전자회로실험 결과보고서 - MOSFET 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )
- 최초 등록일
- 2020.12.03
- 최종 저작일
- 2020.01
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소개글
"전자회로실험 결과보고서 - MOSFET 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험결과 및 고찰
2. 질문
3. 참조문헌
본문내용
2. 질문
1) 문턱전압은 DVM에 병렬연결된 저항값에 따라 변하는가?
그렇지 않다. 실험 결과에서 보듯이 병렬연결된 저항에 영향을 받지 않는다.
2) DVM은 전압측정 이외에 어떠한 역할을 하는가?
DVM은 저항을 측정하는 기기이며, 이는 내부저항이 매우 크다. 따라서 ‘근사적으로’ 개방회로처럼 동작하게 해주는 아주 큰 저항이다.
3) 문턱전압은 트랜지스터의 동작과 어떠한 관계가 있는가?
MOSFET에서 채널이 형성되기 위해서는 VGS > Vt 가 되어야 한다. Vt 값인 문턱 전압의 값이 높다면 채널을 형성하기위한 소모전압의 값이 커지게 되고 VGS 값이 이보다 작을 경우 차단모드로 들어가게된다. 포화영역에서 작동하기 위해선 Vt<VGS-VDS이다. Vt값이 크게되면 더 큰 VGS을 필요로 하거나, 더 작은 VDS값을 필요로 한다. 즉 트라이오드 영역의 드레인 전류 iD = K[2(vGS – Vt)VDS – VDS2] , 포화 영역에서의 드레인 전류 iD = K(VGS – Vt)2 식에 이 값을 대입해보면 문턱전압값이 클수록 작은 드레인 전류값이 발생함을 알 수 있다.
참고 자료
Sedra, A., &Smith, K. C. (n.d.). Laboratory manual for microelectronic circuits (3rd ed., Vol. 1). Fort Worth, TX: Saunders College Pub.
Razavi, B. (2014). Fundamentals of microelectronics (2nd ed., Vol. 1). Hoboken, NJ: Wiley, John Wiley &Sons, Inc.
