"박막 트랜지스터"의 검색결과 입니다.

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"박막 트랜지스터" 검색결과 621-640 / 994건

결정 성장 기술

에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다. 특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전 ... 형태진공 속에서 다양한 결정의 구성 원소가 함유된 셀을 가열하여 나오는 증기를 분자선 형태로 방출시키고, 적당한 거리를 두고 설치된 기판 위에 반도체 단결정 박막을 형성하는 방법이 ... 다. MBE는 크기가 균일하고 우수한 광학 특성을 갖고 있어, 나노 트랜지스터나 나노 레이저, 메모리 등 나노 소자 제작에 필요한 나노 와이어의 핵심 기술이다. 성장 속도는 느리

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.06

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나노기술 국내동향 및 나노선 응용분야

트랜지스터 같은 역할을 하게 되어, 1평방 센티미터 크기의 공간에 1조개의 소자를 집적할 수 있다. 이 정도면 1250만권의 장서를 보유하고 있는 미국 의회도서관에 실린 책의 모든 ... : 나노촉매, 나노박막, 미세분리기술, 나노탄소물질 등벌크재료 : 자성재료, 고탄성재료, 저마찰제, 복합재료 등의 물성 향상2. 나노소자나노소재 및 구조를 이용한 나노기능소자초고밀도

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.01

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DISPLAY의 역사 CRT에서부터 LED 까지--디스플레이의 역사

ReinitzeRCA사가 LCD를응용하였으며, 1973년 미국의 RCA사가 전자시계에 응용한 후 1986년 점차 구동 속도가 빠른 STN형액정이 개발되고 그 후 박막트랜지스터를 이용한 TFT형 ... 에 이르고 있다.』LCD 디스플레이는 자체가 가지고 있는 특징인 경량성, 박막성 때문에 광범위한 전자기기에 사용되고 있다. 현대인의 필수품 이라 할 수 있는 휴대폰부터 시작

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.26

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Flexible Display

를 집적시킴 -전기적 특성이 비정질 보다 우수(100배 이상) →구동회로를 내장, 별도의 Driver IC장착 없음.3. 스위칭 소자 및 기판기술유기 박막 트랜지스터 기술 (OTFT

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.17

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[공학]IC (integrated circuit) ic칩의 제조공정과 현재와 미래의 반도체 기술(1)

기판 위에 박막 또는 후막의 형태로 여러 개의 회로소자(주로 수동회로소자)를 형성하고, 이들 소자 사이를 막으로 접속시켜 회로를 이루게 한 것이다. 때로는 박막 트랜지스터(기판 위 ... 에 진공증착 등의 방법으로 형성된 박막을 이용하여 만들어진 트랜지스터)와 같은 능동소자(能動素子: 전기에너지를 발생할 수 있는 능력을 갖추고 있다고 생각되는 전기회로의 구성요소 ... 렵, 이런 꿈 같은 세상이 다가올 것임을 예고하는 상징적인 사건이 일어났다. 반도체기술의 시작을 알리는 트랜지스터가 세상에 처음 등장한 것이다. 훗날 공동 개발자인 윌리엄 쇼클리

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.03.11

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MRAM 박막공학

). RAM의 향후 전망◎ 참고문헌1. 현재 메모리 사용 현황 및 문제점? 1947년도 Ge을 기초로 한 트랜지스터가 개발된 이래 현재까지 반도체는 우리 생활에 없어서는 안 되는 존재 ... ’이라고 부른다.▲ 기존 DRAM(왼쪽)과 MRAM(오른쪽)의 데이터 전송 방식의 차이▲ 현재의 메모리와 미래의 메모리2. M-RAM 기술(1) M-RAM이란?? MRAM이란 MR박막재료 ... 는 상용화되고 있다.MR박막재료는 MR현상이 나타나는 재료 및 메카니즘에 따라 AMR, GMR, TMR, CMR 등으로 분류되며, 특히 GMR 및 TMR 박막재료는 실용화에 가장 근접

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08

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반도체의 역사와 정리

ShoclcleyPearson과 함께 박막형 반도체에서 반도체 표면의 전하량을 조절하여 전기전도도를 변화시키는 증폭소자인 MOS 트랜지스터의 구조에 대하여 연구하였고, 또 1952년에는 다수 ... 학nfeld의 구조를 실제로 구현하기에 더 편한 평면형의 조절 전극을 제안하고 영국에 특허 등록하였다. " 그 구조가 오늘날의 전계효과 트랜지스터의 효시이다. 소수캐리어와 다수 ... . Brattain도 point-contact에 의한 바이폴라 트랜지스터를 발표하였으며", 이들 세 명 노벨상 수상자의 연구가오늘날까지 쓰이는 트랜지스터의 기초를 이룬다. 한편

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.15

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그라비어오프셋과 디스플레이

도특허투명전극의 그라비어 옵셋 방법패턴화된 레지스트 층을 인쇄하기 위한 조성물 및 인쇄방법디바이스 제조 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터 제조 장치패턴형성장치및 ... MODULEMODULE+MODULESMDBULK반도체설계기술, 고주파 시스템 설계기술박막공정,적층공정,고주파부붚소개, 시스템 부합설계,패키지기술박말공정,적층공정,고주파부품 소개성형미세조정그라비어

리포트 | 35페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.03.14

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TFT 제작실험

의 증착방법으로 트랜지스터를 형성하는 것1. IntroductionReferencesCONTENTSExperimental ResultsExperiment ProcessA-Si TFT ... - 가시광에 노출 시 특성이 매우 불안정1-2. A-Si TFT (Amorphous Silicon Thin Film Transistor) - 비정질 실리콘 박막을 활성층으로 사용 ... ) 단결정에 비해 전자 이동도가 떨어짐1-3. Poly-Si TFT (Poly Silicon Thin Film Transistor) - 다결정 실리콘 박막을 활성층으로 사용

리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.08

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[공학]MRAM

배 이상 빠른 속도를 내는 초고속 메모리다.실리콘으로 만들어진 트랜지스터는 갈수록 크기가 작아져 이제는 하나의 칩에 1억 개가 넘는 트랜지스터를 집적할 정도가 되었다. 칩의 성능 ... 은 얼마나 많은 트랜지스터를 집적하느냐에 달렸다고 해도 과언이 아니다. 그러나 이제 칩과 칩 사이의 통신 속도는 한계에 도달했다. MRAM은 이 같은 문제를 해결하기 위해 칩과 칩 ... 사이를 배선이 아닌 전기장으로 연결한다. 트랜지스터에 전하의 움직임이 나타나면 칩 주변에는 전기장이 형성된다. 전기장은 근접한 다른 칩에 같은 수치를 부여한다. +전하가 1,

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.24

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생산운영관리 - TFT LCD 모니터의 소비자에게 주는 가치와 생산공정, 결함적 요소에 대한 대안

요소 중 출력장치의 하나인 모니터로, 모니터의 분류 중에서도 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 박막 트랜지스터 액정 ... 보드, 본체와 콘센트에 연결하는 전선 및 플러그 등으로 구성되어 있다. (TFT)LCD모니터의 제조과정)은 다음과 같다.1. TFT(Thin Film Transistor, 박막 ... 트랜지스터) 공정기본적인 전극을 형성하는 공정이다. 가장 기본이 되면서도 핵심적인 공정으로 게이트 전극 생성, 절연막 및 반도체막 형성, 데이터 전극 생성, 보호막 생성, 화소 전극

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24

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[액정][액정디스플레이][LCD][액정 정의][액정 발견][액정 응용][액정디스플레이(LCD) 동작원리][액정 미래]액정의 정의, 액정의 발견, 액정의 응용, 액정디스플레이(LCD)의 동작원리, 액정의 미래 심층 분석

은 화소 하나에 얇은 박막 트랜지스터 또는 얇은 박막 다이오드와 같은 스위칭 소자를 마련함으로써 각 화소를 독립적으로 구동 시키는 것이다. 1979년에 발표된 어모퍼스 Si TFT

리포트 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.27

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Epitaxy

EpitaxyEpitaxy Process소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장시키는 것이다. 이 과정에서 기판은 그 ... 에 n형 주입층이 확산에 의해 만들어지고, 그 고저항(高低抗)의 n형층이 에피택시에 의해 만들어지며, 이어서 이 n형층 안에 저항·다이오드·트랜지스터가 만들어져 자리잡게 된다 ... 를 갖다. 아마도 기존의 박막 형성 방법과 너무 다르고 응용 분야가 특수하게 보였기 때문이었을 것이다. 그러나 이 기술을 사용하여 핀란드의 Lohja사가 ZnS:Mn을 사용하여 미국

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.01

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신소재개론 기말

transistor: 박막 트랜지스터)이 기술로 만들어진 디스플레이 화면은 노트북이나 랩탑 컴퓨터에 보편적으로 사용되는 액정화면으로서, 각 픽셀마다 하나씩 트랜지스터를 가지고 있다. 각 픽셀 ... 마다 트랜지스터를 가지고 있다는 것은, 픽셀에 빛이 나게 하는데 보다 적은 전류를 소모하며, 매우 빠르게 끄고 켤 수 있다는 것을 의미한다.Color TFT-LCD의 구조=> Col

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.29

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Semiconductor/OP-amp 실험보고서

으로 구성되고 있는 FET로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작한다．ＭOS형 FET : 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 FET로 상당히 높은 입력 임피던스 ... 목 차1. 다이오드 실험1) 실험결과 및 고찰2) 작동원리 및 종류3) 정전압 다이오드의 원리와 특징2. 트랜지스터 실험1) 트랜지스터 종류2) 트랜지스터의 원리 및 특성3 ... 특성을 응용.7. 발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용.8. 수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용.9. 배리스터 다이오드: 트랜지스터

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.18

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화합물 반도체

족과 같은 반도체 결정이 될 것이라고 지적하였으며, 실제로 반도체 성질이 있다는 사실을 알게 된 것은 독일 지멘스회사 H. 벨커가 트랜지스터 재료의 게르마늄을 대체할 목적 ... 이용하고 있다Fig.1 화합물 반도체 응용분야게다가 화합물 반도체는 서로 다른 반도체박막을 접합시킨 이종접합구조로 특수한 기능을 지닌 소자를 만들어낼 수 있습니다. 예컨대 실리콘 ... 게르마늄(SiGe) 이종접합 바이폴라 트랜지스터는 1~10GHz대에서 무선통신용 단말기에 적용하기 시작하였고, SiGe 트랜지스터는 IMT-2000과 10Gbps급 광통신시스템에 계속

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06

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포토마스크 제조공정 및 재료와 제조설비

mask가 완성된다.(3)재료1)블랭크마스크블랭크 마스크는 우리나라 주력 수출품목인 반도체 및 TFT-LCD (박막트랜지스터 액 정표시장치), Color-Filter 등을 제조하는데 ... 시 매우 중요한 원재료로 사용되는 포토마스크(Photomask)는 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화한 것입니다.즉, 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용 ... 클마스크(Mask)와 레티클(Reticle)표면을 대기중 분자나 다른 형태의 오염으로부터 보호 해 주는 박막이다 .막은 양극 산화된 알루미늄 프레임에 부착된 후 다시 레티클 위

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.05

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# IC칩의 분류와 특징

을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였다. 이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관(眞空管)과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것이다. 트랜지스터 그 자체 ... 였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관에 대치되었다.- Transistor의 종류트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크 ... 이서는 pnp 트랜지스터나 점 접촉형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.03.26

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박막 재료의 표면처리 및 PR 제거

1. 실험제목 : 박막 재료의 표면처리 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째 ... 로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다.이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이 ... 다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공 정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용

리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.27

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메모리 플래쉬 소자의 제조방법

복수층으로 적층된 구조의 유전막이 형성되어 있다. 유전막의 상부에는 다결정 규소로 이루어진 제어 게이트(control gate)가 형성되어 일반 모스 트랜지스터에서의 게이트 역할 ... 으로 박막을 패터닝하기가 힘들다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 패터닝된 질화막의 측벽에 스페이서를 형성한 다음, 이를 식각 마스크로 이용하는 방법이 사용되고 있다. 이러한 방법

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.18

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