"알루미늄 박막"의 검색결과 입니다.

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전기장과전기력 전자기파의 특성 무기공업화학 반도체 공정

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"알루미늄 박막" 검색결과 621-640 / 899건

전기저항

］를 사용하기도 한다.금속저항률금속저항률금속저항률은금알루미늄크롬동철1.622.402.622.61.6910.0수은니켈연백금주석텅스텐95.86.921.910.511.45.48아연납규소 ... 를물 은 이온상태로 되어 전류를 통할 수 있다. 이러한 액체를 전해액이라 하며 온도, 농도에 따라 저항 값은 달라진다.▣ 알루미늄과 마그네슘[1]알루미늄주기율표 3B족에 속하 ... 는 금속원소로, 은백색의 가볍고 무른 금속이다.원소기호 Al원자번호 13원자량 26.9815녹는점 660.4℃끓는점 2467℃비중 2.70(20℃)알루미늄은 은백색의 부드러운 금속

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.12

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고체의 열전도도

한다.기준관과 시험편 사이를 엇갈리거나 사이가 뜨지 않게 충분히 죄어야 하고, 보다 나은 밀착을 위하여 알루미늄가루, 구리가루 또는 알루미늄 박막등을 사용하여도 좋다.시험편과 기준관

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.18

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[인삼][인삼의 형태][인삼의 종류][인삼의 성분][인삼의 효능][인삼의 7효설]인삼의 형태, 인삼의 종류, 인삼의 성분, 인삼의 효능, 인삼 7효설[人蔘七效設](인삼, 인삼 형태, 인삼 종류, 인삼 성분, 인삼 효능)

) 표피(表皮)껍질을 제거하지 않은 것은 대황백색의 박막성 코르크층을 이루고 있으나, 일반적으로는 코르크는 조제할 때 대체로 박피(剝皮)되므로, 군데군데 약간의 코르크 세포를 볼 수 있 ... 과 폴산 및 비오틴 등의 비타민류와 망간, 구리, 바나듐, 코발트, 비소, 게르마늄, 알루미늄, 니켈 등의 원소가 조금씩 들어 있다. 이 가운데 게르마늄은 노화를 방지하고 항암

리포트 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.15

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세라믹재료 분체의 표면처리

음성이 양호한 금속을 선택한다 . 선택한 금속을 펴면 위에 박막상으로 표면처리하여 탄화물 분산체를 한다 .1. 표면처리의 목적과 효과 세라믹스 분체 분산 고분자 매트릭스 압전재료 ... 는 표면수산기가 존재 실리카 (SiO 2 ), 산화티탄 (TiO 2 ), 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) : 산화물 분체는 표면에 물을 화학 흡착하고 그 결과 표면에 표면 수산기

리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.06

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[공학]유기EL

여기자 생성④여기자의 이동 및 확산⑤여기자에서의 발광등의 단계로 이루어져 있다고 할 수 있다. 이 때, 사용되는 유기 재료들은 반절연성을 띠어 유기 박막 내에서 화학적으로 라디컬 ... , 혹은 printing방식을 이용하여 박막을 도포한다. 음극으로는 일함수가 작은 마그네슘 또는, 리튬 등을 적용하는데, 일반적으로, 마그네슘은 유기층과의 접착성이 상대적으로 우수한 은 ... 을 동시 증착하고, 안정도가 낮은 리튬의 경우는 0.5-1% 농도 수준으로 알루미늄과 동시 증착을 한다. 유기 EL 소자의 기본 구조낮은 전압에서 소자를 동작시키기 위해서는, 유기

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.30

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금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사(예비)

기 위해서는 입자의 크기가 미세해야 하며, 좁은 입도분포를 가져야 한다.표 1 에 지금까지 알려진 질화알루미늄의 분말합성법과 박막합성법(화학증착법)을 실었다. 분말의 합성법 중 ... 금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사1. 실험목적알루미늄 착물을 이용하여 질화알루미늄(AlN)분말을 합성하고, AlN이 생성되는 반응과정, 즉 반응 메카니즘을 추정해 본다 ... 었다. 따라서 회로에서 방출되는 열을 효율적으로 방출시켜 회로를 보호하기 위해 높은 열전도도를 갖는 기판 및 패키지를 사용해야 할 필요가 대두되었다. 질화알루미늄(AlN)은 높은 열전도

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.01

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신소재 용어 정리 광학적 기능 화학적 기능

다.* 적외광 흡수 재료로 굴절률 큰 유전체(ZnS, TiO2)에 Ag, Au 등을 끼운 것이나, PbS/Al, CdTe/Al 등의 복합 막이 있다.* 구리나 알루미늄의 박막을 증착 ... 하게 한다. 대량의 이온을 고속으로 분반 가능하므로, 전지나 소자 등의 전해질 부분의 박막화, 소형화가 가능하여, 페이퍼 전지의 개발에 도움을 준다. 이외에도 나노소자나 나노 머신 등

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.21

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디지털 기술의 이용 디지털 건축

의 EMP[Seatle 1995-2001,]surface Divison Grammar Resulits21.000개의 스테인레스강과 알루미늄 박막패널에 대한 각각의 디지털 형판을 제작하기 ... 이 가능한 Pro Engineer를 사용하여 각각의 금속박막 패널을 지지해주는 철과 알루미늄 ribs 부품을 제작했던 Zaher사와의 데이터 공유는 Catla를 통해 완벽하게 호환

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.02.27

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ch2 원자,분자,이온

모자의 지름은 100pm로 10만 배 이상 크다.- α입자는 실제 양전하를 띤 헬륨원자핵으로 금속박막을 투과할 때 상대적으로 매우 가볍 고 음전하를띤 전자들에 의해 산란되지 않 ... ) 화학식 Al2O3->알루미늄과 산소로 구성 조성비는 2:3* 분자성순물질- 분자성순물질(molecular substance): 모두 같은 분자로 구성된 물질(분자가 매우 작

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.12

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인공 다이아몬드

적 응용기상 합성 다이아몬드를 초경기재에 코팅시킨 드릴공구는 결정립을 미세화 시켜 표면을 평활하게 해서정밀도와 수명을 향상시킨 것으로 알루미늄 합금의 절삭가공에 충분히 사용할 수 있 ... 다박막을 형성한다.1. 알곤2. 반응 가스3. 아크원 (코팅 재료)4. 코팅할 부품5. 진공 펌프-이온 주입법이온 주입법은 반응성 전자 빔 증발법으로 물리적 기상 증착법의 한 종류

리포트 | 44페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.07

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알루미늄의 모든것

website알미늄 프라자 HYPERLINK "http://al-ingot.com/aluminium%20plaza.htm" \t "_self" http://al-ingot.com ... 목차1. 알루미늄 개요2. 알루미늄 소개3. 알루미늄의 발견과 발전 (국외, 국내)4. 알루미늄의 특성5. 알루미늄 성질 분석표참고1. 알루미늄 개요원소명(국문) : 알루미늄원소 ... 다. 시중에서 판매되는 알루미늄은 98.0∼99.85 %의 순도이며, 주요 불순물은 규소와 철이다. 성질은 순도에 따라 다른데, 전기의 양도체로, 비저항은 구리의 약 1.6배이다. 또

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.11

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[디스플레이공학]OLED실험 박막제조공정

< 고분자 박막 제조 >1. 조 및 보고자- B-1조 /2. 보고 일자- 2006년 3월 28일 화요일3. 목적- 고분자 박막을 만들기 위한 고분자 유기물질의 용액 제조 ... 와 Spin coater 사용법을 익힌다. 이것을 이용하여 고분자 박막을 만들어 보고 박막 두께의 측정법에 대하여 알아본다.4. 실험 준비물① 용액 상태의 고분자 유기물질( 0.2 wt ... . 실험 방법- 고분자 박막 제조 공정① 스핀코팅 하기전 solution의 이물질 제거를 위해 필터(0.45㎛)를 이용해 한번 걸러준다.② 준비된 Glass를 스핀코터 위에 올려놓

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.06

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TFT-LCD의 특징 및 제작원리

있다. 그 후 층간 절연막을 증착한다. 4)소스-드레인 금속 전극 형성 알루미늄을 증착하고 소스 드레인 패턴을 만든다. 메탈 패턴 형성 후 질소와 수소 혼합 기체 분위기에서 450 ... 다.GlassGlassStaggeredCoplanarElectrodeSemiconductorOhmic layerInsulatorsssInverted CoplanarGlassGlassInverted Staggered비정질 실리콘 박막 트랜지스터 ... 의 동작 원리비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 단면도xyGatea-Si:HSourceDrainChannelVgInsulatorn+ a-Si:HVyY = 0Y = LVsdYdVch비정질

리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.26

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디스플레이공학

반사판이 여기에 해당된다. 오염되지 않은 순수한 눈(snow)이나 마그네슘판은 93~97, 백색 회벽은 90, 흰색 광택 페인트는 75~88, 알루미늄판은 85, 흰옷은 30~60 ... . Antireflecting Films 이란 무엇인가?렌즈나 프리즘 등의 표면반사를 줄이기 위한 유전체박막. 유리보다 굴절률이 작고 투명한 유전체를 진공증착 하여 매우 얇은 막

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.26 | 수정일 2016.08.22

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막기술

가가치의 특성을 지닌다. 용도에 따라 전자재료 ?자성재료 ? 광학재료 ? 절연재료 등으로 분류되며, 이 외에 초경박막재료, 고분자분리막 등 여러 가지가 이에 포함된다. 세라믹재료, 고 ... 경우는 알루미늄 실리케이트 진흙이거나, 철, 알루미늄, 그리고 실리카의 무기성 콜로이드이다. 유기물인 경우는 단백질, 탄수화물, 지방, 기름 그리고 여러 종류의 합성세제 들이

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.17

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[화학공학]각막의 처리 - 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

단계웨이퍼 표면에 도핑단계를 통해 전기적 활성영역이 형성되면, 그 지역 혹은 소자는 배선이 되어야 한다. 반도체 기술에서의 배선은 SiO2나 Si3N4위에 적층된 알루미늄 박막 ... 1. 실험제목 : 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험2. 실험목적 : 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지 ... 는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각

리포트 | 20페이지 | 10,000원 | 등록일 2005.10.31

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[전기전자실험]저항

-알루미늄-금-인청동-아연-니켈-철-백금-크롬-납-니크롬](3) 저항기의 사용목적① 전원에서의 전압이나 전류를 트랜지스터나 IC가 필요로 하는 높이나 크기로 해서 보낸다.② 신호원 ... 기 어렵다.『도체의 저항은 도체의 단면적에 반비례하고 길이에 비례한다.』그림 1. 저항의 특성 관계그림 2. 박막형 저항(6) 저항기의 종류(가) 저항체 형성 방법(ㄱ) 박막형종 류

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.09

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무전해 도금 방법

-귀금속이온을 티탄 등 산화피막이 형성되기 쉬운 피도금물 위에 도포시킨 후 환원가스 또는 전기로에서 열분해시켜 석출하는 방법 -이 방법으로 얻어진 막은 단원자층에 가까운 박막이 ... 에서 pH와 도금속도의 관계• pH• etc. 첨가제, 금속이온의 농도 및 환원제의 농도전처리 과정알루미늄강니켈 ∙ 스테인레스강아연합금예비탈지 탈지 수세 산침지 수세 도금예비탈지 알칼리 ... 화시켜야 한다. ① 전처리 후에 다른 다른 니켈 도금욕에서 스트라이크 니켈 도금을 행한다. ② 무전해 니켈욕 중에서 철 또는 알루미늄 금속봉을 접촉시켜서 국부 전류 전지에 의해 니켈

리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.15

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[공학]반도체 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

■ 실험 제목- 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거■ 실험 목적- 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지는데 첫째 ... 로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것 ... 이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.■ 실험

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.15

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[반도체]반도체 제조 공정

. 반도체 기술에서의 배선은 SiO2나 Si3N4위에 적층된 알루미늄 박막으로 형성된다. 그 아래의 웨이퍼 표면의 지역과 콘텍트를 만들기 위해 절연막에 구멍을 내서 알루미늄이 통하 ... . 웨이퍼 가공(3단계)막 형성 여러가지 물질의 박막을 웨이퍼 표면에 성장시키거나 더한다. 패턴 웨이퍼로 부터 박막을 선택적으로 제거한다. 주입 웨이퍼의 선택된 지역의 저항 ... 성과 전도성이 Dopant 첨가에 따라 변화한다3-(1) 막 형성실리콘 마이크로칩을 만드는 첫 과정은 실리콘 웨이퍼 표면에 SiO2 박막을 키우는 일인데 이 막은 절연체에 속한다. 이 외

리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.01

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