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중앙대학교 공통이미터 전기회로 기초전자회로실험 전자회로설계실습 전기회로설계실습 전원의 출력저항 mosfet의 특성 측정 공통소스증폭기 rlc 인덕턴스
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"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C." 검색결과 2,461-2,480 / 12,176건

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    APP UIUX MD시각으로구성해본 한국스카우트연맹 웹리뉴얼 기획서
    - GNB 메뉴 숨김 https://datacenter.navercorp.com/ http://www.sknexilis.com/kr/ https://now.naver.com ... /about http://www.artgy.or.kr/MA/MA0001V.aspx https://chicor.com/main http://www.kne.co.kr/2020 UXUI 리뉴얼 ... Web Renewal # 리뉴얼사이트 # 한국스카우트 연맹 #web desginer SON HWA# 최근 트랜드 동향 # 메인화면 √ 기업이미지 히어로 상징과 동적인 표현
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.18 | 수정일 2021.05.02
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    일반 물리학 및 실험2, 교류 회로 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)
    은Z= sqrt {R ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}}과 같다.3. RC 회로에서 임피던스가 단순한 합이 되지 않는 이유를 R회로와 C회로를 이용하여 설명 ... 한다.직렬로 연결된 RC회로에 전압을 정연파로 인가하면, 저항의 전압V _{R}이 전원전압V _{S}보다 앞서서 나타나고, 커패시터의 전압V _{C}는 전원전압V _{S}보다 뒤쳐져 ... 하고, 이론값과 비교한다.실험 결과실험 1함수 발생기의 기전력 [V]오실로스코프의 기전력 [V]전류 [mA]저항 이론값 [Ω]저항 측정값 [Ω]오차율 [%]10.29220
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.19
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    현장 안전관리 (중국어)
    . 중국인이세요?A. 是中?人?？shi zh?ng guo ren ma ？A. 한국말 할 줄 아세요?A. ?????？hui han guo hua ma ？B. 못 합니다.B. 不?bu ... 습니다.??新??育?在?始。出口是?里和?里。?生?在?里和?里。xian ch?ng x?n gu? jiao yu xian zai k?i sh? 。ch? k?u shi zhe l? he ... 0di?n k?i sh? ，w? hui 0di?n k?i sh? 。조회 참식시 안전대, 안전모, 각반 꼭 착용한다.?加早??一定要戴安全?，安全帽，??c?n ji? z?o hui s
    Non-Ai HUMAN
    | 서식 | 57페이지 | 10,000원 | 등록일 2017.05.05
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    일반물리실험 경사면 운동 결과보고서
    물체가 각이theta 인 지면을 내려올 때의F=mgsin theta 이다. 뉴턴 제2법칙F=ma를 적용하면ma=mgsin theta 이므로경사면에서의g= {a} over {sin ... theta }이다.g={a} over {sin theta }이다.뉴턴 제2법칙ma=mgsin theta 이므로`정리하면`g= {a} over {sin theta }초고속 카메라 ... 한 길이는 30cm-1.8cm(독서대 앞의 튀어나온 부분)-2.5cm(나무도막)= 25.7cm이다.*독서대의 각도theta 1=64 ^{ omicron }#theta 2=49
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.10
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    충북대학교 전자공학부 기초회로실험II 예비보고서 실험 13. CMOS-TTL interface
    어짐.(a) Inverter· MOSFET의 특성① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도② p-channel MOS는 gate-cource 전압 ... 면 두 개의 FET gate전압이 low가 되는 상태임.p-channel FET과 n-channel FET의 source에 대해 각각 gate 입력이 -VDD, 0[V]이므로, p ... 면 그 입력에 연결된 p-channel FET는 off되고,n-channel FET는 on되어 출력은 low가 됨.(2) CMOS와 TTL의 interface(a) 전류 sink
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.19
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    충북대학교 전자공학부 기초회로실험 직렬 및 병렬 회로의 응용 결과 보고서
    =10V 일 때,I_s}, I_{1}, I_2를 측정하고 이론치와 비교하라.☞이론치측정치I_S15mA15.289mAI_110mA10.218mAI_25mA5.124mA(c)V_S=10V ... Ω,R _{2}=1kΩ,R _{3}=1kΩ를 각각 측정하라.☞R _{1}=0.9869kΩR _{2}=0.9845kΩR _{3}=0.9855kΩ(b) 의 회로를 구성한 후,V_S ... } ,`R _{B,`} R _{C} 값을 계산하라.의 회로를 구성하고, 단자 ⓐ-ⓑ, ⓑ-ⓒ 및 ⓒ-ⓐ 사이의 저항을 측정하여 기록하라. (5)에서의 측정한 단자 저항과 비교하라
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.27 | 수정일 2020.09.15
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    일반물리학실험 보고서 '원운동과 구심력'(A+) - 부산대학교 기계공학부
    반경 :r=15cm=0.15mM(kg)구심력(Mg)10회 회전 시간(s)주기T(s)1/T ^{2}10.10.9811.191.1190.798620.090.8811.881.1880 ... =0.05kg - 추와 추걸이의 무게로 측정된 구심력 :Mg=0.49N - 반경 (측면 지지대의 위치) :r=15cm=0.15mM(kg)10회 회전 시간(s)주기T(s)계산한 구심력 ... theta -vsin theta } over {TRIANGLE t} =- {2vsin theta } over {2r theta /v} =- {v ^{2}} over {r} {s
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.21 | 수정일 2020.12.26
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    [A+보고서] 중앙대 전기회로설계실습 예비보고서 3. 분압기(Voltage Divider) 설계
    이 12 V로 고정되어 있는 한 대의 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3 mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기 ... 있다.또한, ohm’s law를 사용하여 정격전류가 3mA가 되려면 두 저항의 합성저항을R_eq라 하면,I= {V _{Total}} over {R _{eq}} ,`````0.003 ... DC Power supply(Max 20 이상) : 1대Digital Oscillo 오실로스코프(Probe 2 개 포함) : 1대Digital Multimeter(이하 DMM
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.11
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    기초전기실험 결과보고서 DC10 Superposition Theorem
    ``mA=> 계산값과 측정값 모두 키르히호프의 전류 법칙을 만족한다.(c) 계산값과 측정값을 비교하고, 중첩이론이 적용되는지 확인하여라. (part(3))->계산값과 측정값이 비슷 ... {1292.4 OMEGA}over {2150 OMEGA} = 2.43``mAI_3 = 4.04V TIMES {1292.4 OMEGA}over {3240 OMEGA} = 1.61``mA ... 하고 오차도 적으므로 중첩이론이 성립한다고 할 수 있다.TABLE 10.1E _{1} (Part(a))E _{2} (Part(b))E _{T} (Part(c
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.03 | 수정일 2020.10.06
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 12. MOSFET 차동증폭기
    .141.762.032.22.372.512.662.77I _{D} (mA)000.0470.1280.2210.2890.3170.4700.562#3012345678R _{D} (V)0 ... [실험 12. MOSFET 차동증폭기(결과보고서)]1. 실험결과1) CD4007UB pin 배열 확인2) 문턱 전압과 k 값의 측정#1012345678R _{D} (V)0 ... .0221.22.223.334.355.376.47.418.26V _{DS} (V)0.011.211.792.052.222.392.512.642.75I _{D} (mA)000.0370
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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  • 자료 표지
    일반물리학실험 보고서 '교류회로'(A+) - 부산대학교 기계공학부
    ```````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````````#v _{C} = {q} over {C} = {1} over {C} int _{} ^{} {i`dt ... 과 같이 표현된다.varepsilon =v _{R} +v _{C}#```=`iR+ {1} over {C} int _{} ^{} {i`dt}두 번째 식을 세 번째와 네 번째 식에 대입 ... )````````````````````````````````````````````````````````````````````````````#v _{C} (t)=`- {I} over {wC} cos(wt- PHI
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.21 | 수정일 2020.12.26
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  • 자료 표지
    21장 다단 증폭기 RC 결합 예비레포트
    Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410[2] http://college.kangwon.ac.kr/include/board ... 하라.x=, y=다음 식을 이용해b.로 설정하고 그림 21-3의 회로를 구성하라.c.직류 바이어스 전압을 측정하라.직류 바이어스 조건에서직류 바이어스 조건에서 값을 계산하라.순서 2 ... (a)에서 계산한 직류 바이어스 값과 순서 2(c)에서 측정한 값을 비교하라.J2N3819계산값J2N3819측정값J2N3823계산값J2N3823측정값1.347412.2298V12
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.11
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  • 자료 표지
    Biasing and Common-Source Amplifier 11주차 예비보고서
    을 구한다.7) 1)~3)의 과정을 반복하고 Drain current를 80mA까지 올린 후 Vdd를 측정하고 Vt를 구한다.3.3.2 Common-source amplifier ... 하고 Vdd=0V로 한다.2) Vdd를 증가시키면서 Drain current를 측정한다.3) Drain current가 20mA가 될 때까지 Vdd를 올린다.4) gm은 동작점 ... without source (feedback) resistor1) 위의 회로를 구성한다.2) Vsig=off 상태에서 ID, VDS, VGS를 측정한다.3)ID=20mA로 가변저항
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.04
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  • 자료 표지
    실험레포트 - (예비) LC회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직,병렬 회로의 임피던스 측정
    252mV0.795mA316.982222.72sqrt { V_R^2 + V_C^2}theta1.7688.23X_C = { V_C} over {I_C }로 구하고,theta ... mA31593849.58sqrt { V_R^2 + V_L^2}theta1.76854.99X_L = V_L over I_L , theta =tan^-1 ( { omegaL ... } over {R } )을 이용하여 구한다.(2) RLC 직렬회로- RLC회로의 임피던스이론V_p-pV_RV_LV_CI_TX_LX_C5V1.084V1.553V0.156V0.492mA3141
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.28
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  • 자료 표지
    RLC 병렬 회로 결과보고서
    _{R}의 합이다.I _{L}>I _{C}: 유도성 회로 ,I _{L}LEFT | Z _{AB} RIGHT | = sqrt {R _{C} ^{2} +X _{C} ^{2}} 이때 전류 ... }} =tan ^{-1} {V _{C}} over {V _{RC}}분로 CD의 임피던스와 전류I _{CD} ->LEFT | Z _{CD} RIGHT | = sqrt {R _{C ... 이 잘 안 나왔었다. 회로연결을 직렬연결일 때 잘하는데 병렬연결을 하자니 헷갈렸다.표 15-3I _{min} [mA]I _{C} [mA]I _{L} [mA]공진주파수[kHz]L[mH
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.03
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  • 판매자 표지 자료 표지
    세계태권도본부 자소서작성 성공패턴과 면접기출문제와 예상문제
    은가요? 54) Pardon, ma'am?55) I am sorry, I didn't hear you.56) Excuse me, I didn't hear what you said ... .57) I am sorry, I couldn't follow you.58) I am afraid I didn't understand your question.59) I didn't ... quite catch what you said, sir.60) I am sorry, but would you say that again, please?61) Would you
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    | 자기소개서 | 146페이지 | 9,900원 | 등록일 2016.12.28 | 수정일 2019.03.01
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    [일반물리학실험] 유도기전력 실험보고서
    .6 cm내부 코일의 단면적 =(1.3) ^{2} pi `cm ^{2}내부 코일의 감은 횟수 = 558 번(표 8-2) 전류 (mA)varepsilon _{iac} (mV ... 와 유도 기전력외부 솔레노이드 코일의 전류 = 93.5 mA내부 코일의 직경 = 2.6 cm내부 코일의 단면적 =(1.3) ^{2} pi `cm ^{2}내부 코일의 감은 횟수 = 558 ... 는 다음과 같이 나타낼 수 있다.varepsilon =- {d(N PHI )} over {dt} (Faraday 유도 법칙) (식 8-2)교류전류i=I`sin omega t가 흐르
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.08.24
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    아주대 기초전기실험 예비보고서 DC 13, 14
    world, and in accepting a personal obligation to our profession, its members and the communities we s ... accept responsibility in making decisions consistent with the safety, health and welfare of the public ... they do exist;3. to be honest and realistic in stating claims or estimates based on available data;4
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.16
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    [A+보고서] 중앙대 전기회로설계실습 결과보고서 3. 분압기(Voltage Divider) 설계
    저항을 연결하였을 때 측정 전압이 IC chip의 정격전압 조건 3V±10%을 만족하고, 직접 측정하지는 않았지만 정격전류 3mA±10%의 조건을 이론적으로 만족할 것이다. 또한 ... 를 구상하기 위한 과정▶R _{eq} (9kΩ)=R _{1} +R _{2} +R _{3},R _{5} (1kΩ)저항 양단에 걸리는 전압 : 3.02VIC chip 정격전류 3mA ... 을 적용하여 DC Power supply에 흐르는 전류는 3mA+I_1[A]이다.이론 4장에서 분압기 전류(R _{eq}에 흐르는 전류)는 작을수록 전체 효율이 좋고, 보통 전원
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.22
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    실습8. MOSFET Current Mirror 설계_에이쁠_예비보고서
    이 short 되어 있으므로, VD4=4.82V이다.한편, IREF=(VDD-VD4)/R1이므로 R1=(10-4.82)/10mA=518옴(B)(C)SimulationSimulationVGS22.346VVO4.8764VVGS42.346VIO10.09mAIREF10.09mA ... 하면∴ VGS=2.41V또한 VGS=10V-R1*10mA이므로R1=(10-2.41)/10-2=759옴∴ R1=759옴(C)M1이 Saturation에서 작동하려면 M1의 VDS≥VOV=(2 ... mA가 흐르기 위해선 VGS=2.41V이어야 한다.따라서 M2의 VGS2=2.41vM2의 Gate와 Drain이 short되어 있으므로 VDS2=2.41V이고 M4에 흐르는 전류
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    | 시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.04
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2026년 01월 29일 목요일
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