"전자실험"의 검색결과 입니다.

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전자회로실험 전전설3 RC 결과보고서 전전설1 mosfet의 특성 실험 전기전자 실험 기초전자공학실험

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"전자실험" 검색결과 601-620 / 63,075건

전자회로실험 결과보고서 - 다이오드 응용회로, 제너다이오드 실험

9 주차 결과보고서과목전자회로실험학번이름소속분반/조제출일1. 실험 제목- 다이오드 응용회로- 제너 다이오드 응용2. 실험 목적- 다이오드의 특성을 이해하고 응용하고 다이오드 응용 ... 회로를 분석한다.- 제너 다이오드의 특성을 이해하고 제너 다이오드 회로를 응용한다.3. 실험 준비물- 전원공급기(Power Supply)- 오실로스코프(Oscilloscope) ... , 800OMEGA , 1k OMEGA , 2kOMEGA )- 다이오드 DIN7504. 실험 결과 및 고찰8. 다이오드와 제너 다이오드의 응용 결과보고서▶ 실험 1. 제너 다이오드 항복

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.16 | 수정일 2024.02.05

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전기전자 실험레포트 (결과) - 능동필터회로

전자 17장 결과 레포트 능동필터회로1. 실험결과< 부품값 >표시값①10kΩ②10kΩ③10kΩ④10kΩ⑤10kΩ측정값9.86kΩ9.82kΩ9.81kΩ9.87kΩ9.88kΩ표시값 ... 하는 이유를 설명하라.오차가 발생하는 원인에는 각각의 소자들의 값이 이론값과 정확하게 일치하지는 않는다는 점과 실험기기들의 내부저항, 회로 내에서의 간섭 등이 있다.Q2)R _{o1 ... 으로는 온도가 가장 크게 영향을 미칠 수 있다고 생각한다. 항상 그렇듯이 실험실의 온도를 조절하는 것은 아니고 소자를 오래 사용함에 따라 소자의 온도가 변화할 수 있다.(3) 대역통과

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.26

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전자응용실험 12장 예비 [다이오드 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-15실험12다이오드 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1 ... 에 바이어스를 인가한 모습을 나타낸다.그림 12.1 p+ n 접합 다이오드이 다이오드에 순방향 바이어스를 인가한 경우x=-x _{p} ,`x _{n} `지점에서의 전자 및 정공 ... .2)여기서N _{A} ,`N _{D}는 각각 p+, n-type의 도핑 농도이며,V _{T} =kT/q이다.순방향 바이어스시의 전자 및 정공의 농도는 다음과 같다.DELTA n

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-06-03실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션5. 실험 ... / 약 3.39E-04>>lambda = 5.99E-02비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고 MOSFET의 특성 ... 을 알아보는 실험이었다. 실험 1번에서는 기판, 소스, 드레인의 표면 농도접합 깊이, 게이트 전극 길이, 두께를 입력하고 MOSFET의 도핑 농도를 시각적으로 볼 수 있는 실험이

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전기전자회로실험 8주차 결과보고서

실험 8. 주파수 응답-목차-1. 실습의 목표2. 실습 내용과 방법3. 결과보고서1.실습의 목표? RC 및 RL 회로의 동작 특성 이해? Transfer Function의이해 ... 파형을 형성 (실험 5 참조)하여 A 및 B 를 측정하고, 측정된 값으로부터PHI _{H}를 계산하여 표 8.1에 기록하시오.②V _{s}의 진폭은 ��2V 로 고정한 후, 주파수 ... 그리고V _{s} 와V _{r}�� 의 리사주 파형을 형성(실험 5 참조)하여 �좥 및 B 를 측정하고, 측정된 값으로부터 ��PHI _{H} 를 계산하여 표 8.2에 기 록

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.06

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전기전자회로실험 6주차 결과보고서

실험 6. RC 및 RL 회로-목차-1. 실습의 목표2. 실습 내용과 방법3. 결과보고서1.실습의 목표? RC 및 RL 회로의 동작 특성 이해? Transient Response ... _{c} 의 시상수를 측정하여 표 6.1 에 기록하시오.② 커패시턴스 C를0.1 mu F ,1 mu F 로 변화시켜 ① 의 실험을 반복하고, 결과를 표 6.1에 기록하시오.③ 그림 ... 6.2 에 기록하시오.④ 인덕턴스L을10mH,100mH 로 변화시켜 ③ 의 실험을 반복하고, 결과를 표6.2 에 기록하시오.⑤ 인덕턴스L이100mH 인 경우,v _{R}과v _{L

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.06

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전자실험 16장 예비 차동 증폭기 회로

실험16 차동 증폭기 회로1.실험목적2개의 입력 신호들의 차이를 증폭시키는 bjt,jfet 차동 증폭기 회로에서 DC전압과 AC전압을 계산하고 측정하고 차동이득과 공통모드 이득 ... 을 계산해본다.2.실험이론차동 증폭기는 2개의 입력을 지원하는 회로로 입력신호의 차이를 증폭시킨다.차동증폭기를 입력단에 사용하는 연산 증폭기는 입력을 (+)비반전 ,(-)반전 ... 전압이득이 변하게 된다.3.실험방법(1)차동 증폭기 바이어스-직류값V _{B1}V _{E}V _{C1}I _{E}V _{R_C1}0V-0.656V5.36V0.934mA4.64Vr

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.13

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전자회로실험 예비보고서 - 트랜지스터의 특성

실험 9. 트랜지스터의 특성예비보고서110 주차. 예비보고서과목전자회로실험학번이름소속분반/조제출일1. 실험 제목- 실험 9. 트랜지스터의 특성2. 실험 목적- 트랜지스터의 특성 ... 을 이해한다.- 트랜지스터의 작동을 이해한다.- 작동점의 역할을 이해한다.3. Pspice 시뮬레이션 및 예비 실험 결과▶ 실험 1. 증폭된 출력 파형주교재의 [그림 7.17 ... ] 컬렉터 공통 회로를 이용하여 아래의 실험에 따른 주교재의 [그림 7.20] Q point와 같은 그래프를 그리고 아래의 표 1을 채우시오.① 실험결과(ⅰ) 작동점이 Y축에 치중된 회로

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.16 | 수정일 2024.02.05

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전자공학실험 MOSFET 특성 이해와 증폭기 설계

- 실험목적 : MOSFET Transistor의 기본적인 특성을 이해하고 증폭기로서의 동작을 확인하고 그 원리를 이해한다. - 실험내용 : MOSFET Transistor 모델 ... 의 파라메터 추출, DC 해석 및 증폭기로의 동작 - 실험준비물 : 트랜지스터 2n7000, 저항, Power Supply, 멀티미터, 함수발생기

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.22

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전자회로실험 - 예비보고서 - 차동 증폭기

과 목 : 전자회로실험과 제 명 : 차동 증폭기전자회로실험 예비보고서 #10실험 20. 차동 증폭기1. 예비 보고 사항(1) 증폭 회로를 구성하기 위해서 우선 MOSFETM ... _{ 1},M_{ 2}에 인가할 공통 모드 전압을 결정해야 한다. 증폭 회로에 사용하는 NMOS는 이전 실험들과 동일한 소자를 사용한다. 이 소자에 대한 정보를 바탕으로 인가하고자 하 ... 보고사항(1)의 과정과 같이 공통 모드 전압의 범위를 결정하면 정전류원I_{ SS}가 제공하는 정전류의 값을 결정할 수 있다. 실험에서는 정전압원과 NMOS, 저항이 제공

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.20

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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성

132핵심이 보이는 전자회로 실험실험 5 BJT의 전류-전압 특성132실험 5 BJT의 전류-전압 특성?이름 :?실험일 :시뮬레이션 5-1| NPN형 BJT의{bold{I _{C ... u3.3815 mA그림 5-17 PNP형 BJT의I _{C} ```-V _{B`E} 특성 시뮬레이션 결과 파형132핵심이 보이는 전자회로 실험실험 5 BJT의 전류-전압 특성132 ... 실험 5 BJT의 전류-전압 특성?이름 :?실험일 :실험 5-1| NPN형 BJT의{bold{I _{C} ```-V _{CE}}} 특성 측정하기표 5-6 NPN형 BJT의I _{C

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.20

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전자공학실험 21장 차동 증폭기 심화 실험 A+ 결과보고서

결과 보고서실험 21_차동 증폭기 심화 실험과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경우 저항 부하에 비해 공정에 대한 변화량이 적고, 정확한 저항 ... 을 위한 추가 비용이 들지 않는다는 장점이 있다. 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정 ... 하고자 한다.2 실험 절차 및 결과 보고■ 실험회로 1 : 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기1증폭기 설계를 위해서는 MOSFET M1, M2의 동작점을 먼저 결정해야 한다. M1

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15

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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT 공통이미터 증폭기

132핵심이 보이는 전자회로 실험실험 7 공통이미터 증폭기132실험 7 BJT 공통이미터 증폭기?이름 :?실험일 :시뮬레이션 7-1| NPN형 BJT 공통이미터 증폭기 해석하기표 ... 이미터 증폭기의 시뮬레이션 결과 파형132핵심이 보이는 전자회로 실험실험 7 공통이미터 증폭기132실험 7 BJT 공통이미터 증폭기?이름 :?실험일 :실험 7-1| NPN형 BJT ... 하여 파형을 그린다.-vs-50mV-50mV5V-5V-vo-그림 7-8 NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의v _{S} ``와v _{O} `의 측정 결과 파형실험 7-2 | PNP

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.20

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중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

전자회로 설계 실습예비보고서설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정실험일시 :작성자 :담당교수 :이름학번분반실험날짜설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정실험 목적MOS ... value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V, Increment→0.1V]실험 절차※ 다른 지시가 없다면 측정값은 유효숫자 세 자리까지 기록한다.※ 자리에 앉 ... 으면 우선 DMM과 DC Power Supply, 오실로스코프, 함수발생기의 전원선을 220 V power outlet(소켓)에 연결한 후 전원버튼을 누른다. 모든 전기전자 장비

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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전자응용실험 12장 결과 [다이오드 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 12다이오드 특성 시뮬레이션1) 그림 12.4 ... 와 같은 구조와 아래의 도핑 농도를 가지는 p+ n 접합 다이오드의 mesh를 구성한다.2) 다이오드 도핑, 전자 농도 분포 및 전자 전류 분포(1) VA=0 ~ 1.0V ... 으로 정공 및 전자 농도 분포를 그려라.? y=200.1um에서 정공의 농도를 구하고 물리전자에서 배운 다이오드 이론치와 비교하라.? y=250um 에서 350um까지 정공의 농도

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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전자회로응용실험 7장 소신호 에미터 공통 교류증폭기 실험

· 7장 소신호 에미터 공통 교류증폭기 실험1. 실험결과| 사진 7-1 에미터 공통 교류증폭기 회로| 표 7-1 에미터 공통 교류증폭기의 직류해석측정량시뮬레이션값이론값실험값V ... 출력파형CH1CH2시뮬레이션 측정값592.718mV2.2819V실험값500mV2.24V| 그래프 7-2 에미터 공통 교류증폭기의 입출력파형(C _{2} 개방)CH1CH2시뮬레이션 ... 측정값500m830m실험값500mV1.88mVC _{2}를 개방하면 출력 파형이 나타나지 않는다.| 그래프 7-3 에미터 공통 교류증폭기의 입출력파형(R _{L} 개방)CH1CH2

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25

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전자응용실험 14장 예비 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션1. 실험 ... Transistor의 줄임말로 전계효과에 의해 전자가 이동하는 특성을 가지고 있다는 뜻이다. P형 물질로 도핑된 실리콘에 n+를 부분적으로 도핑한다. 그리고 그 사이에 산화막과 메탈이나 SiO2 ... 와 같은 물질을 올린다. 그 그리고나서 n+에 각각 +와 ? 전압을 가하고 SiO2에 일정 이상 전압을 가하게 되면 전계효과가 나타나며 전자가 이동할 수 있게 전계가 형성된다. 이것

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험11)

전자회로 설계 실습예비보고서설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계실험일시 :작성자 :담당교수 :이름학번분반실험날짜설계실습 11. Push-Pull ... Amplifier 설계실험 목적RL = 100 Ω, Rbias = 1 kΩ, VCC = 12 V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover ... distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다.실습준비물Function Generator : 1대Oscilloscope(2channel) : 1대DC

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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전자회로실험 결과보고서 - 트랜지스터의 특성

실험 9. 트랜지스터의 특성결과보고서110 주차. 결과보고서과목전자회로실험학번이름소속분반/조제출일1. 실험 제목- 실험 9. 트랜지스터의 특성2. 실험 목적- 트랜지스터의 특성 ... 을 이해한다.- 트랜지스터의 작동을 이해한다.- 작동점의 역할을 이해한다.3. 실험 준비물- 오실로스코프(Oscilloscope)- 함수 발생기(Function generator) ... OMEGA, 220OMEGA, 200OMEGA)- 트랜지스터(MPS2222)4. 실험 결과 및 고찰▶ 실험 1. 증폭된 출력 파형주교재의 [그림 7.17] 컬렉터 공통 회로를 이용

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.16

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전기전자실험 - 저항의 직렬병렬 결과레포트

가장 먼저 실험을 하기 위해 이론적인 저항값과 측정된 저항값을 비교하여 오차를 계산하였다. 오차율이 발생하였지만 허용 오차범위내에 존재하여서 실험을 하는데는 문제가 없었다. 오차 ... 율을 계산하면서 오차값이 음수(-)가 나올 수 있다는 사실을 처음 알게 되었다. 측정값이 이론값보다 적을 때 음수의 오차율이 발생한다. 이전 실험을 통해서 오차발생원인이 저항소자 ... 의 오차, DMM이나 전원공급기 그리고 브레드보드로 인한 저항이 있다는 것을 알았다. 이번 실험을 통해서는 이 뿐만 아니라 측정값을 계산할 때 유효숫자에 따라서 오차가 발생할 수 있다는 사실을 알게되었다.

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.17

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