비주얼 베이직을 이용한 문턱전압계산프로그램

소개

MOS의 문턱전압을 효율적으로 구하기 위한 비주얼 베이직 코드가 들어가 있습니다.

목차

1. 조원 역할 분담 및 설계 계획
2. 문턱전압이란?
3. 문제의 정의
4. 문턱전압 각 항에 대한 분석
5. Visual Basic interface 및 설명
6. 수정 전 프로그램
7. 수정 후 프로그램
8. 프로그램 코드
9. 참고문헌

본문내용

1. 조원 역할 분담 및 설계 계획
1주차
이론 정리 및
자료수집
자료수집
발표준비
및PPT 작성
Visual Basic
Interface design
2주차
도핑농도에
따른 문턱전압 도출
Tox에 따른
문턱전압
도출
Visual Basic
프로그램
제작
발표준비 및PPT 작성
3주차
발표준비 및PPT 작성
최종 이론검토 및 문제점 보완
Visual Basic
프로그램
제작
새로운
아이디어 도출
4주차
문제점 해결
및 보완
발표준비 및PPT 작성
최종레포트
작성 및 수정
문제점 해결 및 보완
2. 문턱전압이란?
문턱전압 이상의 전압이 인가 되면 채널 형성.
N-MOS ( P기판 ) : 전자의 채널.
P-MOS ( N기판 ) : 전공의 채널.
3. 문제의 정의
Flat Band 전압을 고려한 문턱전압
( 1 ) : 일함수차이를 없애기 위한 전압.
( 2 ) : 계면전하의 영향에 의한 전압.
( 3 ) : Gate Oxide에서의 전압강하.
( 4 ) : 반전층 생성을 위한 전압.
◎ 이상적인 문턱전압의 식에서는 ( 1 ) , ( 2 ) 무시.
위의 첫번째 식의 변수를 입력하여 문턱전압을 구하는 프로그램 개발
4. 문턱전압 각 항에 대한 분석
일함수 차이에 의한 전압
와 는 Fermi Level에서 Oxide의 Vacuum level까지 에너지.
로 정의됨.
일반적으로 는 보다 큼.
n-MOS ( P기판 ) 의 > p-MOS ( N기판 ) 의 .
는 항상 음의 값을 가지며 n-MOS( P기판) 일 때 가장 큰 음의 값.
4. 각 항에 대한 분석(계속)
계면전하에 영향에 의한 전압
Oxide와 Semi.의 계면의 양의 전하는 정공을 공핍시킴 n-MOS ( P기판 )
전자를 축척시킴 p-MOS ( N기판 )
Flat Band 상태를 위해 음의 전압이 필요.
n-MOS ( P기판 ) , p-MOS ( N기판)에 상관 없이 는 음의 값.
4. 각 항에 대한 분석(계속)
Oxide에서의 전압강하, 반전층 형성 전압
반전층을 형성하기 위한 전압은
:기판의 농도
n-MOS 반전층 형성 → (+) 전압 필요.
p-MOS 반전층 형성 → (-)전압 필요.
Oxide의 전압강하는
→ n-MOS 일 때 =
→ p-MOS 일 때 =

참고자료

· Streetman, Ben G 『고체전자공학』
· DONALD A.NEAMEN 『반도체소자공학』