. 저온 플라즈마에 의한 반응기작은 다음의 O2와 같이 4가지 기본적인 ... 는 기술이기에 비단 환경오염 방지 및 정화분야뿐만이 아니라 재료 및 에너지 분야 등 미래산업에서도 중추적인 역할을 하는 기술로 주목받고 있다.저온 플라즈마 발생기술은, 플라즈마에 의한 활.

리포트 | 25페이지 | 3,900원 | 등록일 2006.03.24

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사파이어 웨이퍼

에 있어 문제가 된다. 따라서 ZnO는 MBE나 Plasma를 이용한 저온 GaN의 성장이나, GaN와 사파이어 기판 사이의 큰 격자 부정합도와 열팽창계수 부정합도를 완화 시켜주

리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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