"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C."의 검색결과 입니다.

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중앙대학교 공통이미터 전기회로 기초전자회로실험 전자회로설계실습 전기회로설계실습 전원의 출력저항 mosfet의 특성 측정 공통소스증폭기 rlc 인덕턴스

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"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C." 검색결과 2,821-2,840 / 12,176건

[부산대 일반물리학실험 보고서] 교류회로

는 진동수로서 Hz 또는 s-1로 나타내며,PHI는 위상 상수 즉 전압v에 대한 전류i의 위상차를 나타낸다.그림 1-1과 같이 교류 기전력varepsilon를 저항R과 전기 용량이C ... 요소에 걸리는 전압은v _{R} (t)=RI`sin( omegat- PHI),v _{C} (t)= {I} over {omegaC} sin( omegat- PHI- {pi ... 과} over {I _{ac}} = sqrt {R ^{2} +X _{C}^{2}}이다. 그리고 위상 상수PHI는PHI=tan ^{-1} (- {V _{C}} over {V _{R

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.02.15

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4 point probe resistivity measurement 결과보고서

었다.시료 크기에 따른 비저항 측정t=128, D=1cm시료와 t=128, D=2cm시료의 비교I(mA)V(mV)D=1cmD=2cm200.0090.01400.0210.02600.030 ... 의 비교I(mA)V(mV)D=1cmD=2cm200.0080.009400.0150.016600.0230.024800.0290.031000.0370.0351200.0440.0431400 ... 하여 비저항을 구해주면 다음과 같다.비저항(D=1cmD=2cm2561.221.30[표6] 실험(2)의 비저항 값t=512, D=1cm시료와 t=512, D=2cm시료의 비교I(mA

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.13

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일반화학실험 보고서 (공통 이온 효과)

Gen Chem2 Post-lab8; Molar Solubility, Common-Ion Effect1. Objective물에 아주 소량만 녹는 불용성 염(insoluble s ... alt)는 포화 용액에서 왼쪽으로 아주 치우친 평형 상태를 갖는다. 즉 염의 용해도곱 상수(solubility product)와 몰 용해도(molar solubility) 값이 작 ... 은 편이다. 이 때 용액에 염에서 나온 이온을 더 첨가해주면 평형이 더욱 더 왼쪽으로 치우쳐지게 되고 염이 더 녹지 않게 되는데 이러한 현상을 공통 이온 효과(common-ion

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.31

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전자회로실험 결과보고서 - MOSFET 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )

`sim0.000266 이때의K _{p}와 실제 K의 order 차이가 0이라는 점에서 본 실험에서 오차는 주로 저항측정상 오차에 기인했음을 알 수 있다. 이를 방지하기위해 더 정밀 ... .238mA2V5V156uA2.5V12V0.210mA2V2V148uA2.5V10V0.2mA2V1V57.2uA2.5V5V192uA2V0.9V47.1uA2.5V2V164uA2V0.7V ... ~ 에서는 낮은 기울기를 가진 선형함수처럼 동작을 하게된다. 이는 저전압 부근에서는 트라이오드 영역에 있기때문에I _{D} = {1} over {2} mu _{n} C _{ox} {W

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.03

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X선결정학 보고서-질량흡수계수 측정 신소재공학과

. 실험조건- Target : Cu Kα (λ=1.54(?)Å )- 2θ : 26 ~ 30- Scan speed : 1- Increment : 0.03- Tube current : 40 ... mA- Applied voltage : 40kV- Al Foil 두께 : 0.0018 cm4. 실험결과(a) No filter(b) Al ? 1 layer(c) Al ? 1 ... 를 이용하여 식을 정리하면 Ix=I0e-(μ/ρ)ρx 의 형태로 다시 정리할 수 있다.2. 실험방법- Si 시편을 XRD 장치에 장착한다.- 2θ범위, Increment, Scan s

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| 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

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4주차 예비보고서 저항의 합성 및 KCL/KVL 법칙

R_3I_R_i4.386mA2.340mA2.046mAV_R_i4.385V5.615V9.615V(3)V_s2 `=` 0V (즉V_s2를 회로에서 제거,SHORT)로 한 후 각 저항 ... 에 흐르는 전류와 걸리는 전압을 측정하시오.R_1 `R_2 R_3I_R_i3.863mA2.557mA1.306mAV_R_i3.863V6.137V6.137V(4)V_s2 를 다시 연결 ... 고, Multi-meter를 이용해 전류I _{SC}(=I _{3})을 측정, 기록한다.⑤ 이때, Thevenin 등가 저항R_th `는R_th `=` V_oc over I_sc

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| 리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.11.19 | 수정일 2020.09.21

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일반물리학 등가속도 운동

중력 x costheta ) -> mg? 중력 : 지구의 만유인력과 자전에 의한 원심력을 합한 힘으로 지구가 물체를 잡아당기는 힘.- 물체가 수평 방향으로 받는 힘 : 운동마찰력 ... ->mu _{k} N= mu _{k} mg- 등가속도 운동학 수식 : 등가속도 운동학 수식은 총 3가지가 있는데v _{fs} =v _{is} +a _{s} TRIANGLE t,s ... _{f} =s _{i} +v _{is} TRIANGLE t+ {1} over {2} a _{s} ( TRIANGLE t) ^{2},v _{fs} ^{2} =v _{is} ^{2}

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.16 | 수정일 2020.07.25

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회전장치에 의한 관성모멘트 측정 결과레포트

_{2})1.451.421.481.441.571.4722) 실험값총 관성모멘트 :I =101096.2725g·cm^2회전축과 수평막대의 관성모멘트 :I _{0} =7090.4214`g ... } = sum _{i} ^{} K _{i} = sum _{i} ^{} {1} over {2} m _{i} v _{i}^{2} = sum _{i} ^{} {1} over {2} m _{i ... } r _{i}^{2} w ^{2} = {1} over {2} sum _{i} ^{} m _{i} r _{i}^{2} w ^{2} ---(1)이며, 관성 모멘트I를 다음과 같이

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| 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.01.05

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6주차 결과보고서- 전압분배 공통에미터, 콜렉터 증폭기

{120K} -0.6V=3.4V#``I _{E} ````````= {V _{RE}} over {R _{E}} = {3.4V} over {2.8K} =1.214mA#r _{e ... #``I _{E} ````````= {V _{RE}} over {R _{E}} = {4.2V} over {2.6K} =1.615mA#r _{e} ^{prime } image 26mV/I ... 회로에는 ac source에 대한 정보가 없지만 뒤의 실험순서에서 1kHz, 100mVp-p를 인가해야 하므로 처음부터 인가한 후 실험을 진행하였다. 표 11-1의 계산값과 측정값

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.02 | 수정일 2020.09.21

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The Love Song of J. Alfred Prufrock2

persona che mai tornasse al mondo, 사람들에게 하는 것이라고 내가 생각한다면생각한다면,Questa fiamma staria senza piu scosse. 이 불꽃 ... The Love Song of J. Alfred PrufrockS'io credesse che mia risposta fosse 만일 내 대답이 저 세상으로 돌아간A ... 은 더 이상 나풀거리지 않으리라않으리라.Ma perciocche giammai di questo fondo 그러나 내가 들은 바로는 어느 누구도Non torno vivo alcun

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| 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.06.28 | 수정일 2019.06.30

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1주차 결과보고서

) DC power supply를 ON 시키고 전압V_cc을 5V로 설정하시오. Multi-meter로 전압을 측정하시오.: 측정된 전압V_cc = 5.00V- DC power s ... 있기 때문이다.4.2 기본 실험 (전압원 2개)(1)V_s1 = 10V `,``V_s2 = 2V로 설정하고 측정치를 적으시오.: 측정된 전압 값V_s1 `=` 10.01VV_s2 ... `=6mA ,V_R `=6V이론값측정값{측정값 - 이론값} over 이론값 times 100 (%)V_R `6V5.99V0.16%I_R `0.006A0.0061A1.66%2. 실험결과

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| 리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.11.19 | 수정일 2020.09.21

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회로 이론 실험 결과보고서 - 전기회로의 응용

_{L}}6.998(c)P _{L} =I _{L}^{2} R _{L}6.933P _{S} (전압원에서의`생산전력)P _{S} =V _{S} `I _{L}8.34?P _{L} (R ... _{L} 에서의`소비전력)값이 계산 과정 (a),(b),(c)에서 모두 이론적 결과인 6.941mW와 유 사하게 나옴을 확인할 수 있다.?P _{S} (전압원에서의`생산전력)은R ... 데이터R _{l}, [kOMEGA ]R _{L}, [kOMEGA ]R _{l}+R _{L}, [kOMEGA ]I _{L}, [mA]P _{L}, [mW]P _{S}, [mW]정격

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.03.26

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프랑스어 apprendre 동사

avoir vendu ma voiture.나는 그에게 내 차를 팔았음을 알려 주었다.3) Apprenez-lui cet echec en y mettant des formes.실패한 사실 ... 동사+직?목+apprendre]1) J'ai appris par hasard un secret.나는 우연히 비밀을 알게 되었다.2) Depuis qu'il a appris c ... 아이에게 읽는 것을 가르쳐 주다.3) On doit apprendre aux enfants a faire attention a la circulation.어린이에게는 도로 감각

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.13

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힘과 가속도(Force and Acceleration) 실험 보고서

위치를 수레의 출발위치x_s로 정한다.우리 조의x_s는 눈금자의 30cm로 정하였다.⑥x _{s}로부터 10cm 오른쪽으로 떨어진 위치에 포토게이트 1을 설치한다(x _{0}=40c ... 하고 두 포토게이트의 위치x _{0} (40cm)와x(60cm)를 측정한다. 우리조의x-x_0=20cm③ 포토게이트 계시기의 측정모드를 GATE로 선택한다.x_s에서 차를 출발 ... 그래프의 기울기는 가속도a이고 28.937cm/s ^{2}로 나왔다. 이론 가속도a는 28.7cm/s ^{2}가 나와 상대오차는 0.697%이 나왔다.그래프 2는 두 포토게이트 사이

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.16

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PEMFC, DSSC 결과보고서

다. 우리가 수한 실험 그래프에서는 전류밀도가 약 4mA/cm2가 activation loss가 일어나는 곳이라고 생각한다. 두 번째 region of ohmic은 첫 번째 구간 ... 보다 기울기가 완만한데 우리가 구한 그래프에서 전류밀도가 4~240mA/cm2라고 생각한다. 기울기가 완만해지는 이유는 저항 손실(ohmic loss)때문인데 전해질을 통과하는 이온 ... 가 가파른 구간인 전류밀도가 240mA/cm2이상이라고 생각한다. 기울기가 가파르게 일어나는 원인은 전기화학 반응에 의해 반응물이 빨리 소비되어 반응물의 농도는 낮고 생성물의 농도는 높

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| 리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.12.03

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기초전자회로 및 실험 - MOSFET 특성

of ExperimentIn this experiment, we will understand electronic characteristic of MOSFET such as I-V ... different values of so as to cover both cut-off and saturation region.2) Measure curve of NMOS and PMOS ... for 4 different values of so as to cover both cut-off and saturation region.3) Measure curve of

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.26 | 수정일 2021.09.23

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X선결정학 보고서 dspacing 을 이용한 XRD data 보정 후 격자상수 구하기 신소재공학과

qrt {{h ^{2} +hk+k ^{2}} over {( sqrt {3} a/2) ^{2}} + {l ^{2}} over {c ^{2}}}} 와 위의 브래그법칙을 활용하여 격자상수 ... current : 40mA- Applied voltage : 40V3. XRD data of Si doped InSe alloys(a) XRD data InSe & InSe_Si ... % doped2Θ10.5˚21.25˚45.1˚Intensity126612350270(002)(004)(110)(b) d-spacing calculation현재 데이터는 XRD 장비

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

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경비실 적산 내역서 예시

""421,184 "합 계"294,484 ""126,700 ""421,184 "도장공사수성페인트㎡14.2 701 "9,954 ""4,306 ""61,145 ""71,099 "합 ... ,660 "유리공사" 294,484 "" 126,700 "" 421,184 "도장공사" 9,954 "" 61,145 "" 71,099 "잡공사" 590,697 "" 387,534 ... '[ 소 계 ]"3,887,698"'''C2'경 비'기 계 경 비'''C4'산 재 보 험 료"147,733"'노무비 * 3.8%''C5'고 용 보 험 료"54,039"'노무비 * 1

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| 리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.29

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전자 회로 옴의 법칙

전자회로와 계측법(실험)옴의 법칙Ohm’s Law1. 실험 목적실험을 통해 병렬회로, 직렬회로에서 옴의 법칙과 키르히호프의 법칙을 증명할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 각 저항 ... (A)= {전압(V)} over {저항( ohm)}어떤 저항체에 걸리는 전압 V(Voltage)와 여기서 흐르는 전류 I(Intensity of current)사이에는 위와 같 ... 은 방정식이 성립한다.2) 전자기학에서 미시적인 옴의 법칙J= sigmaE여기서J는 전류 밀도,sigma는 전기 전도도,E는 전기장의 세기이다. 이 식으로부터 회로에서 사용되는 거시

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.18

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[이학전자학실험보고서] 트랜지스터실험보고서

스전압이 달라져 동작점이 이동하면 증폭효과도 달라짐을 유의하여야 한다. 예를 들어, (그림3-4)에서 C 점에 동작점이 설정이 되었다고 하면, 베이스전류가0.5mA에서 0.4 mA ... ,p-p=0.2mA, ic,p-p=15mA, Vce,p-p=3.6V정도가 된다.이때 출력전류와 입력전류의 비인 전류증폭계수를 계산하면의 큰 값을 얻게된다. 공통 에미터접지의 경우 ... 로 줄어들 때는 그림3의 경우와 마찬가지로 증폭이 되지만, 0.6 mA로 늘어날 때는 증폭이 덜 됨을 알 수 있다 이 경우에는 출력파형이 입력파형을 닮지않고 찌그러지게된다.(4

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| 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.08.24

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