"플라즈마산화시간"의 검색결과 입니다.

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반도체 실험 수소E cvd 용접 기능사 ito patterning ITO Scribing 소독과 멸균 반도체공정실습 icp 분석 신소재기초실험

"플라즈마산화시간" 검색결과 361-380 / 982건

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ICP - 유도결합 플라즈마 분광법을 이용하기 위한 시료의 전처리방법

ICP(유도결합플라즈마 분광분석법) 분석을 위한 시료의 전처리 방법원자 흡수 분광법(AAS, atomic absorption spectrophotometry) 및 유도결합 ... 플라스마 방출 분광법(ICP-AES, inductively coupled plasma - atomic emissionspectrometry)에 의해 시료 중의 금속원소들을 분석하기 위 ... 는 방법이다.그러나 이 방법은 분해시간이 길어 시료가 쉽게 오염되며, 휘발성 원소들의 손실이 있다. 시료에 따라서는 가끔 다량의 시약을 필요로 하기 때문에 오염의 기회가 많고, 가열

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.02.24

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반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학

반도체 공학 P-N Juntion 반도체 제작 공정목 차 1-1 실리콘 산화 1-2 실리콘 산화의 방식 2 -1 광 노광 공정 3-1 선택적 식각 (Selective ... 금속 식각 2반도체 제작 공정 1-1 실리콘 산화 P-type Si Wafer SiO ₂ 산화물의 역할 : 절연 ( 부도체 ), 공정 중 Protector 역할 Lattice ... Structure 는 111 , 100 을 사용 ( 산화 효율이 높다 ) ※ 확산 , 주입 공정 중 Wafer 를 보호하기위함 Original Si Surface Wafer 산화 P

리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21

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고온, 고압측정

을 시키면 세라믹 재료를 제작할 수 있다. 고온의 경우에는 플라즈마 상태를 만들거나 열분해, 핵분열 등에 이용이 된다. 또한 이번 실험과 같이 녹는점이 높은 금속들을 용융시키는 데 ... . Set-up● Measurement of high temperature① Experimental set-up전기로 및 제어기, 도가니(산화알루미늄), thermocouples ... , 의 관계 표를 보고 환산한다. 내부온도는 측정치표시기(PV)에 표시된다.3) 데이터로부터 시간에 따른 내부온도와 은의 온도 그래프를 그린다. 그래프에서 녹는점을 결정하고 그 온도

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.25

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[독성학] Lu's basic toxicology 6th Ch4~Ch5 시험대비정리

고, hepatic damage를 겪음.ex) atypical(이례적인) 또는 low level of plasma cholinesterase를 가진 사람은 근육이완 시간이 길고, 근육 ... essation)되면 사라지는 효과.- 독성물질에 낮은 농도로 짧은 시간 노출시 생김.(2) Irreversible effects- 노출이 중단되어도 지속되거나 진행(progress ... )되는 효과.ex) carcinomas, teratogenesis(기형발생), damage to neurons, liver cirrhosis(간경화)- 독성물질에 높은 농도로 긴 시간 노출

리포트 | 10페이지 | 7,000원 | 등록일 2014.07.07

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[발광디스플레이 실험] Sputtering

발광디스플레이 실험 – sputtering실험 목적 : sputtering을 통해 금속을 증착 시키는 방법과 장비의 사용법을 숙지하며, sputtering 시간과 증착 되는 두께 ... 주변으로 들어온 기체분자들을 함께 같은 방향으로 이동시켜 배기가 이루어진다.오일 산화 등에 따른 역류를 방지하기 위하여 펌프에 사용되는 오일은 휘발성이 없고, 배기하고자 하는 가스 ... 와 반응성이 없어야 하며 끓이는 과정이 있으므로, 고온산화 등에 강하고, 독성이 없어야 한다.Sputtering고 에너지를 가진 입자를 이용해 증착 시키고자 하는 물질의 표면을 이온

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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로이유리의 제조공법 및 특징 분석

PROCESS 반응을 위한 Gas 가 일정압력을 유지하고 있는 챔버 내에 상온의 유리가 위치 고전압을 가하여 방전시키면 코팅재료 ( 뒷면에 영구자석 ) 표면 근처에 플라즈마가 형성 ... 플라즈마 내 이온화된 기체가 코팅재료에 강한 운동에너지로 충돌 코팅물질의 원자가 튀어나와 유리의 물리적인 결합으로 부착되어 코팅 코팅재료Low-E 유리 비교 구분 하드 코팅 ... 이 어렵다 단열 성능이 소프트 코팅제품에 비해서 떨어진다 금속성 코팅 막을 주로 Ag 를 사용하고 있기 때문에 공기중의 산소에 의한 산화의 가능성 상대적으로 부드러운 코팅막

리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.01.08

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화학신소재개론

(Plasma display panel)4-(1) PDP(Plasma Display Panel)의 정의PDP(Plasma Display Panel)는 기체 방전 시에 생기는 플라즈마 ... 는 지구상에서는 흔하지 않은 현상이지만 우주에서는 거의 모든 물질의 정상상태가 플라즈마상태이다. 특징으로는 고온, 발광특성, 전기적전도성을 지니고 있다.4-(3) PDP(Plasma ... -(3) Transistor의 소재--------------------------------------------p.54. PDP(Plasma display panel)------

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.17

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[공업화학실험]반도체 식각 실험 결과

를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ... ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 ... 이나 Glass같은 물질을 깍아 낼수 있다. 그런 현상이 플라즈마 식각이다.6.전체 공정위 과정을 여러 번 반복적으로 수행하여 원하는 패턴모양을 제작할 수 있다.산화막(SiO2)형성 : 고온

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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일반기계기사 필기합격 기계제작법 요약

짧은 시간에 급속히 가열한다음 급냉하여 표면층 경화제 3장 측정기와 수기가공1. 버니어 캘리퍼스: 길이, 내경, 외경, 깊이, 두께, 높이 등* 눈금 읽는 법① 1/20mm 버니어 ... ): 금속 용접봉(소모식)- 불활성가스 텅스텐아크 용접(TIG): 텅스텐 전극봉(비소모식)③ 탄산가스 아크용접④ 원자수소 아크용접2. 특수용접① 테르밋 용접: 알루미늄과 산화철을 혼합한 ... 분말을 이용② 일렉트로슬랙 용접③ 전자빔 용접④ 고주파 용접⑤ 플라즈마 용접3. 전기저항 용접① 겹치기 용접- 점용접 : 두 개 판재를 겹쳐서 전극 가압- 심용접 : 회전하는 두

시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.05.11 | 수정일 2017.06.12

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SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 [결과]

한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma ashing) ... - 플라즈마 애슁장치를 이용하여산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 -광학 현미경 사용4. 결과 ... SCCMPower : 500WSubstrate Temp. : 250℃시간 : 8min압력 : 0.3 Torr3) PR과 실리콘 산화막의 식각 속도 측정SiO2Si s

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.07 | 수정일 2014.02.02

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용접 금속 완벽 정리 비파괴 검사 기사 산업기사 기능사

prime 길이`전/후,`t/`t prime `시간`전/후큰 것 : Zn, Pb, Mg, 작은 것 : Ir, W, Mo팽창계수 작은 인바/초인바=시계부품, 정밀측정자3.열전도율 ... .산소-프로판ㄹ.산소-메탄→가스용접2. 금속의 산화반응 열 에너지2)전기에너지1. 아아크에너지= 피폭 아크용접, 불활성가스 아크용접,탄산가스 아크용접, 서브머지드 아크용접2 ... . 플라즈마 아아크에너지=플라즈마 젯트용접3. 주울 열 에너지ㄱ.금속 접촉저항에 의한열→전기저항용접ㄴ.슬랙의 전기저항 의한열→일랙트로슬랙용접4. 전자선=전자비임 용접3)기계적 에너지1

시험자료 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.01 | 수정일 2016.03.07

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35WET_ETCHING

산화막 식각)SiO₂ + 6HF(aq) - H₂SiF₆(aq) + 2H₂O 이 반응은 F⁻의 고갈에 의해 시간변화에 따라 균일성이 떨어지고 산화에 대한 식각률이 떨어져서 에칭특성 ... 물리적 작용이나, 기체 플라즈마에 의한 반응을 이용한 에칭 공정, 주로 이방성 에칭Wet Etching(습식식각)과정 : 반응물질이 용액상태로 들어와서 표면으로 이동= 화학반응 ... 에 의해 녹기 쉬운 식각 물질과 만남= 식각 물질이 녹아 표면으로부터 이탈 절단한 wafer의 표면 연마, 열산화막이나 에피층 등을 성장시키기 전의 wafer 세척, 그리고 최소

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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담낭염 OR 수술 Laparoscopic cholecystectomy

이 산화 또는 탄화시키는 방법으로 120°C에서 6시간, 140°C에서 4시간, 168-180°C에서 2시간 동안 노출시킴장치가 간단하고 손쉽기 때문에 널리 사용한다.steam 멸균법 ... 보통 2배정도 확대가 된다.ㆍhyperex : 40~46℃ 정도의 lactated solution에 항암제를 희석시켜 2시간여 동안 복강내를 지속적으로 관류 세척하여 암세포를 차단 ... terrad 소독기 : 58% H2O2 소독기에 비해 짧은 시간에 소독되며 인체에 해가없다.ㆍDebricler : 비강 내 병든 점막 등을 긁어내는 목적으로 사용ㆍSide lamp :신생아

리포트 | 38페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.07.11 | 수정일 2016.08.18

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15Etching

시간이 지나면서 식각균일도 가 떨어지거나, 식각률이 떨어지게 된다. →완충용으로 NH4F를 첨가 (F- 공급)종말점 확인은 산화막의 친수성과 실리콘의 척수성을 이용하여 현미경으로 물 ... . Plasma Etching (1)① 원통형 식각장치 (Barrel reactor) 최초의 상용 건식식각 장치 터널 혹은 튜브 반응장치라 불리는 원통형 관에서 플라즈마가 발생하여 활성 ... - Wet etching 장단점#. Dry etching ? - 기본과정 - 스퍼터 에칭 - 플라즈마 에칭 - RIE - Dry etching 장단점 #. Wet etching vs

리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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특수용접

1. 작업이 단순하며 고도의 기능이 필요없다 현장작업에 편리하다 접합에 가압력이 불필요하다 용접시간이 짧고 변형도 작다 전력이 불필요하다 . 테르밋 용접 동영상일렉트로 슬래그 ... 3. 변형이 적음 4. 아래보기자세 , 서브머지드 용접에 비하여 용접시간 개선 가공비 , 용접봉비 준비시간 등을 감소시킬 수있음 5. 홈 가공이 간단 , 직각 가스절단 그대로 ... 5. 복잡한 형상에는 적용하기곤란플라즈마 아크용접 아크 플라즈마를 좁은 틈으로 고속도로 분출시킴으로써 생기는 고온의 불꽃을 이용하는 용접법플라즈마 용접기의 특징 1. 스텐레스

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.02

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산화공정 (Oxidation)

과목명마이크로팹 설계 실험성명 / 조박 준 영 / 4조실험제목Wafer Cleaning 공정산화 시간에 따른 SiO₂산화층 두께 비교실험목적1. Wafer Cleaning (Si ... 웨이퍼 준비 및 세척)2. Thermal Oxidation (시간에 따른 SiO₂산화층 두께 측정 및 비교)=>산화시간에 따라 SiO₂산화층 두깨를 비교해 본다.실험이론우리가 이번 ... 에 실험했던 것은 산화시간에 따라 SiO₂산화층 두께를 비교하는 것이다. 이 실험에 들어 가기에 앞서 알아야 할 것은 크게 2가지이다. Si웨이퍼를 준비하는 단계 그리고 그 Si

리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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MOSFET/Capacitor/반도체 신소재실험보고서

다.)P형은 전류가 들어가는 방향이 Source이다.(두 단자 중에서 고전압인 쪽이 Source이다.)각각의 MOSFET에서 입력단자를 Gate라고 한다. Gate는 산화 보통 금속 ... -채널의 MOSFET은 n-우물에 만들어진다. 도통모드일 때는 우물 위쪽의 반대되는 carrier가 gate 산화막 표면으로부터 멀어지고 source에서 drain으로 다수 전류 ... 도부분이 식각되는 것을 negative resist라고 한다.* Etching- 반도체 제작공정에서 Photoresist에 피복되어 있지 않은 산화막을 제거하는 공정이

리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.03 | 수정일 2013.12.05

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ITO Scribing & Cleaning 예비보고서

비용 감소.- 플라즈마 장비에 비해 가격이 싸고 장치가 단순●ITO Glass 란?ITO 란 인듐 주석 산화물 (Indium tin oxide)을 말하는 것으로 은 산화 인듐 ... Cleaner Cleaner 원리표면 이물질을 자외선과 오존으로 활성화 시켜 제거하는 장치로써기본원리는 UVO(자외선 오존)세정은 일련의 광산화(Photosensitized ... (In2O3)과 산화 주석 (SnO2)이 섞여져 있으며, 일반적으로 90% In2O3, 10% SnO2 비중을 갖는다. 얇은 레이어 에서는 투명하고 색이 없다. 덩어리 상태에서는 노란

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23

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이원계 합금의 제조 및 분석

란?유도결함 플라즈마(Inductively Coupled Plasma)는 보통 연소 불꽃에서보다 훨씬 더 높은 온도에 도달하는 불꽃의 한 종류로써, 방출 분광법에 매우 유용 ... 이원계 합금의 제조 및 분석1. 목적본 실험에서는 융점이 낮은 이원계 합금을 직접 제조하고, 유도 결합 플라즈마 방출분광법(ICP-AES)을 이용하여 합금의 조성을 확인 ... 에 강력한 산화용해성을 지닌다.왕수는 금이나 백금 외에 황화물광석, 텔루륨, 셀레 늄 광물, 납이나 구리의 합금, 여러 가지 금속의 비화물광석, 아연합금, 니켈광석, 페로텅스텐 등

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.30

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CMOS 집적회로 제작공정

플라즈마에 의해 수행, 가장 많이사용가스 플라즈마에는 실리콘 산화막을 에칭시키는 불소나 염소가 포함되어 있음?스퍼터에칭 - Ar+같은 고에너지의 불활성 가스 이온을 웨이퍼 표면 ... 불가능 → 플라즈마 산화막 증착(저온공정, TEOS)?SOG를 웨이퍼 위에 떨어뜨리고 회전(고르게 분포, 2차 산화막) → 굴곡이 심함 메탈-2가 고르지 않아짐 CMP로 메탈-1 ... 3장 CMOS 집적회로 제작공정전체개요■ 웨이퍼제작■ CMOS 집적회로 제작에 사용되는 공정1) 세정2) 산화3) 에피택시4) 증착5) 이온주입6) 확산7) 에칭8) 금속화9

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.19

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