"박막접합"의 검색결과 입니다.

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ALD 태양전지 dssc 반도체 면접 OLED electron acceptor MEMS 금오공대 반도체 화학공학과

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"박막접합" 검색결과 381-400 / 1,076건

[경제&경영학 - 에너지, 소재] 8. 신재생에너지

/ 전력변환장치 필요? 태양전지란?- 태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지- 금속-반도체 접속면 / 반도체 접합부분에 빛을 비추면 광전효과에 의해 광전력 발생 ... - 태양전지에 사용되는 실리콘 - 전기적 성질이 다른 네거티브(negative)형 반도체와 포지티브(positive)형 반도체를 접합시킨 구조를 하고 있음.? 태양광 기술의 역사 ... ? 태양광에너지 관련 기업? 소디프신소재 - 모노실란을 응용한 비정질 태양전지용 물질 개발? 한국철강 - 유리박막 태양전지 장비제조에 311억원 투자 계획? 주성엔지니어링 - 한국

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.13

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전자회로 실험 트렌지스터 컬렉터 특성 실험 예비레포트

는 회로의 경우, NPN 타입 쪽이 사용하기 쉽다.-트랜지스터의 종류 및 특성- NPN 트랜지스터 : 접합의 구성에 의한 종류로 플러스 전원으로 동작한다.２SC×××：고주파용(저주파 ... 용에도 사용할 수 있다)２SD×××：저주파용- PNP 트랜지스터 : 접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작한다.２SA×××：고주파용(저주파용에도 사용할 수 있다)２SB ... ×××：저주파용- 접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 FET로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작한다.- MOS형 FET : 입력 게이트

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.02

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[공업유기화학]태양광 발전용 기판의 특성

하여 빛 에너지를 전기에너지로 변환 시키는 반도체 소자태양전지의 구조 및 원리 광기전력 효과 : 반도체의 p-n 접합부나 정류 작용이 있는 금속과 반도체의 경계 면에 강한 빛 ... ② 단점 - 10% 미만 빛에 의해 효율이 감소하는 광열화 현상 발생실리콘 박막형 태양전지 ① 특성 - 셀에 이용되는 실리콘 기반을 박막화 함으로써 직접 비용 달성으로 이어짐 ... ② 단점 - 박막의 재료 물성제어와 대량생산 system 에 있어 많은 문제점을 내포 ③ 장점 - 흡수계수가 높고 , 안정성이 뛰어남그 외 실리콘 태양전지 PESC

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.12

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ITO Scribing & Cleaning 예비레포트

이 우수한 양극전극으로서의 ITO 특성이 충분히 고려되어야 한다. 유기EL 소자제작공정은 기본적으로 박막이 도포 되는 영역에 기준 하여 진행이 되므로 Plastic 기판 상에서도 적용 ... 이나 ultra sonic처리를 해준 다음 DI water로 세척하고 IR/UV광원을 조사시켜 고온에서 완전히 건조시킨다.ITO의 접합표면전위를 정공수송층의 표면전위에 적합한 수준

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.07.15

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태양전지

Ⅰ. 서론태양전지의 특성과 박막을 이용한 태양전지의 제조 방법과 특성평가를 조사하면서 박막을 하는 여러 가지 방법을 배워보고, 태양전지에 대해서 공부한다.Ⅱ. 본론ⅰ . 이론1 ... . 태양전지 (solar cell, solar battery)태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로서 금속과 반도체의 접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛을 조사 ... (照射)하면 광전효과에 의해 광기전력이 일어나는 것을 이용한 것이다.금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는 셀렌광전지, 아황산구리 광전지가 있고, 반도체 pn접합을 사용한 것

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.17

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전자석을 이용한 공중부양

) 적층 코일의 구조박막코일은 적층 코일이 스크린 인쇄에 따라 권선을 인쇄하는 데 대해 스패터링이나 증착 기술을 사용하여 인쇄보다도 더욱 얇은 금속막으로 코일을 형성한 것이 박막 코일이 ... 다. 반도체 제조 기술의 응용에 의해 소형이며 고정밀도인 코일이 제공되고 있다.(a) 박막 코일의 내부 구조? 자심재질의 의한 분류(a) 규소 강판저주파영역이 우수한 재료이며 50 ... 토라스틱 자석플라스틱 자석은 자석용 원료분말과 수지 등을 혼합해 성형한 자석의 총칭이다. 자석용 원료 분말이나 접합재의 종류, 성형방법 등에 의해서 페라이트계, 네오디움계, 사마륨

리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.10.30

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레이저 다이오드 발표자료입니다.

란?P형과 N형 반도체를 접합한 것 한쪽 방향으로만 전류가 흐름. 정류기(교류직류) 스위치( 전류의 ON/OFF 제어)순방향역방향*1.Laser diode의 기본구조화합물 ... 반도체의 PN접합에 순방향 전류를 흘리면 주입된 n-type의 전자와 p-type의 정공이 재결합하고 반도체의 구성으로 결정되는 밴드 갭 에너지에 대응한 파장의 빛이 발생 * 레이저 ... 사이에 레이저 작용을 하는 박막이 들어있음 활성층에 걸쳐 있는 p→n 으로 전류 를 흘려 펌핑 LD는 30% 정도의 효율성 가지며 활성층에서 높은 광학적 증폭 일어남 한쪽의 빛

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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White LED의 기술개발동향과 전망

기 때문에 LED 용으로 사용하지는 않는다. 에피성장(epitaxy 또는 epitaxial growth)은 기판 위에 LED 구조(p-n 접합구조)를 갖는 박막을 성장하는 방법이 ... (Lighting Emitting Diode)는 반도체 p-n 접합소자로 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주는 발광 반도체이다. 실리콘 반도체와 달리 빛을 낼 수 있는 화합물 반도체 ... 며 구조의 결함, 계면, 도핑 등 박막품질을 제어하는 단계로서 LED 성능을 근본적으로 좌우하는 중요한 단계이다. 에피성장법으로는 대부분 MOCVD(Metal Organic

리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

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oled AM PM 방식 보고서입니다

은 Mg:Ag, Al:Li 또는 LiFAl 등의 복합층을 이용한다.* ITO 박막정공 주입효율을 향상시키기 위해서는 ITO의 저 저항화와 ITO/유기박막 접합계면의 일함수 값 ... 더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력 고정화, 대형화가 가능하다.2. PM & AM 제조공정OLED 소자의 제작을 위한 공정은 순서에 따라 패턴 형성공정, 박막증착 공정, 봉지 ... 수송층과 같은 박막 형성에는 재료의 특성에 따라 일부 CVD를 이용하여 유기물층을 형성하려는 시도도 있으나 대부분 진공증착법을 이용한다.* 발광층발광층을 형성하는 데 있어 대부분

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.12 | 수정일 2019.01.14

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기타 2단자소자, pnpn과 다른 소자들

용으로 이용된다.[02] 버랙터/배리캡 다이오드가변용량 다이오드라고도 하며, 회로 기호는 전압을 역방향으로 가했을 경우에 다이오드가 가지고 있는 캐패시터 용량(접합용량)이 변화 ... 하는 것을 이용하여 전압의 변화에 따라 발진 주파를 변화 시키는 등의 용도에 사용한다. 역방향의 전압을 높이면 접합용량은 작아진다. 즉, 반도체 다이오드에 역전압을 가하면 전극 사이 ... 에 따라 발진주파수를 변화시키는 등 의 용도에 사용한다. 역방향의 전압을 높이면 접합용량은 작아진다. 우측의 그래프는 다이오드의 특성을 나타낸 것이다. 순방향으로 전압을 가했을 경 우

리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.03.21 | 수정일 2020.08.15

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인장시험 데이터 분석

적으로 반도체 재료인 실리콘이 이용되고 , 그 종류에는 단결정 벌크 게이지 , 기판 위에 실리콘을 박막화한 박막 스트레인 게이지 , 확산형의 게이지 , 그리고 p - n 접합 게이지 등 ... 의 저항변화의 비율 - R/∆R 변형량 이라고 하면 다음과 같이 표현된다 . -R/∆R = G∈ ( 금속선 , 박막을 이용한 형태는 일반적으로 G=2) 장점 정도가 높고 온도변화

리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.16

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LED 구조의 제작 및 평가 실험

재료설계 및 평가실험 ⅡCdS:Cu/CdS 동종접합박막 구조를 이용한light-emitting diode (LED) 구조의 제작 및 특성평가1.실험목적이번 실험에서는 II-VI ... (CdS) 박막을 용액성장법을 이용하여 형성하고, 이를 이용한 간단한 발광 소자를 제작하였다. 그리고 이 발광소자의 I-V 측정을 통해 CdS:Cu/CdS p-n 접합 구조 ... 족 화합물 반도체 중에서 현재 다양한 분야에서 널리 응용되고 있는 Cadmium sulfide (CdS) 박막을 용액성장법을 이용하여 형성하고, 이를 이용한 간단한 발광 소자

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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센서

이 우수하여 주목받음.- 구조1. 단결정 재료를 박편화 한다.2. 반절연 재료에 에피택시얼법파 이온 주입법으로서 활성화 영역을 만든다.3. 진공 증착으로서 박막 소자를 제작한 것 ... 의 구조상 분류와 감지 원리란 무엇인가?- 구조1. 광전도형 :반도체의 박막 저항소자로서 빛의입사에 의해 저항 변화가 일어나서 그것을 전압변화로서 신호를 꺼내는 방식2. 광기전형 ... :광전지로 플레이너형의 pn접합 다이오드로서, 빛의 입사에 의해 접합부에 발생하는전자 정공 쌍을 광전류로서 꺼내는 구조로 되어있음.3. 광전자형 :전계와 자계를 동시에 건 경ㄹ우로

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.06

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TR 특성

하는 저항을 통한 신호 변환기(transfer of a signal through a varister 또는 transit resistor)" 로부터 나온 조어이다.트랜지스터는 크게 접합 ... 의 종류 및 특성#트랜지스터 : 접합형의 트랜지스터로「전류」를 증폭하는 작용이 있다.- NPN 트랜지스터 : 접합의 구성에 의한 종류로 플러스 전원으로 동작한다.２SC×××：고주파 ... 용(저주파용에도 사용할 수 있다)２SD×××：저주파용- PNP 트랜지스터 : 접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작한다.２SA×××：고주파용(저주파용에도 사용할 수 있다)２

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.29

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가공시스템 진단 및 모니터링 실험

벌크 게이지, 기판 위에 실리콘을 박막화한 박막 스트레인 게이지, 확산형의 게이지, 그리고 p - n 접합게이지 등이 있다. 많이 사용되는 벌크 게이지는 아래 그림과 같이 p ... 가 필요하다.③ 전기저항선 스트레인 게이지 - ㄱ.일반용 스트레인 게이지(금속선, 금속 박막)금속 저항선은 외력에 의해 신축, 즉 그 단면적과 길이가 변화함으로써 전기저항이 변하

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.10

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[초전도체][초전도체 특성][초전도체와 전기전도][초전도체 성형법][초전도체 응용기술]초전도체의 정의, 초전도체의 특성, 초전도체와 전기전도, 초전도체 성형법, 초전도체 응용기술

. 초전도체의 성형법1. 선재 제작법2. 박막 제작법Ⅵ. 초전도체의 응용기술1. 대규모 응용1) 에너지 관련 응용2) 교통 분야3) 의료 분야4) 기타 분야2. 소규모 응용1 ... 등 두 기업이 국책연구에 참여하고 있다. 그동안 금성중앙연구소에서는 77K에서 작동하는 임계접합형 고온초전도 SQUID를 , 삼성종합기술원에서는 마이크로파 공진기를 개발하였다.최근 ... 하여 몇 개의 연구그룹에서만 고온초전도 연구와 병행하고 있다. 한국표준과학연구원에서는 니오븀 초전도 박막을 이용한 고감도의 dc SQUID 그라디오미터를 개발하였으며, 다채널 심

리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.01

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이플러스 그린홈 사례조사

형, 지붕 차양형, 온실,아트리움, 루바형 등e + green home 적용된 기술그림1) 박막형 BIPV그림2) 아트리움형그림3) 지붕일체형그림4) 루버 형그림5) 기와형1103 ... /24..PAGE:123중 고단열 BIPV시스템내부에서 본 3중 고단열BIPV 시스템외부에서 본 3중 고단열BIPV 시스템e + green home 적용된 기술03- 10mm접합모듈

리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.05.31

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유기태양전지 보고서 래포트 자료.

것들이다.태양전지의 원리전기가 흐르려면 두 가지 조건이 있어야 하는데 첫 번째로 전자가 있어야 하고 둘째로 그것을 움직이게 해야한다.이 조건들을 만족시키기 위해서 다이오드(PN접합 ... )을 사용하는데 이 다이오드 접합은 반도체끼리의 집합으로 여기에 빛을 쏘아주면 전자가 생기게 되며, 이 PN juntion에는 Depletion Region이라는 것이 있어 전기 ... 형 실리콘 반도체층을 형성함으로서 만들어진다. 이 PN접합에 의해 전계가 발생하게 되는 것이다.이 태양전지에 빛이 입사되면 반도체내의 전자(-)와 정공(+)이 해리 되어 반도체

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.26

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FILM CARRIER 와 BUMP 형성기술

을 고밀도로 접합탑재하는 실장기술의 진전도주목해야 한다.LSI 의 실장방법은 PACKAGE 재료의 발전과 함께 변하고 있다. 최근수년의 경향은, LSI CHIP 의 다핀화, 대형 ... )262정Au BUMP 는 CHIP 의 Al 전극상에 형성되지만, 이 Au 와 Al 의접합계면에는 Au 의 고체확산에 의해 금속간화합물이 형성된다.Au-Al 금속간화합물은 그림 8 ... PLAGUE"라 불리고 상당히 위험하여 Au-Al 계면의 접합강도를 저하시키거나, 접합저항을 크게하여 신뢰성상 문제가 된다. 이러한금속간화합물의 발생을 방지하기 위해 UNDER

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.04

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ITRS

공정을 통한 확장을 내포한다. 특별한 기술 범위는 초기재료, 표면 준비, 열적/박막, 도핑, MOSFET을 위한 front end 플라즈마 에칭뿐만 아니라 DRAM의 stack ... aling-high-k와 ferroelectric물질의 제한된 열 안정성-CMOS 집적표면과 접합면 - 구조, 합성, 오염물질의 조절-채널/gate산화막 접합면, gate 산화막 ... /gate전극의 접합면의 오염, 구성요소, 구조를 control-DRAM 캐패시터 구조를 위해 접합면 조절-full-flow CMOS공정을 통해 표면과 접합면을 깨끗하게 유지-통계

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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