"박막접합"의 검색결과 입니다.

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ALD 태양전지 dssc 반도체 면접 OLED electron acceptor MEMS 금오공대 반도체 화학공학과

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"박막접합" 검색결과 341-360 / 1,076건

태양전지

형 태양전지는 크게 실리콘 박막형 태양전지와 화합물 박막형 태양전지로 분류할수 있다. 실리콘 박막형 태양전지는 pn접합과 그 아래위에 약간의 실리콘층의 두께를 극한까지 얇게 한것 ... 이 간단하고 가격도 저렴하지만 변환효율이 낮다는 단점을 가지고 있습니다.●2세대 태양전지는 어떤것이 있는가?-2세대 태양전지라 함은 박막태양전지를 지칭한다고 할 수 있다. 박막 ... 태양전지라 함은 유리,금속판, 또는 플라스틱 같은 저가의 일반적인 물질을 기판(웨이퍼)으로 사용하여 광흡수층 물질을 마이크론 두께로 아주 얇은 막을 입혀 만든 태양전지를 말한다.박막

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.07

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접촉각과 표면장력 사전보고서

분야, 박막기술, 표면처리 등에서 매우 중요한 분석기술로 활용되고 있다.Ⅰ 접촉각(θ)은 고체표면의 젖음성 (wettability)을 나타내는 척도로서, 대부분 고착된 (sess ... , hydrophobic)과 낮은 표면에너지를 나타낸다.평평한 고체표면에 접촉한 액체의 접촉각은 액체-고체-기체 접합점에서 물방울 곡선의 끝점과 고체 표면의 접촉점에서 측정된다.① -1

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.07.04

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친환경 - NT&BT를 이용한 건축 마감재

용 유리의 표면에는 추가로 방오염 기능을 가질 수 있는 나노 박막의 증착기술과 공정을 연구한다 . 고내구성 대기압 플라즈마 초친수 코팅기술 개요첨단기술의 해외 의존도를 줄임 세계 ... 으로 부상하게 될 것 다양한 소재의 접합기술 : 미래형 친환경 건축재료 개발기술을 통해 산업적 한계를 극하는 기술적 도약을 이룩할 수 있음 대기압 플라즈마 코팅기술 : 사회기반 시설물

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.01 | 수정일 2016.06.14

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Chip Fabrication Process

, 확산, 이온주입, 리소그래피, 박막증착, 애피택시 총 6가지로 살펴 볼 것이다. 각 과정은 세부 과정이 있을 것이며 물리학, 화학적인 수식이 이용될 것이다.반도체 공정과정1. 산화 ... 들을 반도체의 표면 가까운 영역으로 투입시키게 한다. 이온주입은 더 얕은 접합, 더 낮은 프로세싱온도, 그리고 더 정확한 조절의 필요성에 의해서 많이 사용되고 있는 제작과정이 되 ... 동안에 마스크 될 수 있다. SiO2, Si3N4의 박막과 아주 가끔은 포토레지스트와 Al이 이러한 용도로 쓰여왔다. 기본적으로 주입된 이온은 밑에 놓인 실리콘에 이르기 전에 마스크

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.02.11

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MOS 소자 형성 및 전기적 성질 확인

두개의 반도체를 서로 접합시키게 되면, 접합부분에서 N형 반도체에서 빠져나온 소량의 전자가 P형 반도체로 이동, 안정화되게 된다. 즉, 빠져나갈 것은 빠져나가고 들어갈 것은 들어가 ... -, + 성분이 더해 졌기 때문에 극성이 생겨버린 것이다.다시 말하면, 접합다이오드의 접합 부분에 P형 반도체에는 -형이, N형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체 ... 에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다. 이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압 혹은 임계전압이라고 한다.3. 실험방법1) Cleaning

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12

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반도체 소자 공정기술 10장 솔루션

된다. 고온 산화공정은 웨이퍼 제조공정 설비의 확산 영역에서 발생한다.증착도니 산화물층은 외부에서 실리콘 소스와 산소를 사용함으로써 발생되고 이런 물질들은 웨이퍼 표면에서 박막 ... 적 산화는 si와 sio2 사이의 경계면에서 스택형 고장의 유도시키는 산화를 구성할 수 있다. OISF가 pn접합의 인접 부근에 존재한다면 스택 고장은 누설 전류를 증가시키는 원인

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.01

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[금속조직학]마찰교반용접 시편의 조직 관찰

의 100배가 10만 배가 되면서 박막시료에 의한 합금 내부의 원자거동을 직접 해명할 수 있게 되었다. 1960년에는 국소 전자현미경 조사에 의한 형광 X선 분석(XMA)에 의한 ... 원접 끝 부분에 공구 돌기부의 구멍이 남는다.- 복잡한 3차원 곡면 형상의 접합이 어렵다.- 접합부 뒷면에 마찰압력에 견딜 수 있는 back-up 재료가 필요하다.- 접합용 공구 ... 재료의 제한으로 피접합 재료가 아직까지 경금속 또는 저융점 금속에 한정되어 있다.2.1.2 FSW의 장점과 단점[표 1] 교반마찰용접의 장단점2.2. 알루미늄의 특성2.2.1 Al

리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2015.05.02 | 수정일 2018.05.07

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반도체기술

고 있는 유전체 물질?반도체 소자용 저유전체는 크게 층간 박막으로 도포하는 방법에 따라, 회전 코딩방법이나 화학 기상 증착방법에 의해 형성되는 종류로 나눌 수 있으며, 또한 각각 ... 이 1cm정도길이가 늘어도 저항의 증가가 발생하지 않는다.(길이에 상관없이 저항값 일정)* 웨이퍼 접합논리소자와 아날로그 부품, 다양한 통신용 칩과 RF부품, 실리콘과 SiGe 혹은 ... GaAs 소자 등 다양한 웨이퍼 상의 소자들을 서로 접합시켜 다양한 기능의 복합시스템을 만들 수 있는기술?SoC(System On chip)* 이온 주입도핑시키고자 하는 불순물

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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태양전지 report

율을 높이는 구조를 가진다. 1세대 태양전지의 이론적 최대 효율이 30%를 넘지 못하는 이유는 pn 접합을 이루는 반도체 박막의 밴드갭 에너지보다 매우 큰 에너지를 가지는 빛을 흡수 ... 태양전지는 광 흡수 대역이 서로 다른 단일 접합 태양전지를 적층함으로써 광 흡수 대역을 넓힐 수 있다.2세대 태양전지는 MOCVD와 MBE 같은 박막 증착 장비의 발달로 인하 ... 전지실리콘 계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS와 같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체물질과 p형 반도체 물질을 접합하여 태양전지를 제조하며, n형 반도체

리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.03.08

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보설계 및 응력해석실험 보고서

이 반도체 스트레인게이지이다. 반도체 단결정을 저항소자에 사용한 것으로서 그 종류에는 단결정 벌크 게이지, 기판위의 실리콘을 박막화한 박막 스트레인게이지, 확산형의 게이지, P-N접합

리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.12.07

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염료감응형 태양전지

층), p-type CdTe(광흡수층), ZnTe(ZnTe:Cu), 후면전극(Au, Ag 등) 순서로 형성되어 있다. 이러한 CdTe 박막 태양전지는 이종접합 구조인 CdS ... 나. 박막형 태양전지41) 비정질 실리콘 태양전지42) 미세결정질(마이크로결정질) 실리콘 박막형 태양전지53) CIGS박막형 태양전지(Copper indium gallium s ... elenide)54) Cd-Te 박막형 태양전지(Cadmium Telluride)55) 나노 태양전지56) 유기 태양전지6다. 염료감응형 태양전지(DSSC)63. 왜 3세대 태양전지

리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.05.27

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갈륨비소

. GaAs(갈륨비소) 반도체 응용◆ 태양전지① 태양전지의 종류② 단접합 GaAs 셀 (Single Junction)- 태양전지 셀 감쇄예측을 위해서는 각각의 태양전지 셀 특성을 알 ... 고 있다. 이러한 단접합GaAs셀은 단결정 GaAs 위에 최상층을 epitaxial 성층함으로서 얻어진다.표> 단접합 태양전지 셀 특성(GaAs)특성Gallium Arsenide ... Zinc Germanium GoldAnti-Reflective CoatingsTiO and AIO③ 단&이중접합 태양전지 셀 구조도≪ single&double 접합 cell 효율

리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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태양광 발전의 개요 및 전기적 특성

cell)- 태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로서 금속과반도체의 접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛을 조사하면 광전효과에 의해광기전력이 일어나는 것을 이용한 것 ... - 금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는 셀렌광전지, 아황산구리 광전지가 있고, 반도체 pn접합을 사용한 것으로는 태양전지로 이용되고 있는실리콘 광전지가 있음* 광전지(photo ... , 황화카드뮴 등이 있으나 보통 실리콘이 많이 사용됨2) PN접합에 의한 발전원리- 태양전지는 실리콘으로 대표되는 반도체이며 반도체기술의 발달과 반도체 특성에 의해 자연스럽게 개발됨.

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.06

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DSSC시간변위

된 혼합된 sol을 이용하여 dipping-withdrawing을 반복함으로써 TiO2 박막을 제작할 수 있다.3. 준비 기구 및 장치ㅡTiO2, 진공 스퍼터링 장치, 초음파 세척기 ... 300℃, pest온도 450℃, 압력 10mtorr, 아르곤가스 30sccm에서 30분간 스퍼터링 작업을 해준다.⑨ 접합 - 염료에서 Anode가 될 글라스를 꺼내 무소 알콜로 닦 ... 아낸다. 질소 에어건으로 물기를 제거 한 후 cathode가 될 글라스와 설린으로 접합한다. 105℃에서 5분간 열을 가해주면 설린이 녹으며 두 시편은 접합하게 된다. 미리 뚫어둔

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16 | 수정일 2018.05.10

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태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)

결정 박막 CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로 하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc)를 나타낸다 ... 태양전지차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성▶ 태양전지의 작동원리 및 구조태양광 발전(Photovoltaic Power Generation)은 태양광을 직접 전기로 변환 ... 시키는 발전방식으로 그 핵심은 태양전지(Solar Cell 또는 Photovoltaic Cell)이다. 아래 그림과 같이 반도체의 pn접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10

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CNT와Graphene이용

하는 그래핀 투명 전극, 이를 포함하는 플렉시블 실리콘 박막 반도체 소자 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.그래핀 필름을 도전막으로서 포함하는, 그래핀 투명 전극을 제공한다. 상기 ... . Ni 촉매층 상에서 그래핀 박막의 성장상부에 300nm 이상의 두께를 가진 산화 실리콘층을 지닌 실리콘 웨이퍼 위에 약 500 nm 두께의 Ni 촉매층을 형성하고, 직경 3.9 ... Ni 촉매층 상에 성장된 그래핀 박막을 수득하였다.2. 실리콘 박막 반도체 소자의 제조먼저 PET 유연성 투명 기판 상에 상기 수득한 그래핀 필름을 전사하여 투명한 게이트 전극

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.27

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기계공학실험 보고서 - 마이크로 표면측정

} 는 고체, 액체 표면 단위면적당 부착에너지(adhesion energy)를 뜻한다.접촉각은 표면재질의 친수성과 소수성의 경향을 한번에 알 수 있기 때문에 박막평가, 표면의 접착 ... 해 이런 상태를 유지 하도록 해야한다.- Plasma 표면개질플라즈마 표면개질은 선진국에서는 널리 보급된 첨단 표면처리 기술이다. 도장, 도금, 인쇄, 접합, 코팅이 어려운 각종

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.03.09

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OLED의 원리

-type반도체의 접합체로 여기에 전기장을 가하면 전자와 홀이 발광층에서 만나면서 밴드갭에 해당하는 빛을 발광한다. 기존의 백라이트를 사용한 디스플레이보다 효율이 좋은 장점을 가지고 있 ... 해야 한다.정공의 주입에는 100~200nm의 ITO박막이 일반적으로 사용되는데 ITO의 일함수는 약 4.5eV인 반면에 유기 발광층의 HOMO준위는 보통 4.5eV보다 크기 때문 ... 되는데 정공의 주입에서와 마찬가지로 금속 박막과 유기 발광층 간에도 장벽이 존재하기 때문에 효율적인 전자의 주입을 위해 유?무기 전자 주입층을 삽입해준다.◆ Luminescence

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.24

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LED발광메커니즘을 전자론적 근거.ELD발광메커니즘을 전자론적

형 발광현상이 보다 확실해짐,-1952년 J.R.haynes등의 Ge, Si의 p-n 접합부에서의 발광, 1955년 G.A.Wolff의 GaP에서의 발광관 측으로 이어져LED의 발아기 ... 라고 할 수 있다.-1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 ... 강도로 발광되는 파장-LED에서 통상 사용-반도체결정의 재료, PN접합을 형성하는 불순물의종류, 농도, 구조등에 의해 결정스펙트럼 반치폭(Spectrum Half Bandwidth)

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.31

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CIS,CIGS

공정제조하는 공정도 가능하다.버퍼층 : CIS 태양전지는 p형 반도체인 CuInSe2 박막과 n형 반도체로 window 층으로 사용되는 ZnO 박막이 pn 접합을 형성한다. 하지 ... 전지의 종류Fig.1반도체소재에따른태양전지의분류단결정고효율(25~30%) 고비용과 복잡한 공정다결정상용화된 실리콘 태양전지, 저효율 (15~20%)비정질최초의 박막형, 저효율 ... (10~12%)CIS1eV 의 밴드갭, 15~20%의 효율CT1.45 eV 의 밴드갭 용이한 물질의 합성GA30% 이상의 고효율 고비용 (Ga의 희소성)⇒접합전접합후접합 전- p

리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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