"박막접합"의 검색결과 입니다.

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ALD 태양전지 dssc 반도체 면접 OLED electron acceptor MEMS 금오공대 반도체 화학공학과

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"박막접합" 검색결과 461-480 / 1,076건

CIGS thin film Solar cell (CIGS 태양전지)

에 나타나 있다. 태양전지는 기본적으로 반도체 p-n 접합으로 이루어지는데, n형 반도체 지역의 높은 전자 밀도와 p형 반도체 지역의 높은 정공 밀도로 인하여 전하 농도의 차이 ... 에 의해 전하가 각각 반대편으로 확산하고 이에 따라 p-n 접합 계면에 공간전하층(space charge region)이 발생한다. 이러한 공간전하층은 태양전지 내부에 built-in ... 이 계속 진행 중이며 현재 알려진 바에 의하면 광흡수층의 최적 에너지 갭은 1.5 eV 근처이다.CIS 박막 태양전지의 기본구조CIS 박막 태양전지는 박막형 화합물 태양전지중에서 현재

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.05

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[3M 글로벌경영 국제경영][3M 쓰리엠조직문화 기업문화][3M 국제기업 글로벌기업][다국적기업 성공기업][지속가능경영 경영혁신][기업성공사례 기업분석][생활용품기업 3M]

가 에너지를 생산하고 저장하는 새로운 방법을 찾을수 있도록 3M의 기술이 도움을 준다. 3M은 연료전지 부품, 특히 비용적인 면에서 효율이 높은 멤브레인 전극 접합체의 설계와 제조 ... 에서 세계적 선두주자이며 전지 시스템용 리튬이온 물질 개발을 주도하고 있다. 광전지 산업에서 3M은 차단 필름 및 Fresnel 집광 렌즈를 포함한 기술을 발전시키고 초강력 접합 및 ... 전도성 박막 테이프 제품을 공급하고 있다.o 공정 설계 및 제어 정밀도, 일관성, 경쟁력 있는 비용 및 안전성 등 정교한 제조 기술에 대한 기대가 많이 높아졌다. 가장 까다롭

리포트 | 48페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.10.11

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전자회로 리포트

저항기- 칩 저항기는 길이가 1~6.3mm, 폭이 0.5~ 3.15mm,두께가 0.35~0.55mm 인 박막(thick flim)으로 된 저항기로, 주로 SMT(Surface ... 전극을 부착한 구조로 되어 있으며 고주파용으로 사용한다.㉰ 마이카 콘덴서(mica condenser)- 알루미늄 박막 사이에 유전체로서 마이카(운모)판을 번갈아 겹쳐 만들고 마이카 ... )라고 하며, 정공(Hole)이 전기 전도의 역할을 하는 p형 반도체와 전자(Elecrton)가 전기 전도 역할을 하는 N형 반도체를 접합한 PN접합 다이오드라고 한다. 일반

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.16

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유비쿼터스 센서의종류

율이 같다고 가정하면, G는 2 정도가 된다.2) 반도체 스트레인 게이지통상적으로 반도체 재료인 실리콘이 이용되고, 그 종류에는 단결정 벌크 게이지, 기판 위에 실리콘을 박막화한 박막 ... 스트레인 게이지, 확산형의 게이지, 그리고 p-n 접합 게이지 등이 있다. 많이 사용되는 벌크 게이지는 아래 그림과 같이 p형 또는 n 형실리콘 단결정으로 제작한다. 이것의 동작

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.06

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LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

와 역사LED는 기본적으로 p형와 n형이 접합된 반도체 양쪽에 전극 단자를 만들고 단자 간에 전압을 가하면 전류가 흘러 p-n접합 부근에서 빛을 방출하는 소자를 말한다. 이러한 LED ... 았기 때문에 그 후에는 진전되지는 않았다. 이후 1952년에는 Si과 Ge의 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체 ... 었다.(표.1 각종 LED제법과 특성)LED제조방법발광특성피크파장(nm)양자효과(%)시감효율(lm/W)기판P-N접합InGaAsPGaAs:SiGaAs:ZnGaAlAs

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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산화물 반도체 나노구조의 성장 및 광전소자 응용

드레인(source drain) 전극을 형성하고 기판을 백 게이트(back gate)로 사용하는 횡형의 FET이다. 그 외에 박막 트랜지스터나 나노 와이어에서 쇼트키 ... (Schorrky) 접합을 설치한 접합형 FET도 보고되고 있는데, 나노 와이어 장점을 발생하는 소자 SGT(Surrounding Gate Transistor)이다. SGT는 소스, 게이트

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12

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표면공학 - 화학증착법 발표

적으로 이루어지기 위해서는 다음과 같은 요구조건들을 충족시키는 반도체 제조공정용 설비개발이 병행되어야 한다 . 공정진행 온도의 저온화 ~Shallow 접합 , 소자의 신뢰성 향상 , 저유전 ... 스퍼터링 및 전기도금공정 , 이온주입 및 확산 , 열처리 공정 그리고 저유전 절연막의 spin coating 공정 정도를 제외하고는 대부분의 박막이 CVD 기술에 의하여 형성 ... 되고 있다 . 이러한 상황에서 요구되고 있는 CVD 공정기술이 갖추어야 할 특징 은 다음과 같다 . 박막화 / 고품질화 -ALCVD, 플라즈마 반응원이용 , 매엽식공정 저결합 / 고수

리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.14

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LTCC

방법을 이용하면 박막다층 회로가 구성이 가능한데, 특히 inductor같이 덩치가 큰 소자를 구현할 때 유리하다. 예를 들어 MMIC나 RFIC등의 칩 다이 위에 inductor ... 를 올리려면 그 크기 때문에 손해가 많은데, 이것을 LTCC로 하면 밑에 깔아버릴 수 도 있고, 외부에 나가야 할 소자들도 박막형태로 칩 밑에 깔아서 공간을 절약할 수도 있다. 이러 ... 는 경우가 대부분이다.날로 경박화 되고 있는 패키징 기판의 현실로 볼 때, 강도가 낮은 LTCC 기판이 열 팽창 계수가 크게 다른 PCB에 접합되어 지속적인 온도 변화에 의한 열 수축

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.11

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[태양전지][태양][전지][연료][태양전지 정의][태양전지 역사][연료전지][태양전지 개발동향]태양전지의 정의, 태양전지의 역사, 태양전지와 연료전지, 태양전지의 개발동향 분석

의 반도체를 접합(pn접합)시켜 태양광을 조사(照射)시키면, 격자로부터 빠져 나온 전자는 n영역 쪽으로, 또한 정공은 역으로 p영역 쪽으로 흐르게 된다. 따라서 음(-)전하를 가진 전자 ... 의 뱅도체의 광기전력 효과를 이용한 것으로 p형 반도체와 n형 반도체를 조합해 만든다. p형 반도체와 n형 반도체의 접합 부분에 빛이 들어오면 빛 에너지에 의해 반도체 내부에서 음 ... 용 계산기 등 소형 전원으로 이용되는 저가의 박막 전지로 변환 효율이 11 - 13%로 상대적으로 낮다.화합물 반도체 태양전지는 변환 효율이 18 - 24%로 높은 대신 고가 재료

리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.26

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수소 분리막

-4μm의 초박막화하면 투과성능 및 소재비용을 저감할 수 있을 것이라 예상된다.수소 분리막의 원리 및 기술: 막에 의한 혼합 기체의 분리에는 다공질 막에 의한 확산 투과형과 비다공질 ... 에 분리막인 팔라듐과 구리를 스퍼터링 방법으로 코팅하는 기술분리막이 고압의 환경에 견딜 수 있도록 확산 접합에 의해 모듈화를 하는 기술응용과 전망: 수소 분리막은 몬선트사

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.03.06

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LED

로서 정공을 소수캐리어로 갖는 p형 반도체와 전자를 소수캐리어로 갖는 n형 반도체의 이종접합 구조를 가짐. 소수캐리어는 인가된 전압에 의해 서로 반대방향으로 이동하는 과정에서 활성 ... 생성 원리와 에너지 준위차- P-N접합 구조에서 순방향 전압을 가해주게 되면 P형 반도체의 정공과 N형 반도체의 전자는 상호 반대 방향으로 이동하여 접합면에서 만나게 됨. 전자 ... 하게 됨. 에너지 방출은 여러 형태로 이루어지는데 광자(photon) 입자가 방출될 경우 빛이 생성됨.- 모든 P-N 접합 반도체가 빛을 생성하는 것은 아니며, 실리콘의 경우 에너지

리포트 | 51페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

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태양전지

형박막형a-Si/ClSGaAs/Ge염료감응형고분자박막형벌트형박막형벌트형CuInSe2GaAs비정질단결정CdTeInP다결정다결정? 단결정실리콘 태양 전지- 고순도로 순화된 실리콘을 고온 ... (1500℃)으로 가열 ? 두께 약 300㎛의 웨이퍼 제조 ? p-n 접합체 제작 ? 반사방지막을 형성한다.- 제조 공정은 복잡하며 비싸다. 현재 자동화와 연속화에 의한 비용절감 ... 태양 전지- 박막형 태양 전지의 대표- Si를 함유한 가스를 진공 챔버 내에 방전 ? 200~300℃로 가열한 유리기판 형태로 0.5㎛의 얇은 막 제작- 재료비가 적고, 제조 공정

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.23 | 수정일 2024.05.02

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태양전지

SOLAR BATTERY (CELL)목 차신 재생 에너지 태양전지 소개 태양전지의 원리와 구조 태양전지의 특징 태양전지의 종류 Si 태양전지 박막 태양전지 태양전지 발전현황 태양 ... 적 설치 장소 에너지 시스템 비용이 고가- 20년 이상의 장수명높은 초기 투자비 및 발전단가태양전지의 종류태양전지 기술 비교SI 태양전지박막 태양전지박막 태양전지박막형 태양전지 ... 는 Si 를 적게 사용하거나 그 외 다른 화합물을 사용 때문에 Si 수급에 의한 영향이 없으며 원료비의 부담이 적음박막 태양전지박막 태양전지의 응용박막 태양전지의 문제점박막 태양전지

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.28

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[태양전지] 태양전지 (필요성, 원리, 특징, 종류, 제조법, 실용화, 앞으로과제) PPT

형실리콘(단결정,다결정) 갈륨비소 (GaAs) 탐뎀형 (GaAs/Si)24~28 25 31(347배 집광)박막형비결정질 Si(a-Si) 탐뎀형 (a-Si/CIS)14 16*태양전지 ... 된 실리콘을 고온(1500℃)으로 가열 두께 약 300㎛의 웨이퍼 제조 p-n 접합체 제작 반사방지막을 형성한다. 제조공정은 복잡하며 비싸다. 현재 자동화와 연속화에 의한 비용절감 ... 다결정실리콘의 덩어리(ingot) 얇은 판으로 슬라이스 불순물 확산 리본법: 실리콘융해액에서 다결정을 직접 획득. 변환효율은 18%*비결정실리콘 태양전지박막형 태양전지의 대표 Si

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09

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DSSC최종결과보고서

침지하여 염색한다.⑥ Working E와 counter E를 surlyn을 이용하여 오븐에서 100℃5분 유지해서 접합을 시킨다.⑦ Counter E의 뚫어 놓은 구멍으로 전해질 ... 을 주입하고 surlyn과 cover Glass, 인두기를 이용하여 구멍을 막는다.⑧ 완성된 Cell의 양 끝단에 Cell 접합부위가 닿지 않게끔 Ag 페이스트를 바른다.⑨ 염료 ... 와 Counter E의 접합부위까지 칠해져 short circuit(단락)이 일어난 것으로 추측된다.2. 실험 결과 예상-FTO 기판 및 TiO2 층의 두께에 따른 염료감응형 태양

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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TEM시편 제작 방법

시편 제작 방법평면 시편 제작방법 중 기판과 박막 중간 산화층 존재하는 경우- 산화층만 선택적으로 부식시켜 박막 떼어 냄기판에 SiO2층이 있고 그 외에 다결정 Si 층이 있는 경우 ... method..PAGE:13평면 시편 제작 방법박막이 grid 위에 얹힐 정도로(2mm×2mm) diamond pencil을 이용 자름Coventional한 방법에서 박막 위 불순물 제거 ... 하기 위해 아세톤과 알코올 속에서 각각 초음파 세척 하지만 lift-off method로 시편 준비할 때는 불산 용액 속에서 박막 위의 불순물도 부식되므로 세척을 하지 않아도 됨위

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.03

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태양전지의 모듈

조건(STC : Standard Test Condition)① 소자 접합온도 25℃② 대기질량 지수 AM 1.5③ 조사강도 1000(W/㎡)태양전지 모듈의 출력은 일조강도에 비례 ... 성이 강한 Cover-glass와 이면에 내후성 필름으로 끼워 놓은 구조이다.라) 박막 실리콘 Type수광면(Cover-glass), 투명전극, 태양전지(Cell), 표면전극을 적층

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.09

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트랜지스터-의료기기사용

다.형태가 매우 작고, 수명이 길지만, 온도의 영향 을 많이 받으며 고온과 초고주파 에서는 동작하지 못한다.3. 트랜지스터의 종류(1)접합트랜지스터(BJT) - 접합형의 트랜지스터 ... - 진공관과 비슷한 원리 입력 전압으로 출력 전류를 제어 - 접합형 FET와 MOSFET - 이용 : 소형화 가능, 전력소비 적어 대규모 IC 에 적합3. 트랜지스터의 종류(2)평면 ... : 게르마늄 메사형, 플레이너형 5~7GHz : 실리콘 플레이너형 - 이용 : 무선통신, 고해상도의 레이더박막트랜지스터(Thin Film Transistor) - 기판 위에 진공 증착 방법

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.22

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기계공학응용실험 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 예비보고서 (2)

하여 구조층만 남게 하는 방법이다. 1960년대에 미국에서 금속 박막을 이용하여 처음 시도되었고, 1980년대에 미국에서 실리콘 산화막을 희생층으로 사용하고 다결정 실리콘을 구조 ... 한다접합기술과 설계기술이 있다. 웨이퍼 접합 기술은 실리콘 웨이퍼끼리 혹은 실리콘 웨이퍼와 다른(주로 수정 및 유리)웨이퍼를 밀봉접합(hermetic bonding)시키는 기술 ... 로서, 일반적인 IC 생산에 비해 마이크로머신 분야에서는 많이 사용되는 기술이다. 일반적으로 웨이퍼 접합 기술은 크게 보아 고온(1000。C 이상)을 가하는 융합접합(fusion

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.10

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나노소재

의 선택적 성장기술50nm 이내정렬성장 및 저온성장CNT 접합기술나노소자간 연결접합형성 및 접합기술고전도성 CNT를 위한 도핑기술10-4Ωcm, 1013 A/cm2특정원소도핑AFM ... 플레이트의 제작박막 알루미늄 양극산화기술박막 알루미늄의 박막 adhesion 조절AAO 템플레이트의 패턴닝기술나노미터 수준 패턴화유기 템플레이트의 광대역 패터닝 기술수 cm 내 단결정

리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08

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