"반도체공정"의 검색결과 입니다.

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"반도체공정" 검색결과 561-580 / 13,110건

[반도체공정] MASK 제작

마스크 제작 1. Mask(reticle)의 구조 2. Mask 제작 (1) Blank Mask Quartz위에 1000?정도의 chrome층이 형성되어 있으며, 그 위에 resist가 coating 된다. 이때 resist coating thickness unifor..

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.29 | 수정일 2025.01.24

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[반도체공정] 표면연마

을 거울같은 반사표면으로 만들어 주는 것을 의미한다.이전 공정에서 CHEMICAL로 ETCHING된 WAFER의 표면은 경면 연마 공정에서 평탄하고 DAMAGE가 없는 경면

리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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반도체의 원리,제조공정,특성과기능,사용범위

전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질=? 반도체의 제조공정단결정 성장 :고순도로 정제된 실리콘용 융액에 SPEED ... ? 반도체의 원리일반적으로 전기전도도가 도체와 부도체의 중간정도 되는 물질을 반도체라고 한다. 그래서 반도체를라고 하는 것이다.사실 순수한 반도체는 부도체나 마찬가지다.즉, 전기 ... 가 흐르는 것이다. 그러나 도체가 전기는 잘 통하지만 사람이 조절하기 어려운 반면에 반도체는 사람이 어떻게 조작하느냐에 따라 조절이 용이하다는 특징이 있다.이처럼 도체와 부도체

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.20

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[반도체] 반도체 제조 공정

며 전기저항이 작아 지는데 , 이것이 바로 광전효과다.셋째, 반도체에 미량의 불순물을 첨가하면 반도체는 그 불순물의 종류와 농도에 따라 전류의 흐름을 변화시킨다. 반도체 제조공정 ... 1. 반도체(半導體)의 정의전기전도(電氣傳導)가 전자와 정공(hole)에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗)이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을 취하 ... 는 것. 일반적으로 실온(室溫)에서 10-1 ∼ 1012 [Ω ·m]혹은 10^-4 ∼10^4 (Ω·m)라고 하는 경우도 있다. 대략 이 정도의 비저항을 가지나 반도체의 비저항 범위

리포트 | 71페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.06.03

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반도체 공정 기술-lift off

그림 1(a) etching(감법) 과(b) lift-off(첨가) 방법의 비교Lift-off공정이란 반도체 공정중 Etching(식각) 공정중에 일반적인 etching을 사용 ... 2(a) 바이폴라(b) MOS 소자에서 실리사이드접촉의 사용을 보여주는 소자 단면도이 공정기술은 가장 간단한 패턴 형성 공정 기술이며 융점이 낮은 금속등의 패터닝을 형성할 때 적용 ... 가능하다. 또한 이 공정에 의한 금속막의 형성은 그 금속이 습식이나 건식방법에 의해 식각되기 어려운 경우에 주로 이용되는데, 1960년대에 전자선 리소그라피의 출현과 더불어 개발

리포트 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.01.10 | 수정일 2017.03.21

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디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정11

..??연마제에 의한 화학반응효과, 연마장치의 압력/회전에 의한 기계적 효과를 결합하여 Wafer 표면을 평탄화하는 공정이다.4. CMP의 필요성..??최근 반도체 소자의 회로선폭이 미세 ... 화 됨으로써 충분한 패턴 정밀도를 얻기위해 25um 이하의 최신 반도체 제조공정에 필수적이다.5. CMP 공정의 역할..?A. STI CMP Process: 소자와 소자사이의 절연 ... 층 형성을 위한 평탄화 공정B. PMD CMP Process: 소자와 금속 라인 사이의 절연층 형성을 위한 평탄화 공정C. IMD CMP Process: 금속라인과 금속라인 사이

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정14

가 높은 SC2용액을 사용하게 된다.2. 인산세정에 대해 설명하시오.인산은 질화막을 식각하는데 사용.150°C 고온에서 공정되는데 인산용액의 경우에는 농도가 올라가면 질화막 식각 ... 한 형상물의 세정이나 깨지기쉬운 물체에 손상없이 세정하는 방법이다.에칭공정후 발생하는 파티클 제거, 웨이퍼 표면 오염물질 제거, 오염된 장비 세척시 사용됨.6. 아래 건조기에 대해

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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[반도체공정] 금속배선

1. COPPER DEPOSITION일반적으로 반도체에서 사용되는 전극재료로는 알루미늄, 금, 텅스텐이 있습니다. 하지만 주로 쓰여온 재료는 구리입니다. 구리는 알루미늄보다 40 ... 고 알루미늄을 썼을까요?..구리는 오랫동안 반도체에는 좋지 않은 것을 생각되어져 왔습니다. 왜냐하면 구리가 실로콘으로 확산되어 들어가 실리콘의 전기적 특성을 변화시켜 결국에는 트랜지스터

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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반도체 제조공정 및 용어

반도체 제조공정입니다.그림을넣어 알기 쉬우실겁니다.

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.02

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디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정4

1. Implant란 무엇인지 간단히 서술하시오순수한 반도체는 그 자체가 부도체에 가까운데 여기에 도핑, 즉 불순물을 주입함으로써 전기적 특성을 결정할 수 있다 이 불순물을 주입 ... 에 사용되는 불순물을 말한다4. 이온 주입 공정의 장점1) 단위 이온 주입량의 조절이 용이하다2) 수평적 확산이 적다3) 상온에서 공정이 가능5. 이온 주입 공정의 단점1) 장비 ... ) High Energy Implanter7. 이온 주입 장비를 크게 3부분으로 나누시오Source, Beamline, Endstation8. Implant 공정의 응용부분을 간단히 서술

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정1

4)EPI 공정 2. 평가 방법diffusion의 정의 및 종류Diffusion(확산) 한 물질이 어떤 다른 물질 속으로 퍼져나가는현상. (반도체 공정에서는 기체, 액체가 아닌 ... 공정2) Nitride(질화막) : 질화막은 전기적 절연성 및 Passivation기능이 우수하고 유전율이 높다. ① 용도 - Passivation : 반도체 소자의 표면이나 접합 ... 조 원 이근형, 민병철, 배정훈, 김용해 발표자 김용해Diffusion 공정목 차1. Diffusion의 정의 및 종류 1)산화 공정 2)확산 공정 3)L P - C V D 공정

리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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반도체 공정실험

면 이해하기가 쉬울 것이다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD: Plasma ... /100.php?srchmode=0&id=70382&adflag=13. 반도체의 공정 종류 및 간단한 정의(1)모래에서 회로까지의 실리콘 제조공정실리콘은 지구상의 가장 풍부한 원소중 ... 의 하나이다. 모래의 실리콘은 결국 반도체 소자나 회로가 되는 것이다. 제조공정을 크게 나누면 네가지로 다음과 같다.①고순도 polysilicon 제조공정②웨이퍼 제조과정③웨이퍼 공정

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.09

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[반도체공정]진공펌프의 종류와 원리

) 5) 전기적 특성이 있다. (반도체, 브라운관, 진공관 등)진공상태의 용도진공이란?라틴어의 `Vacua`에서 유래 실제로 진공은 단지 부분적으로 비어 있는 공간을 의미  대기압 ... 저진공진공펌프의 기종적용되는 공정진공도 범위진공영역Mechanical vaccum pumpsMechanical PumpMechanical pumpsfig1. Drag Pumpfig

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.09

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반도체공정(CVD)

< IC Technology & Fabrication >소속 : 재료공학부학번 : 1996013900이름 : 최 류 탄1999년도에 제작된 반도체 CVD공정에 관한 수업내용이 ... 기 때문에 나노기술이 적용되고 있는 오늘날의 반도체공정과는 다소 거리감이 있다고 생각했지만 3학년 전공수업시간에 배운 반도체물성을 다시 한번 정리할 수 있었다는 점에서 이번 전공 ... formation technique: thermal oxidation evaporation 에 대한 공정과정 설명2. materials deposited by CVD* silicon

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

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디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정8

이 있어야 한다. 반도체와 금속 접촉부들의 접촉 저항이 작아야한다. 3.증착: 상당히 낮은 온도의 공정에서 단일 구조와 구성이 쉽세 증착되어야 한다. 4.패터닝/평탄화 :밑에있 ... 들의 종류를 쓰시오 답: 알루미늄 알루미늄-구리 합금 구리 장벽 금속 실리 사이드 금속플러그문제 4번알루미늄(aluminum)의특징을 쓰시오. 답: 반도체 제조공정에서의 최초의 상호연결 ... 와 금속 사이에 양호한 부착 전자이동으로 인한 저항 얇고 고온일때 안정성 부식과 산화에 대한 저항력문제 8번증발법(evaporation)에대해 설명하시오 답: 반도체 제조공정 초기

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20

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[반도체제조공정] 반도체 제조공정

I. 序論80년대 중반부터 일관 공정 생산을 본격화한 한국 반도체산업은 출범 십 년도 안 되는 90년대 초반부터 이미 미국, 일본에 이은 세계 제 3위의 반도체 산업대국을 이룩 ... 을 기록하는 등 외형은 물론 질적인 면에서도 일본을 앞서는 세계시장 선도자로서의 위상을 굳건히 하고 있다.< 한국 반도체 산업동향(일관공정 생산기준) >{85年⇒90年⇒95年⇒99年1 ... 다. 아울러 반도체 사업장이 사용하는 전력은 정전압이 유지되는 고품질의 것(정 전압 유지가 되지 않으면 생산공정에 들어 있는 모든 칩이 불량품화/영점 몇 초간의 Damage로도 수십

리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.11

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[반도체공정] 반도체packaging공정

..PAGE:1반도체 Packaging 공정..PAGE:2반도체 공정모레로부터 고순도 단결정 실리콘웨이퍼를 만들어내는 과정웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 ... 적 충격에서 보호완성된 집적회로 패키지를 인쇄회로 기판에 장착시키는 조립공정패키징(Packaging)이란…..PAGE:4Packaging 제조 공정1. Die Preparation2 ... . Wafer Sawing3. Die Attach5. Molding4. Interconnection6. Marking..PAGE:5Packaging 제조 공정7. Triming8

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.07

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반도체 제조 공정

1. 단결정 성장 방법단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정입니다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉 ... 의 공정 기술에 한계를 가져와 선택적 박막 증착법과 같은 새로은 공정 기술의 개발을 요구하고 있다. 이중 선택적 단결정막 성장 기술은 최근 다양한 novel Si device 구조 ... 에 응용 가능성이 시사되면서 크게 주목받고 있다. 선택적 단결정막 성장을 공정에 안정적으로 적용하기 위해서는 단결정막 성장 과정에서 절연층 표면에 핵의 형성을 억제해야 하며 그 과정

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.19

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[반도체] 반도체 제조 공정에서의 CMP

반도체 제조 공정에서의 CMP(Chemical Mechanical Plnarization)1. 서론CMP란 Chemical Mechanical Planarization 이라 하 ... 여 이름그대로 화학적 기계적 평탄화 공정으로 최신 반도체 제조공정이다. 현재의 반도체 제조공정은 웨이퍼의 크기가 300mm로 대직경화 되는 추세이고 디바이스 제조에서 요구되는 최소 ... PARTICLE로 부터 PAD와 MECHANICAL적으로 평탄화 공정이 일어나게 된다. CMP는 IBM에서 개발되었고, 유명한 INTEL, MOTOLORA, IT등 여러 유명 반도체

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.12

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반도체공정

는 photoresist라 불리는 빛에 민감한 polymer로 wafer를 코팅하는 공정이다. Polyisoprene는 일반적으로 사용되는 photoactive agent의 예이 ... 의 nnealing이 종종 요구되어진다.{-Etching-Photolithography 단계 이후에 즉시 오는 공정은 photoresist에 의해서 unprotect되는 영역 ... 으로부터 물질을 제거하는 것이다. 이 공정은 selective이고, anisotropic이어야 한다. 즉 단지 한 방향으로만 etch되어야 한다. 두 종류의 etching 공정이 실제로

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.03.31

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