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박막 증착 스퍼터링 반도체 실험 반도체 공정 OLED cvd ITO Scribing 박막 투과도
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"진공및박막" 검색결과 281-300 / 1,637건

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    3. Thermal evaporation 예비
    절삭공구인 드릴, 다이 등의 고경도 표면층의 형성에 주로 적용됨은 물론 전자부품, 반도체, 태양열에너지, 광학 및 미장 등 다양한 분야에 응용되고 있다.진공증착, 이온, 스프터 ... }~10^-5 torr 정도의 진공조건에서 표적재료를 여러 가지 방법으로 가열시켜 증발되도록 한다. 일반적으로 높은 증기압을 가진 재료는 직접 저항가열로 증기상을 발생시키며 주로 박막 ... 밀도를 공급할 수 있어야 한다.마. 증발원대부분의 금속, 복합물 및 합금은 진공조건에서 직접 증발시키며, 산화물 또는 복합물을 특수한 방법에 의해 증발시킨다. 표적재료(증발재료
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.22
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  • 자료 표지
    VLSI공정 7장 문제정리
    반도체공정 및 실험(I-7)7.1 Cl 가스를 이용하여 12인치(300mm) 실리콘 기판을 플라즈마 식각하는데 있어서a) 반응식을 완성하여라->Si+4Cl → SiCl4b) 주입 ... 된 Cl의 10%가 실리콘의 식각에 작용하며, 식각챔버의 암력은 10 mTorr, 식각속도는 2um/min일 때, 진공펌프의 펌핑속도(liter/min)는 얼마인가?-> v=2 ... 다면 어떠한 압력변화와 플라즈마의 문제점이 예상되는가?->압력의 변화는 1,000배 빠르게 감소할 것이다. 빠르게 저진공으로 감에 따라 chamber 내의 기체분자 수가 매우 적
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03
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  • 판매자 표지 자료 표지
    thermal evaporator(서머 이베퍼레이터), E-beem evaporator(이빔 이베퍼레이터) 조사 레포트
    방법은 박막제조법 중에서 널리 보급된 방법이라 할 수 있다. 원리는 간단하고, 진공 중에서 금속, 화합물, 또는 합금을 가열하여 용융상태로부터 증발시켜 evaporated 입자 ... 형성- 분무법(SPRAY), 화학증착법(CVD), SOL-GEL, DIPPING물리적 박막 형성- 진공증착법(evaporation), SPUTTERING, ION PLATING ... 이 가능하다. 단점으로는 X-ray 발생과 e-beam source 위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 방전이 심하다.[진공증착 박막방법의 장점]가. 장치전체의 구성이 비교적 간단
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.05.30 | 수정일 2015.10.04
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  • 자료 표지
    패터닝 예비보고서
    을 위한 방법은 진공증착 방법공정이 주로 사용된다. 이는 기판온도를 자유롭게 조절할 수 있고 화학반응 보다는 물리적인 제어만으로 증착하는 것이다.3) 조립 및 검사① Wafer 자동 ... 의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(7) 패턴의 높이를 측정하여, 식각 속도 및 식각 선택도 계산5. Theoretical background(1) 플라즈마 ... .(2) 반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)반도체의 제조 공정은 크게 ① Wafer(웨이퍼) 제조 및 회로설계 ② Wafer 가공 ③ 조립 및 검사 ④ 포장
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.05.27
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  • 자료 표지
    E-beam evaporator 원리
    고체물리학실험E-beam evaporator? 진공증착의 개요박막을 제조하는 기술은 크게 물리적 방식을 이용하는 Physical Vapor Deposition(PVD)과 화학 ... , EPITAXY, MOCVDSOL-GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법(evaporation)SPUTTERINGDC, RF, DC MAGNETRON, RF MAGNETRONION ... 금속(Au, Al, Ti, Cr, 등)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되며, 이외
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2015.06.12
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  • 자료 표지
    예비-전기도금
    을 이용하여 금속의 표면을 다른 금속의 박막으로 피복하는 기술이다. 도금하고자 하는 금속의 이온을 포함하는 전해액을 이용해 피도금체를 음극(-)으로, 도금하고자 하는 금속 혹은 불용 ... 이 형성된다.물질의 부식 및 내마모, 장식, 고온 부식 억제, 원하는 전기적 성질을 얻기 위하는 등의 목적에서 행해진다. 일반적으로 구리, 금, 은과 같은 반응성과 이온화 경향이 작 ... 에서 전자와 같은 물질이 튀어나오며, 이를 분석하면 표면을 관찰할 수 있는 것이다. 일반적으로 진공의 환경에서 사용되며 표본에 습기가 있어도, 극저온이거나 매우 높은 온도
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.02
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    XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)
    X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)XPS 소개 및 역사 1981 년 노벨상 Kai Siegbahn 이 개발한 분석 기구로써 X-ray 빛을 쏴서 ... , 반도체 , 세라믹스 , 박막 , 유기물 등 다양한 분야에 응용되고 있다 . ▶ 역사 -1887 : Hertz; x- 선 광전자 효과 -1914 : Rutherford; XPS ... 되는 것을 방지하기 위해 10^-5~10^-10 torr 의 높은 진공에서 작업한다.XPS 기기장치 Electron energy analyzer 표면에서 방출되는 전자의 운동에너지
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.05.27 | 수정일 2018.11.12
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  • 자료 표지
    포토리소그라피 공정 반도체 실험 과정과 결과물
    어지는 것은 아니고 박막증착과 식각 등 여타 단위공정과 조합하여야 가능하며, 리소그래피 공정을 통해서는 선택적인 보호막을 형성하여 부분적인 식각이 가능하게 한다.그림1 ... 은 온도에서 soft bake를 실시한다. 잔류 용매로 인한 노광설비 및 마스크 오염을 방지하고 감광제 반응 특성을 일정하게 유지하기 위함인데 일반적으로 90��110도 정도로 가열 ... interconnating 후에는 감광제에 남아있는 유기 용매(Sorvent)를 제거하고 접합을 향상시키기 위해 건조 과정인 Soft Bake를 실시한다. 잔류용매로 인한 노광설비 및 마스크
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 22페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.02.28 | 수정일 2021.07.07
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [나노측정 및 표면 분광학 시험 족보] A+ 학점 취득 확정
    , 접착, 크립 및 마찰 등을계산한다.응용 분야로는 질화티타늄 코팅 점검,금속 결합의 안정성 점검, 박막 접착 성공 유무 점검 등이 있다.CHAPTER 2-2 Atomic Force ... 진공도를 의미한다.1 atm = 1.013 bar = 101,325 Pa = 760 Torr = 760 mmHgUHV를 쓰는 이유 : 1) 원자 스케일로 깨끗한 표면을 사용하기 위해 ... 에서의 조작 및 리소그래피를 할 수 있다.Microscope에는 Contact mode와 Non-contact mode 2가지의 컨셉이 있다.STS는 STM의 갈래로서 Scanning
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    | 시험자료 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
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  • 자료 표지
    VLSI공정 4장 문제정리
    반도체 공정 및 실험 4장윤 혜 정이온주입은 반도체 내부로 불순물 원자들을 주입하는데 사용하는 공정기술로서 반도체 기판의 전기적 성질을 변화시키는데 사용되어 왔다.원래는 불순물 ... 전압의 DC전력이 필요 이온 소스로부터 이온을 발생시키기 위해 핫 필라멘트 또는 RF플라스마 시스템이 사용된다.전력 공급 시스템은 정밀성과 안정성이 요구 또한 대량 생산 가능진공 ... 시스템전체 빔 라인은 이온 궤도에서 활성 이온과 중성 가스 분자 사이에서 충돌을 최소화 하기 위해 높은 진공 조건을 유지해야 한다.충돌은 이온 산란과 손실의 원인이 되며, 이온
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03
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  • 자료 표지
    [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트
    은 식으로 정리된다.C =( k : 비유전율, : 진공의 유전율, d : 전극간 거리, S : 표면적)캐패시턴스를 늘리는 방법은 총 3가지가 존재한다. 단면적을 증가시키거나 전극간 ... 에 누설 전류 특성이 우수한 장점을 갖고 있다. 따라서 HfO2 단일막이나 결정화 억제 및 누설 전류를 더욱 낮춰주기 위해 HfO2와 Al2O3의 적층 구조를 활용한 연구가 주로 진행 ... 별도의 열처리(어닐링) 과정을 통해 결정화를 시켜서 60정도의 유전 상수를 얻을 수 있다. 이러한 열처리는 문제점을 나타낸다. 박막 내부에 존재하는 산소가 하부 전극이나 확산 방지막
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [고분자공학실험]ITO Pattering 공정
    을 습득한다.나. Photo lithorgraphy에 사용하는 각 공정의 원리와 공정 시 주의점을 습득한다.2. 실험 이론 및 원리∴ ITO 패터닝 공정은 크게 Lift off ... 된 필름만이 남게 되는 것이다. 이 방식은 기판위에 PR 패터닝한 후 또 다른 박막을 그 위에 코팅한다. 그리고 PR을 쉽게 제거 즉 lift-off시키면 기판위에는 PR 패턴과는 정 ... 반대의 다른 박막의 패턴이 형성된다.나. Lithography 공정Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05
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  • 자료 표지
    반도체 재료적&전기적 성질에 대한 리포트입니다(재료공학과제)
    < 목 차 >Ⅰ. 반도체 재료1. 반도체개요1-1) 반도체의 성장 p.21-2) 우리나라 반도체 산업의 역사 및 발전상황 p.32. 반도체재료2-1) 반도체재료란? p.82-2 ... 성 p.285-3) 이온성 세라믹 및 고분자의 전기전도 p.316. 결론 p.337. 참고문헌 p.34Ⅰ. 반도체 재료1. 개요1-1) 반도체의 성장19세기 후반에서부터 발전 ... 한 전자의 움직임을 응용한 진공의 발명이 1904년 Fleming의 2극 진공관, 1906년 De Forest의 3극관으로 이어졌고, 이를 이용한 전기 제품들이 개발되었으며 특히 정보
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    | 리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.05.29 | 수정일 2020.11.02
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  • 자료 표지
    반도체 공정 금속,metalization에 대한 발표 자료 입니다.
    Deposition , CVD) 1) 원리 및 특징 - 기체상태의 화합물을 분해하여 웨이퍼 위에 박막을 형성 - 증착실에서 화학 혼합물 반응 할 때 발생하는 화학적 반응 이용 Ⅲ ... 목 차 METALIZATION 이란 ? 금속의 필요조건 및 종류 금속의 증착 방법 금속막 검사 Metal Deposition 실습 Ⅰ. METALIZATION 이란 ? 1 ... 다 . 여기서 IC 단면을 잘라서 본다면 다층배선으로 되어있는데 , 이것은 집적도 향상에 도움을 준다 . Ⅱ. 금속의 필요조건 및 종류 (1/4) 1. 금속의 필요 조건 1). 높은 부착
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    | 리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.03.03
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    리소그라피실습
    : 진공 펌프위에 기판을 고정시킨 후 특정 용액을 뿌려 회전을 통해 박막을 도포시키는 방법으로 두께 조절이 용이하고 균질성이 좋으며 가격이 저렴하다 나 . Spin Coating ... 식각 된 Wafer 을 분석한다배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 ⅰ . Photoresist Photoresist 는 반도체 제조 시 원판 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위하 ... 여 빛을 이용하는 광학 공정에 사용되는 액체이다 .배경이 론 1. 감광액 도포 및 제거 Positive Photoresist 감광액이 입혀진 Wafer 위에 mask 를 씌우고 빛
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    | 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.06.05
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    Nanofabrication by Polymer Self-assembly
    다.Surface Plasmon은 나노 스케일의, 주로 금과 은 등과 같은 금속 박막 표면에 존재하는 자유 전자의 종적인 파동을 말한다. 외부에서 특정한 파장 및 운동량을 갖는 빛이 금속 ... 박막에 입사했을 때 빛이 가진 대부분의 에너지가 금속표면에 있는 자유전자로 전달되어 표면 자유전자의 진동이 발생하는 현상을 Plasmon Resonance 한다. 입사하는 빛 ... 4. Film spin-coating1) 기판을 기기에 올린 뒤 그림과 같이 진공상태로 만들어 기판을 고정한다.2) 톨루엔(0.5 wt%)에 녹인 PS-b-P4VP (41k- 24
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.05.12
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  • 자료 표지
    표면 분석(AES/SAM)
    들은 진공 chamber 속에 장착되어 있다.3.SIMS를 이용한 표면 분석SIMS를 이용한 표면 분석에는 Imaging, 표면 구성 원소의 정성 및 정량 분석, 분자구조 분석 및 ... 의 종류 및 양을 분석해내는 표면 분석 장비이다. 재료의 표면에 입사된 전자는 재료를 구성하고 있는 원자들을 이온화 및 여기시키면서 에너지를 잃고 멈추게 되는데 이 과정에서 형성 ... 되는 excitation volume은 직경 1-2㎛에 달하게 되며 그 안에서는 Auger 전자를 포함한 2차 전자 및 X-ray가 발생하게 된다. 투과 거리가 긴 X-ray의 경우
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 37페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.22
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [연세대학교 재료공학기초실험] SEM을 통한 미세구조 관찰
    10-3Pa이상의 진공 중에 놓여진 시료표면을 1-100nm정도의 미세한 전자선으로 x-y의 이차원방향으로 주사하여 시료표면에서 발생하는 2차전자, 반사전자, 투과전자, 가시광 ... 원통 형태로 대물렌즈 밑에 위치한다. 또한 1차 전자와 고체시료 사이의 작용으로 X-ray 및 장파장의 가시광선이 방출되는데, 이들을 검출하기 위해 EDS(Energy ... 한 검출기와 렌지그 시료와 충돌되어 파손되는 경우가 많이 있다. 따라서 관찰시료는 stage에 맞게 준비해야 한다.② 진공에 대한 조건전자현미경의 시료실은 10-4~10-5torr
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.13 | 수정일 2017.12.19
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  • 자료 표지
    플렉서블디스플레이
    에도 정보전달 및 오락기능 뿐만 아니라 인간과 기계의 상호 작용을 위한 중요한 매개체로서의 역할을 이어나갈 것으로 예상된다.1900년대 초 CRT (Cathode Ray Tube ... 은 최종적인 제품의 구현을 위해 아직도 활발히 개발되어지고 있다.현시대의 소비자들이 Display에 대하여 요구하는 것은 과거와 같이 소형화 경량화 뿐만아니라 편의성 및 높은 내구 ... 성 등등이 있다. 이러한 요구들을 바탕으로 현재 개발중인 전도유망한 기술로는 연속적인 평면 화면을 동적으로 회전시킴으로써 입체감과 입체 정보를 제공하거나, 양안 부등 현상 및 입체
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.12.15
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  • 판매자 표지 자료 표지
    표면개질공학 sputtering 원리와 특징, 현상과 응용
    고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막 thin film 이나 후막 thick film 을 형성하는 경우에 사용 된다.(1) 원리Sputtering은 chamber 내에 공급 ... 되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면, 진공 chamber 내에 Ar과 같은 불활성 기체를 넣고(약 2~15m Torr 정도), c ... 를 보인다. Plasma 내의 Ar+이온은 큰 전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.05
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