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"AlGaN/GaN" 검색결과 61-72 / 72건

  • LED의 최신자료
    (AlGaAs) - 적외선, 빨간색갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색인듐 질화 갈륨 (InGaN)/질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN)
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.26
  • 화합물 반도체
    레이발하다.한편 GaN는 전자디바이스의 관점에서 보면 전자의 포화속도가 크고 AlGaN/GaN 의 hetero구조로서 2차원 전자가스를 형성할 수 있는 것으로부터 AlGaAs ... ---- 목 차 ----◎ 화합물 반도체의 정의◎ Si 반도체와의 차이◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)※ II-VI 족 화합물 반도체 ... 이 어렵다.< (a) 화합물 반도체 구조 (b) Si 반도체 E-K 다이어그램 >◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)GaAs 화합물 반도체
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11
  • LED란
    며 다시 n 또는 p 타입 GaN 또는 AlGaN Clad 층의 구조로 제작된다.⑶백색 LED현재 전세계적으로 활발하게 진행되고 있는 GaN 백색 LED의 제작 방법은 모두 네 ... .84-1.602.0-3.6GaN사파이어MOCVD파랑초록4705203-52-41.8-3.19.7-19.4*VPE:기상성장법, LPE:액상성장법, MOCVD:유기금속기상성장법LED ... 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5 GaAlAs계 LEDGaAlAs는 x0℃)에서 GaN를 성장하는 방법을 사용하여 백그라운드
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30
  • LED 개요와 특성
    (InGaN,AlGaN,AlInGaN 등)물질 개발 및 낮은 결함,GaN기판 성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술(GaN),chipdesign및 package기술로서 양자 효율 ... LED가 개발되면서 응용영역이 넓어지기 시작하였다. 질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26
  • LED(Light Emitting Diode)와 발광 원리
    색상제어가 용이하다는 장점이 있다.박막(InGaN,AlGaN,AlInGaN 등)물질 개발 및 낮은 결함,GaN기판 성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술(GaN),c ... 6] 백색 LED를 구현하기 위한 제작 방법현재 전 세계적으로 활발하게 진행되고 있는 GaN 백색 LED의 제작 방법으로는 크게 네가지로 나눌 수가 있다. 청색 혹은 UV LED 칩
    리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.16
  • LED 기술과 특성
    회로와 R/G/B 색상제어가 용이하다는 장점이 있다.박막(InGaN,AlGaN,AlInGaN 등)물질 개발 및 낮은 결함,GaN기판 성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술 ... (GaN),chipdesign및 package기술로서 양자 효율 증대와 내열 설계 기술 등의 기술이 진보되어 powerLED의 공급전류가 수십에서 수백 mA의 큰 전류를 흘릴 수 있
    리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.04.26
  • [반도체] Investigation of GaN (질화 갈륨의 특성 조사)
    을 갖는 AlGaN층에 의해 싸여진인 InGaN 박막에서 일어난다. 특히 GaN 청색 LED는 적합한 전력수준에서 동작하는 총천연색 LED에 기초를 둔 옥외 비디오 화면을 가능 ... 가 다른 경우가 많았기 때문이다. 이 때문에 AlGaN와 같은 완충층을 두어야 하는데, 여기에 그러한 완충층을 없앤 두 가지 형태의 GaN 기반 소자를 살펴보려고 한다.a. GaN ... ]).일반적으로 GaN의 경우 위에 증착시키는 층과의 결정구조가 잘 맞지 않아서 증착이 제대로 되지 않는 어려움이 있어서 보통 AlGaN 와 같은 완충층을 갖게 된다. 그러나
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.21
  • [조명용 LED기술]질화물 반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술
    함으로써 이루어 진다. 청색 LED에서는 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조, UV LED에서는 GaN/AlGaN, InAlGaN/InAlGaN, InGaN/AlGaN 다중 양자 ... 의 녹색 LED와 함께 지금까지 정보·통신기기를 비롯한 전자 장치의 표시·화상용 광원으로 이용되어 왔다. 90년대 중반 이후, 질화갈륨 (GaN) 청색 LED가 개발되면서 LED ... 유기금속 화학 기상 증착법 (metalorganic chemical vapor depoon, MOCVD)을 사용하여 성장한다. GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.29 | 수정일 2025.01.21
  • Diode_기초와 설계자료
    %EB%A5%A8&action=edit&redlink=1" \o "질화 갈륨 (아직 생성되지 않음)" 질화 갈륨 (GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) - (오랜지색, 노란색)
    리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.27
  • 컴퓨터를 이용한 계측실험1
    (InGaN)/질화 갈륨(GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) - (오랜지색, 노란색)녹색, 파란색, 보라색, 자외선? 인화 갈륨 (GaP) - 빨간색, 노란색, 녹색? 셀렌화 아연
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.24
  • 기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험7. 발광 다이오드 및 제너 다이오드 예비보고서.
    , 빨간색- 갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오랜지색, 노란색- 인듐질화 갈륨 (InGaN)/질화 갈륨(GaN)/알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) - (오랜지색, 노란색)녹색
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30
  • LED (발광다이오드)
    , AlGaN, AlInGaN 등) 및 저 결함 GaN기판성장 기술과 QD(양자점)형성 및 도핑 기술(GaN), Chip Design및Package 기술로서 양자 효율 증대와 내열 ... 다.1990년대 초, 일본 니치아 화학이 상업성을 갖춘 청색 발광소자(GaN계)은세계 최초로 개발함으로써 LED에서 빛의 삼원색을 만족시켰고, 청색 LED 및 백색 LED에 대해 ... 해서 발광하는 방식이다. GaN계 화합물 반도체의 UV LED 실용화로 백색 LED는 1996년부터 상용화되고 있다. 즉, 청색 LED에서 황색발광 형광체를 여기 하는 방식과 자색
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.30
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2025년 10월 14일 화요일
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