"트랜지스터논리게이트"의 검색결과 입니다.

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"트랜지스터논리게이트" 검색결과 241-260 / 554건

TTL_NAND_NOR_게이트의_정의와_동작

② TTL 게이트의 부하법의 결정③ 논리 1과 0의 레벨정의④ TTL 게이트의 잡음내력⑤ 정논리와 부논리의 비교⑥ TTL의 동작전환 속도에 미치는 용량성 부하의 효과2) 관련 이론 ... 집적회로이며, TTL 게이트의 여덟가지 종류의 이름과 특성 및 전파 지연 시간과 전력 소모 등이 아래 표에 표시되어 있다. TTL의 종류는 회로에 사용되는 저항 값과 트랜지스터 ... 의 종류에 의해 구분되며, 저전력 쇼트키(LS)의 형태가 가장 많이 사용되고 있다.기본 게이트에서 속도와 전력의 곱(speed-power product)이라는 상수는 논리군이 주어진

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.21

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반도체소자와공정-1

(Transistor Transistor Logic)트랜지스터로 구성되어 있는 회로로서 1964년 TI사에 의해 발표되었다. 고속응답과 사용이 간편하다.(전파지연시간 8ns/게이트) 소비전력 ... 하다. 다른 논리 회로와 혼용이 어렵다.ECL OR/NOT 게이트의 기본구조2) 유니폴라 IC(Uni-polar IC)유니폴라 IC란 전자와 정공 중 하나만 사용하기 때문에 유니폴라 ... 이 작다 집적도가 높다. 잡음의 여유(noise margin)가 작다.TTL NAND 게이트의 기본구조② ECL(Emitter Coupled Logic)ECL은 TTL보다 고속이

리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21

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디지털 게이트의 전기적 특성

있다. 기본 논리동작을 수행하도록 다이오드, 트랜지스터, 저항들의 소자를 사용하여 구성한 디지털회로를 논리게이트라 하며, 기본 논리 게이트에는 AND, OR 및 NOT게이트가 있 ... 3. 디지털 게이트의 전기적 특성1. 목적? AND, OR, NOT, NAND, NOR, Exclusive-OR 및 Exclusive-NOR게이트의 기본 논리기능과 구성방법 ... )에서 첫글자를 따온 말이다. 디지털 회로에서 사용되는 각종 논리용 소자중에서, 입력을 트랜지스터로 받아들이고, 출력 또한 트랜지스터인 소자를 말한다. 표준TTL, 고속TTL(H

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.14

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기초실험및설계 : 기본 논리 게이트 예비보고서

, AND, OR과 같은 게이트들은 모두 실제 회로로 구현 가능하다. 실제 회로에는 트랜지스터들을 이용하여 게이트들을 구현한다. BJT로 구현한 게이트를 TTL, MOSFET으로 구현 ... 한 게이트를 CMOS 논리 IC라고 한다. TTL은 초창기에 많이 사용하였었는데, CMOS에 비해 소비전력이 크고 집적화가 힘들어 현재는 CMOS 논리 IC를 주로 사용 ... .논리 게이트의 입력 신호 상태가 변하면 출력 상태가 변하는데 약간의 딜레이가 존재한다. 이것을 Propagation delay 또는 Gate delay, 전달 지연이라 한다

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.28

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op-amp 이용현황보고서

, 다이오드 등 연산증폭기의 외부회로에 붙은 몇 가지 소자를 바꿈으로써 여러 가지 선형 또는 비선형 동작을 안정되게 행할 수 있다. 연산증폭기는 증폭율이 매우 크게 트랜지스터 등 ... 는 내는 회로는 도난방지라든가 깜짝 상자(놀라게 하는 장난감)에 응용할 수 있다.그림(a)에는 트랜지스터 Q1에 의한 발진 회로 구성도이다. 저항 R1은 출력의 레벨 및 음질을 결정 ... 한다. 전원은 전지 2개에 의하여 3V로 하고 단추를 누르면 SCR의 게이트와 애노우드가 단락되어 ON이 된다. SCR는 한번 ON이 되면 전원 전압이 0이 되지 않는 한 OFF

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.22

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MOSFET(모스펫)

. 모스펫 구조3. 동작 종류4. 몸체 효과Ⅵ. 모스펫의 종류1. 이중 게이트 모스펫2. 공핍형 모스펫3. 엔모스 논리4. 전력 모스펫5. 디모스Ⅶ. 모스펫 아날로그 스위치1. 단독 ... 발생4) 게이트 산화물 누설5) 공정 변이Ⅰ. MOSFET의 정의금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (metal-oxide-semiconductor field-effect ... 나, 현재는 폴리실리콘 게이트 를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터( insulated-gate field-effect

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.13

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실험 2. CMOS 회로의 전기적 특성 예비보고서

의 동작< CMOS 인버터 논리 동작 > < 논리 기호>< 기능적인 동작 >기본적인 CMOS 인버터는 그림과 같이 각 형태의 트랜지스터 하나씩만 연결되어야 한다. 보통의 범위이고 ... 한 한 수식으로 쓰시오.(1) CMOS Inverter의 동작에 대해 설명하시오. 또한, CMOS NAND 게이트와 NOR 게이트의 회로도를 그려 보시오.1. CMOS Inverter ... , TTL과의 호환을 위해서 대개 5V로 설정된다.CMOS 인버터회로의 기능적인 동작을 보면,1.이 0V일 경우 아래쪽의 n채널 트랜지스터 Q1은가 0이기 때문에 OFF가 되

리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.01.11

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2장 . 디지털 논리회로 개론 . 결과보고서

2장 . 디지털 논리회로 개론1. 실험 목적▶ 각종 기본 논리게이트의 특성 이해2. 관련 이론● AND gate- 표현방법 : dot product (.) 혹은 아무런 표시 없이 ... . 기기 및 디지털소자 리스트? 실험용 기기의 리스트- 파워서플라이- 디지털멀티미터- 오실로스코프? 디지털소자의 리스트- 다이오드- 저항 : 4.7k, 1k- NPN트랜지스터4. 실험

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.10.16 | 수정일 2013.10.19

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게이트 레벨 혹은 스위치 모델 dff (데이터 플립플롭)

게이트(혹은 스위치) 레벨 dff소개글Verilog HDL을 이용한 디지털 논리 회로 dff회로를Nand Gate를 이용한 게이트 레벨 회로 설계Pmos와 Nmos ... 하여그 기능을 확인하였다.(작성자:탁형옥 2012.7.27)게이트 레벨 dff 모듈`timescale 1ps/1psmodule dff_g ( output q,qn, input clk ... #pd T3 (clk,vcc,clk_n) ;pulldown(clk);endmodule스위치 모델 (트랜지스터 모델) dff// 모듈:dff_using_latch// 파일이름:dff

리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.27

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대기업 기출 면접 질문 모음 + 예상 답변 모음

소통을 잘해야 한다고 생각합니다. 또한, 회의에서 논리적으로 상대방을 설득하지 못한다면 많은 일을 떠안게 되는 것을 보았습니다.20. 토익점수를 어떻게 획득했는가?- 인강으로 기초 ... 기 위해 이동하면서 전류가 만들어집니다. 그리고 대표적인 트랜지스터에는 BJT와 FET이 있습니다. BJT(Bipolar Junction Transistor) : 전류구동방식이 ... 합니다.FET(Field Effect Transistor) : 전압구동방식이며 게이트, 소스, 드레인으로 구성되어 있습니다. 전자 혹은 정공 중 하나만 전류흐름에 관여합니다.45

자기소개서 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.09.19

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D 플립플롭실험 보고서

1. 실험제목- D 플립플랍2. 실험목적- NAND 게이트를 이용한 비동기식 D 플립플랍의 사용법에 대해 알아본다.3. 실험장비 및 부품-저항발광 다이오드전원공급장치브래드 보드 ... 74LS744. 이론- 순서 논리회로란 입력신호의 순서에 따라서 동작 및 출력이 달라지는 논리회로를 뜻한다. 순서논리회로를 구성하는 기본소자는 플립플롭이다. 플립플롭은 두 가지상태 ... 를 저장할 수 있는 능력을 가지고 있다. 여러 개의 트랜지스터로 만들어지며 SRAM이나 하드웨어 레지스터 등을 구성하는데 사용되며, 플립플롭에는 RS 플립플롭, D 플립플롭, JK

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.10

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디지털 bjt 에대해

과 트랜지스터를 이용하여 논리 게이트를 실현한 것이다. RTL 논리 계열의 기본적인 게이트는 NOR 게이트이다. 이 회로는 트랜지스터의 컬렉터가 모두 연결되어 있고, 회로의 전압이 낮 ... 2L은 저항도 isolation도 필요로 하지않는 면적 활용도가 높은 논리게이트 개념이다.I2L에서는 pnp 트랜지스터의 에미터와 베이스 사이에 걸어준 전압의 크기에 따라서 게이트 ... 에서 베이스(Base)저항을 제거한 것으로 기본 동작은 RTL과 같다.DCTL은 NOR gate로 이 게이트에서는 npn 트랜지스터가 콜렉터를 공유하므로 이들 트랜지스터를 하나의 n영역

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.07 | 수정일 2021.10.30

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RS 플립플롭 실험 보고서

- RS 플립플랍2. 실험목적- NAND 게이트를 이용한 비동기식 RS 플립플랍의 사용법에 대해 알아본다.3. 실험장비 및 부품-저항발광 다이오드전원공급장치브래드 보드74LS004 ... . 이론- 순서 논리회로란 입력신호의 순서에 따라서 동작 및 출력이 달라지는 논리회로를 뜻한다. 순서논리회로를 구성하는 기본소자는 플립플롭이다. 플립플롭은 두 가지상태 사이를 번갈 ... 있는 능력을 가지고 있다. 여러 개의 트랜지스터로 만들어지며 SRAM이나 하드웨어 레지스터 등을 구성하는데 사용되며, 플립플롭에는 RS 플립플롭, D 플립플롭, JK 플립플롭, T

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.12

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인코더와 디코더 실습 보고서

20를 나타내는 2개의 출력 단자에 “1”출력을 발생한다.7을 입력하면 2²와 2¹와 20 등 3군데에 출력이 나온다.다이오드메트릭스게이트나 논리회로의 조합으로 구성되며 대표적인 ... 감소하지만 소비 전력 감소는 거의 미미하다. (c), (d)의 경우 CMOS는 MOS 트랜지스터가 전압구동 소자이므로 풀업/풀다운 저항의 여부에 관계없이 게이트 전류가 거의 흐르 ... 가 흘러들어오면서 L 상태의 논리값이 출력되고, 트랜지스터가 OFF 되면 풀업 저항에 의하여 부하에 source current가 흘러나가면서 출력단 신호가 플로팅 되지 않고 H 상태

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.30

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판매자 표지

1.Basic Gates[예비]

하여 구성하라.☞ XOR(exclusive-OR) 게이트는 두 개의 입력 단자에서 같은 입력이 주어지면 ‘0’이 출력되 고, 서로 다른 값이 입력되면 ‘1’이 출력된다. ... - Boolean equation:- 위 식을 변형하면이 되므로NAND 게이트로 XOR 게이트를 구성할 수 있다. 회로는 아래와 같다.ABCLLLLHHHLHHHL5. open-collector ... type의 IC에 대해 설명하고 pull-up 저항에 대해 알아보라.① 오픈 콜렉터는 위의 그림과 같이 트랜지스터의 콜렉터가 부하저항 없이 그대로 밖으로 개방되어 출력되는 구조

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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다이오드를 이용한 반파정류 실험

.온도에 따른 다이오드의 특성? 일정 전압 조건에서 온도가 증가하면 전류 증가? 일정 전류 조건에서 온도가 1도 상승하면 다이오드 전압은 2mV 감소된다다이오드 논리 게이트 ... (Diode Logic Gate) 다이오드를 이용한 OR게이트다이오드와 저항을 이용하여 디지탈 논리 함수를 구현할 수 있다. 그림 13-1(a)는 OR 게이트를 나타낸다. "0"은 0V ... 한 다이오드 논리 게이트는 문제점을 갖고 있다. 입력들 중 하나가 고레벨 즉, +5V일 때, 출력은 고레벨이 될 것이다. 그러나, 그 크기는다이오드의 전압강하(=0.7V) 때문에, +5

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.10

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(예비)MOSFET 이용 스위칭 회로 구성

MOSFET 이용 스위칭 회로 구성이 름 :학 번 :실 험 조 : 10조실험날짜 : 2012. 11. 211. 실험목적실제 상황에서는 단순히 논리적인 On/Off 만 필요한 것 ... 는 장치까지 함께 필요한 것이다. 이런 목적으로 사용되는 것이 트랜지스터이다. MOSFET의 구동박식은 전압 구동을 이용하며 반도체 기억 소자로 직접도를 높일 수 있는 특징이 있어 대 ... 는 입력 임피던스가 매우 높습니다. 게이트를 구동할수 있는 전압만 있다면 전류 가 조금 필요합니다. 단 출력임피던스도 높다.- FET는 간단한 구조로 소형으로 만들 수 있고 전력소비

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.28

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노벨과학에세이대회 (노벨에세이 수상작)

로 뛰었다. 이 계산기에는 4개의 집이 들어가는데, 이 4개의 칩 속에 535개의 논리 게이트가 들어 있었다. 칩의 응용은 디지털 손목시계가 되기도 했다. ... 는 킬비가 물리학 교육을 받은 적이 없는 사람임에도 그에게 노벨 물리학상이라는 영예를 안겨 주었으며, 인류의 기계문명에 엄청난 진보를 가져왔다.1947년, 트랜지스터의 발명은 혁신적이 ... 었다. 진공 상태도, 뜨거운 열도 아무것도 필요 없었다. 크기 또한 이전 세대의 진공관과 비교하여 크기가 엄청나게 축소되었으며, 속도도 한층 더 빨라졌다. 이 트랜지스터를 연결

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.10.08

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[ FET ]에 대하여

transistor, FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전계에 의하여 전자 또는 정공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이 ... 다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 유니폴라 트랜지스터로 분류된다.전계효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 ... 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있어 구조의 긴요해서 접합

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.17

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컴퓨터구조 1장 노트정리

= emulatorHardware로 구현 = Hardware? 논리게이트논 리 : 0 , 1gate : 입력 & 출력변 수 : 기억장치변수명 : 기억장치이름?조합회로 디코더인코더멀티플렉서2009. 9. 9 ... 이하의 독립적인 게이트가 하나의 칩에 포함게이트의 입·출력이 바로 외부 핀과 연결 ex) 트랜지스터(TR)- 중규모 집적 장치(Medium - Scale Integration ... 마이크로컴퓨터 칩V전자 회로 (TR)- TTL 트랜지스터 - 트랜지스터 논리P- ECL 에미터 - 결합 논리- MOS 금속 - 산화물 반도체- CMOS 상보 금속 - 산화물

시험자료 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.28

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