"박막 트랜지스터"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

OLED 반도체 tft gist 신소재 박막 트랜지스터 포스텍 대학원 박막 배터리 IGZO

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"박막 트랜지스터" 검색결과 561-580 / 994건

그래핀을 활용한 어플리케이션

트랜지스터를 활용한 유기 박막 트랜지스터3. 결론4. 참고문헌서론그래핀(Graphene)이란 탄소원자가 벌집모양의 육각형의 결자를 가진 탄소의 2차원적인 동소체를 의미한다. 그래핀 ... 모델막을 개발해야한다.따라서 이제는 그래핀 같은 유기소재를 이용한 박막 트랜지스터가 개발되어야만 한다. 그래핀에 있는 탄소원자들은 평면상에서 세밀하게 결합되어 barrier 특성 ... 를 만들 수 있을 것으로 기대된다. 이렇게 친환경적으로 제조된 그래핀을 이용하여 얇은 박막 트랜지스터를 제조하면 In을 대체하여 양산 가능한 트랜지스터를 이론적으로 개발 가능한 지

논문 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.07.08

다운로드 장바구니
sams (Self-Assembled Monolayers )

된 T 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다.[참고]TFT(박막 트랜지스터)액정화면을 표현하는 한 가지 방식. 기판 위에 진공증착 등의 방법 ... 으로 형성된 박막을 이용하여 만들어진 트랜지스터. 제작을 위해서는 반도체와 절연체, 그리고 금속의 박막을 차례로 증착하여 만든다.Soft lithography PDMS[Soft ... 하여 기판에 전사하는 것으로서 pattern된 고분자 박막은 다음의 세 가지 정도의 용도로 사용될 수 있다. Ⅰ. 건식 식각(드라이 에칭(Dry etching) : 미세 가공시 웨트

리포트 | 59페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

다운로드 장바구니
메모리소자 : 작동원리와 장단점

기억장치 이다. 플립플롭을 기본 소자로 한다. 전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남아 있는 메모리로서 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개 ... 의 트랜지스터로 구성되어 있다. DRAM에 비해 집적도가 1/4정도이지만 소비전력이 적고 처리속도가 빠르기 때문에 컴퓨터의 캐쉬(CACHE), 전자오락기등에 많이 사용 ... 한 EEPROM뜻이다. EEPROM에서 선택 트랜지스터를 제거하여 집적도가 높게 제조할 수 있도록 한 것인데 선택 트랜지스터가 없으므로 지우기 동작시에 여러 개의 메모리 셀을 블록 혹은

리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.05.27

다운로드 장바구니
산화물반도체,Oxide Semiconductor

물반도체를 이용한 능동형 OLED구현우선 투명한 구동소자로서 산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터(thin film transistor)를 이용한 능동형 OLED의 개발이 활발 ... 하게 투명화소 부분(그림 1(c)의 예 참조) 에서는, 우선 양극(anode) 재료로 가장 널리 사용되는 ITO의 경우 150 nm 두께박막의 경우 가시광에서 90% 정도의 투과율 ... 을 나타내고 자외선을 흡수하며, 고온 증착의 magnetron-sputtered 박막의 경우 최대 5O hm/square의 저저항 박막 형성이 가능하지만 저온증착의 경우 저항이 증가

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

다운로드 장바구니
JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션

Effect Transistor)의 분류?MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)금속 산화 반도체 전기장 효과 트랜지스터- 증가형 MOSFET ... 역할?벌크 or 기판 (Bulk or Substrate) : FET의 몸체 역할FET란 전계효과트랜지스터(Field effect transistor)를 가르키는 말인데 FET는 일반 ... 적인 접합트랜지스터와 외관은 거의 유사하지만 내부구조와 동작원리는 전혀 다른 것입니다. FET는 각종 고급 전자기계와 측정장비, 자동제어회로 등에 이용되고 있습니다.이와 같

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12

다운로드 장바구니
양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용

의 Heteroepitaxial film을 성장시켜서 그 접합면을 전자가 고속 이동하는 성질을 이용한 초고속 트랜지스터.4. HEMT 구조에서 저런 헤테로 박막을 사용하는 이유전자의 움직임이 2차원 ... film.특징□ 기판과는 다른 재료이기 때문에 구성원자, 결정구조, 격자상수가 다르다.□ 성장할 때 박막으로 올라가는 구조의 격자상수가 기판과는 다르기 때문에 strain에의해 조절 ... 에 사용□ HEMT (High Electron Mobility Transistor)1. 높은 전자 이동도를 특징으로 하는 고속 동작에 적합한 트랜지스터.2. 슈퍼컴퓨터의 고속 논리

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02

다운로드 장바구니
지식정보화사회 완벽정리

및 나노 소자에 적용가능한 다양한 신소재 관련기술- 나노 에칭기술 : 나노미터 크기의 미세패턴 형성에 적용되는 손상을 최소화하는 식각기술- 나노 박막기술 : 나노미터 두께의 박막 ... 다양한 공정기술반도체 나노 소자기술- SOI MOSFET : SOI를 기판으로 이용한 나노급 트랜지스터 기술

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.19

다운로드 장바구니
차세대 메모리

-RAM)소자의 구조는 단순한 편이며, DRAM과 비슷한 메모리소자와 트랜지스터의 조합으로 구성된다. 칼코게나이드(GST) 박막은 고진공 하에서 화학기상증착(CVD ... 유전체 박막을 기존의 MOSFET의 게이트 위에 형성해야 하는데 이 막의 균일한 형성이 힘듦. 셀당 1개의 MOSFET 게이트를 사용하는 DRAM과 달리 2개의 MOSFET 게이트 ... 를 사용해서 집적도가 떨어지는 문제. 기술개발 현재 삼성전자, 토시바, 히타치 등 비휘발성 메모리 분야의 선두 업체에서는 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT박막) 등을 이용하여 FRAM

리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

다운로드 장바구니
키코, kiko, 사태의 정의와 예

엔지니어링을 설립하였고 1999년 지금의 상호로 변경하였으며 1999년 코스닥에 상장하였습니다. 주요 사업은 반도체 장비의 수입, 제조, 설치 및 유지 보수 사업, 박막 트랜지스터 액정

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.15

다운로드 장바구니
나노전자소자 및 이 기술과 관련된 특허분석

배씩 트랜지스터 집적도가 증가되어 왔으며, 십년마다 1000배씩 성능향상을 이루었음.?- 이러한 추세가 계속된다면 2008년 70㎚급의 64G DRAM, 2014년에는 게이트 길 ... 이 35㎚의 1Tera DRAM이 개발될 것으로 전방된?- 트랜지스터의 게이트 길이가 70㎚ 이하로 줄어들면 전자 숫자의 불균일에 따른 오작동, 배선 길이가 길어지고 선폭이 좁아짐 ... 트랜지스터 개발이 불가능- 이를 극복하기 위해서는 현존하는 기술과는 전혀 다른 현상 및 원리에 기초한 새로운 공정에 의한 소자 개발이 필수적이며, 이것이 나노기술에 근간한 나노 전자

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.05

다운로드 장바구니
SRAM, DRAM EEPROM, PRAM등 다양한 메모리 소자

의 주소에 해당하는 횡렬(row)인 R에 연결된fig.3 SRAM의 기본구조패스 트랜지스터를 on 시켜 해당 정보의 값을 종렬(column)선에 입력하면 된다. 이에 따라 셀의 빗장 ... 구조의 회로가 SET혹은 RESET의 특성을 나타내게 된다.셀의 수에 비례하는 소모전력을 줄이는 방안으로 저항을 줄이고 p-MOS 트랜지스터를 이용하여 CMOS 인버터가 서로 맞물린 ... 구조, 즉 6개의 트랜지스터로 회로를 구성하는 방법이 있다. CMOS를 이용한 SRAM 셀은 대기상태에서는 전류가 흐르지 않고, 구동상태에서만 전류가 흐르므로 전력소모는 대단히

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.08

다운로드 장바구니
노광공정 및 식각공정

노광공정 및 식각공정목 차전통적인 리소그래피 전통적인 리소그래피 – 트랜지스터 식각의 의미 식각의 종류 - 습식 식각 - 건식 식각전통적인 리소그래피1. 리소그래피 ... 리소그래피 - 트랜지스터1. 적층 성장(Epitaxy) 화학 기상 증착법을 이용해 순도가 매우 높은 실리콘 결정층을 웨이퍼 위에 성장시키는 것 웨이퍼 두께의 약 3% 그림에서 짙은 색깔 ... 부분이 적층 성장된 층임. 트랜지스터, 집적회로와 같은 반도체 제작을 위해 오염물질이 없는 기판 역할전통적인 리소그래피 - 트랜지스터2. 산화와 노광 (Oxidation

리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.05.09

다운로드 장바구니
TFT-LCD 제작공정

(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를배열하여 제작하는 공정이다.Wafer 대신에 유리를 사용 ... : 박막 트랜지스터) 기술로 만들어진 디스플레이 화면은 노트북이나 랩탑 컴퓨터에 보편적으로 사용되는 액정화면으로서, 각 픽셀마다 하나씩 트랜지스터를 가지고 있다. 각 픽셀 ... 를 말한다. CRT에 비해 시인성이 우수하고, 평균소비전력은 같은 화면 크기 의 CRT에 비하면 30-40%정도이며, 발열량도 작다.박막 Transistor가 형성되어 있는 하부유리

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.01

다운로드 장바구니
반도체 제작 공정 Team Project

- 연마 가공(Polishing) 로 나눈다.4. 회로 설계전자회로에 사용되는 소자는 저항이나 커패시터(capacitor)와 같이 수동소자 및 다이오드(diode)나 트랜지스터 ... 다. 즉, 투명한 석영 기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1～5배로 식각해 놓은 제품을 말한다.6. 산화 공정고온(800~1200

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.27

다운로드 장바구니
금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

에 대한 전개가 시도되고 있는 한편 고집적화된 LSI와 파워트랜지스터 등의 기판으로도 용도 확대되고 있다.직접질화법금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응 ... 시킴분말합성법열탄소환원질화법알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시킴박막합성법(화학증착법)· 직접 질화법과 열탄소환원질화법 비교 : 열탄소환원질화법보다 질화반응 온도

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

다운로드 장바구니
태양광발전 태양전지에 대하여

의 종류- 단결정형 - 다결정형- 박막형 - 비정질형 (비결정형)- 다중접합 태양전지 셀 - 집중형 태양전지 셀- 실리콘 구 - 광전화학 셀- 제 3세대 태양전지 셀7. 실리콘 태양전지 ... 전지를 최 초 개발. (효율은 1%미만)-> 1948년 벨(Bell) 연구소의 Bardeen Brattain은 반도체를 이용한 트랜지스터 발견.트랜지스터 : 초고순도 실리콘 결정

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.28

다운로드 장바구니
OTFT발표자료

Penatacene TFT”, 2002. [3] 조 길 원 , 김 도 환 , “ 계 면 공학을 이용한 고성능 유기박막 트랜지스터 ” NICE, 제 22 권 제 6 호 , 2004

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.15

다운로드 장바구니
플렉시블 디스플레이에 관한 총체적조사(Flexsible display)

를 시각적으로 보여 주는 모든 장치를 말한다.요즘 각광을 받고 있는 박막트랜지스터 액정디스플레이(TFT-LCD)는 얇은 막 형태의 트랜지스터(TFT)에서 전기신호를 보내면 액정이 움직여 ... 스틱’을 이용한다. OLED는 박막트랜지스터에서 전기신호를 받으면 내부의 전자가 이동하면서 빛을 내는 장치다. 1987년 미국 이스트코닥이 처음 개발했으며, 바깥에 유리기판 ... , 아니면 전자종이든 모두 빛의 밝기와 색소의 작용을 조절하는 전기스위치 격의 박막트랜지스터가 필수적이다. 현재 박막트랜지스터는 모두 반도체로 만든다. 이를 유기물로 대체하려는 연구

리포트 | 32페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.24

다운로드 장바구니
graphene(그래핀)의 특성과 응용

로 예으로써 투명 전도성 필름을 제작할 수 있다는 것이 보고가 되고 있다. 이와 같은 투명한 박막 필름은 태양전지 또는 전자 종이, 투명전자 소자, 플렉시블 소자에 이용이 될 수 있 ... 트랜지스터 연구는 Graphene의 응용 가능성을 보여 주는 한 예라고 할 수 있다. 반면, 디지털 회로에 사용 되는 로직 반도체 소자로 활용되기 위해서는 상온에서 동작하기에 적절

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.20

다운로드 장바구니
전력전자 레포트 [트랜지스터(Transistoe),MOSFET]

09. 04. 15전력전자 REPORT (Transistor & Mosfet의 원리와 특징)1. Transistor(1)정의트랜지스터는 1947년 미국 벨연구소의 윌리엄 쇼클리 ... (Wiliam Shockley), 존 바딘(John Bardeen), 월터 브래튼(Walter Brattain)에 의해 처음 발명되었다. 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터 ... (Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전기장 효과를 이용한 전기장 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)가 있다.트랜지스터

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.23 | 수정일 2016.08.27

다운로드 장바구니

이전10개 24 25 26 27 282930 31 32 33 다음10개

파워링크

신청하기