"AlGaN/GaN"의 검색결과 입니다.

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hemt 원리 led 원리 led 발전과정 led 특성 led제조공정

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"AlGaN/GaN" 검색결과 41-60 / 72건

LED의 재료와 제조공정에 대한 레포트

과 GaN 은 격자 부정합이 33[%] 로 매우 큼 결정결함을 줄이기 위해 버퍼층 형성 : AlN ( 또는 AlGaN)03 LED 제조공정 버퍼층03 LED 제조공정 N-GaN N ... 초크랄스키 (Czochralski) 법01 LED 용 기판 SiC 기판 SiC 는 GaN 과의 격자 부정합이 작고 , 열전도 특성이 매우 우수 근자외선 영역 근처에서 광 손실 ... 발생 다른 기판 물질에 비해 광추출 효율이 낮음 PVT(Physical Vapor Transport) 법01 LED 용 기판 GaN 기판 동종 에피택시 → LED 효율 4 배 이상

리포트 | 73페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.09.08

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LED 전압 인가에 따른 전류 측정

, 빨간색GaAsP - 빨간색, 주황색, 노란색InGaN／GaN／AlGaN - （주황색, 노란색）녹색, 파란색, 보라색, 자외선GaP - 빨간색, 노란색, 녹색ZnSe - 녹색, 파란 ... ), 갈륨질소(GaN) 등으로 만들어지며,?어떤 화합물을 쓰느냐에 따라 LED 빛의 색깔이 달라진다.그림 2 화합물 에너지 Band Gap에 따른 발광 색AlGaAs - 적외선 ... athode를 반대로 인가했을 경우 발광하지 않는다. 또한 역방향 내전압이 낮으며 파괴되기도 쉽다. GaN계열 발광 다이오드는 정전기나 서지 전류에 약하기 때문에 취급에 주의

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.05.04

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Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

˝ diameter GaN nucleation layer TMG : 40 μ mol/min * 모든 공정에서 같은 흐름 NH 3 : 4 L/min H 2 : 1 L/min 510 ... - 550℃ 25nm GaN buffer 1000 - 1020℃ 2000nm GaN:Si layer TMG : 40 μ mol/min SiH 4 : 10ppm in H 2 0.5 ... nmol/min 510 - 550℃ 1500nm InGaN SQW layer TMI : 1.2 μ m/min TMG : 1.0 μ mol/min 780 - 800℃ 2nm AlGaN

리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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LED의 정의,구조,특징,응용

( GaAsP ) - 빨간색 , 오랜지색 , 노란색 인듐 질화 갈륨 ( InGaN ) ／ 질화 갈륨 ( GaN ) ／알루미늄 질화 갈륨 ( AlGaN ) - 오렌지색 , 노란색 ... 에는 여러 종류가 있다 ☞ Ⅲ-Ⅳ 족 GaAs , GaP , GaAsP , GaAlAs , AlInGaP , GaN ☞ Ⅱ-Ⅳ 족 ZnS , ZnSe , ZnCdSe ☞ Ⅳ-Ⅳ 족 SiC ... 가시광 LED 는 GaAs , GaP , GaN 계 화합물 및 혼합 반도체로 제작3. LED 의 특성 알루미늄 갈륨 비소 ( AlGaAs ) - 적외선 , 빨간색 갈륨 비소 인

리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.03.12 | 수정일 2021.07.06

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HEMT(High Electron Mobility Transistor)의 기본 원리

→ Schottky contact: control current Formed 2DEG from AlGaN/GaN hetero- structure High intrinsic carrier ... PolarizationCanceledCanceledRemained3. POLARIZATION2. Piezoelectric Polarization - When AlGaN growed on the GaN ... , tensile strain was occurred due to difference of lattice constant for AlGaN.(AlGaN a=3.112Å, GaN a=3.189

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.06

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LED(결과)

갈륨 (GaN)／알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) - （오렌지색, 노란색）녹색, 파란색, 보라색, 자외선?인화 갈륨 (GaP) - 빨간색, 노란색, 녹색?셀렌화 아연 (ZnSe

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.18

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LED의 발전과정, 최신동향, 기초이론, 제조 및 측정분석 방법 ppt

-barrier InGaN -well GaN GaN -barrier P+AlGaN P- GaN P++ GaN Substrate(sapphire) GaN buffer N – GaN (Si ... vacuuH3+TMG+N2 +TMI GaN , Sapphire 격자 불일치 Low temperature buffer layer 4.758Å sapphire √ 3×3.186Å GaN ... Island growth Lateral growth coalescence 2D-growth Sapphire Un- GaN N- GaN InGaN N- GaN Un- GaN

리포트 | 75페이지 | 8,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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LED 발전 과정, 최신 동향, 기초 이론, 제조 공정, 측정 분석

er InGaN -well GaN GaN -barrier P+AlGaN P- GaN P++ GaN Substrate(sapphire) GaN buffer N – GaN (Si ... -doped GaN ) MQW (Multiple Quantum Well) P – GaN (Mg-doped GaN )Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 ... Module Pakaging GaN Structure - + P-type N-type MQW EBL - + -Ⅳ LED 기초 이론 Wafer 공정 Epi 공정 FAB 공정 Module

리포트 | 82페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24

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GaN 발광소자, 발광소재 현황

tructure) LED(light emitting diode) 의 구조를 나타낸다. 사파이어 기판에 GaN 버퍼층을 상장한 후 n형 GaN 층을 성장하고 그 상부에 InGaN/AlGaN ... GaN 발광 소재 및 발광 소자 개발 현황제1장 서 론...............................................1제2장 기술의 개요 ... .....................................22.1 GaN 성장 기술 개요..............................................22.2GaN 성장

리포트 | 53페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.29

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Electrical properties of LED

(Vth or VF)가 거의 비례하여 달라짐을 알 수 있다. 3. 그런데, 그림 1.3을 보면 GaN(Ⅲ_Nitride)류 Material의 VF가 예상치보다 높다. 그 이유

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.10

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LED Optical properties

어서 carrier confinement가 더 효율적임을 의미한다.그림 2.5 GaN/InGaN blue, GaN/InGaN green, AlGaInP/GaAs red LED

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.20

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HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

/GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies2) AlGaN/GaN HEMT irradiated with 17MeV proton3 ... ) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of-Based Ohmic Contacts On AlGaN/GaN HEMT3. 결론 - HEMT ... AlGaN/GaN HEMT)기존의 AlGaN/GaN HEMT는 그 것의 효용성에 의해 여러 용도로 쓰이고 있다. 이런 HEMT에서 source와 drain contact는 Ti/Al

리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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전압인가시 LED에 흐르는 전류와 발광시점 측정

) - 적외선, 빨간색갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오렌지색, 노란색인듐 질화 갈륨 (InGaN)／질화 갈륨 (GaN)／알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) - （오렌지색

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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LED에 대하여

)으로 완충층위에 p형 GaN 클 래딩층을 성장 시키는 제1공정과, 상기 클래딩층위에 n형 GaN 오믹접촉층을 성장시키는 제2공정과, 상 기 오믹접촉층 위에 n형 AlGaN 클래딩 ... 층을 성장시키는 제3공정과, 상기 클래딩층 위에 InGaN활성층을 Si, Zn으로 도핑하여 성장시키는 제4공정과, 상기 활성층위에 p형 AlGaN클래딩층을 성장시키는 제5공정 과, 상기 ... 클래딩층위에 p형 GaN오믹 접촉층을 성장시키는 제6공정과, 상기 MOCVD로 성장된 층을 갖는 박막을 플라즈마 어닐링하는 제7공정과, 상기 n형 GaN 오믹 접촉층에까지 건식

리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.16

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LED의 업계 동향과 발전 가능성

(AlGaAs) - 적외선, 빨간색▶ 갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색▶ 인듐 질화 갈륨 (InGaN)／질화 갈륨 (GaN)／알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN ... 노드와 캐소드를 반대로 인가했을 경우 발광하지 않는다. 또한 역방향 내전압이 낮으며 파괴되기도 쉽다.▶ GaN계열 방광 다이오드는 정전기나 서지 전류에 약하기 때문에 취급에 주의

리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.03.07

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LED

은 휘도를 내는 제품은 없었다 . 그리고 노란 , 녹색은 일찍부터 실용화되었지만 순수한 녹색은 파란색과 같은 GaN 계 반도체 재료가 사용되기 때문에 녹색 LED 의 실용화는 파란색 ... ( AlGaAs ) - 적외선 , 빨간색 • 갈륨 비소 인 ( GaAsP ) - 빨간색 , 오랜지색 , 노란색 • 인듐 질화 갈륨 ( InGaN ) ／ 질화갈륨 ( GaN ... ) ／알루미늄 질화갈륨 ( AlGaN ) - （오렌지색 , 노란색） 녹색 , 파란색 , 보라색 , 자외선 • 인화 갈륨 ( GaP ) - 빨간색 , 노란색 , 녹색 • 셀렌화 아연

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.13 | 수정일 2014.05.07

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GaN MOCVD Growth 성장특성 (MOCVD를 이용한 GaN 질화갈륨 성장특성)

층과 기판 간 격자상수 및 열팽창계수의 차이 Strain 발생 버퍼층은 Stain을 완화 MOCVD 성장에 적합한 Buffer물질 Ex.) GaN, AlN, AlGaN, etc ... GaN MOCVD Growth 성장특성1. GaN 성장목적Optical Data Storage System단파장의 Blue 레이저를 이용1. GaN 성장목적Why GaN?Ⅲ-Ⅴ ... nmAlGaNInGaNInGaAlPAlGaAsGaNUVBlueGreenRed1. GaN 성장목적Application Of GaNRGB 삼원색 구현 가능한 LED짧고 안정적 파장을 요구하는 광 메모리 장치2. 성장조건temperature(℃)1040

리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.28

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LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향

onfinement)를 증가시키기 위해 n 형, p 형 AlGaN/GaN 초격자층(superlattice)을 삽입한다. AlGaN/GaN 초격자층위에는 억셉터 역할을 하는 Mg을 도핑 ... 하여 p형 GaN 층이 형성된다.다. LED 소자 제작 공정MOCVD 방법 성장된 wafer를 이용한 실제 LED 소자를 구현하는 소자제작 공정은 다음과 같다단위소자 영역 정의Dry ... 적으로 절연 시키기 위하여 단위 소자와 단위 소자 사이를 기판까지 식각한다. 에칭 공정이 끝난 후 p형 GaN 박막의 Mg acceptor를 전기적으로 활성화시키기 위하여 850℃에서 열

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14

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고효율 LED 제조 기술 개발 동향

양자우물 구조에서 1999년 이후에는 AlInGaN계 다중 양자우물 구조로 변경되었고 2000년 이후에는 고휘도를 위한 n/p-AlGaN/GaN 초격자 클래드층이 적용되었다. 활성 ... 광선 내의 파장은 GaN를 기반으로 한 질화물 반도체의 경우 파장이 400~580nm(자색~녹색)의 범위 내에서 빛을 발하는 것이 가능하며, (Al, Ga, In)P를 축으로 하 ... 키는 문제를 발생시킨다. 따라서, 결정결함을 줄이고 캐리어 농도를 증가시킬 수 있는 원천기술 개발이 절대적으로 필요하다.저온 완충층은 기판과 GaN간의 격자상수와 열팽창계수의 불일치

리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2010.04.24

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LED(Light Emitting Diode)와 광효율 개선

LED 외부 양자효율의 전류밀도의존성p.32[그림 26]AlGaN/GaN 저온완충층p.35[그림 27]PSS LEDp.37[그림 28]Normal surface LED와 p-GaN ... 23]JIS에 규정되어 있는 색온도와 명칭의 정의p.31[그림 24]청색 LED와 황색 형광체를 사용한 백색 LED의 구조도p.31[그림 25]대표적인 GaN계 LED와 이상적인 ... , GaN 기판 및 SiC 기판의 소재와 특징에 대해서 알아보고 형광체 및 에피 웨이퍼에서 각기 다른 방출 파장을 내는 소재들에 대하여 알아보았다. LED가 사용되고 있는 분야를 조사

리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.21

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