MOSFET Circuit(Basic MOSFET Circuit) post lab 레포트 입니다.

소개

N-Channel MOSFET 회로를 설계하여 보고 트랜지스터의 동작원리를 파악하여 본다.
회로가 Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.
CMOS Inverter회로가 어떻게 동작되는지 알아보도록 한다.

목차

1. 소개 (Introduction)
2. 방법 (Meterials & Methods)
3. 실험결과 (Result)
4. 토론 (Discussion)
5. 결론 (Conclusion)

본문내용

1. 소개 (Introduction)
1) Purpose of the Experiment
N-Channel MOSFET 회로를 설계하여 보고 트랜지스터의 동작원리를 파악하여 본다.
회로가 Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.
CMOS Inverter회로가 어떻게 동작되는지 알아보도록 한다.

2. 방법 (Meterials & Methods)
1) 실험에 사용된 도구
- PC, PSPICE Software, Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Bread Board, Multimeter, 리드선, OPAMP(HA17741), 가변저항(4개), 커패시터(0.22uF 2개)

2) Method of the experiment



3. 실험결과 (Result)
실험1-1 (a)

<회로 구현사진입니다.>
<{VDS, VGS} = (5.0V, 2.5V)에서의 전류측정값이 103.65mA가 나왔습니다.>
실험1-1 (a)
<{VDS, VGS} = (5.0V, 3.5V)에서의 전류측정값이 269.33mA가 나왔습니다.>

4. 토론 (Discussion)
실험에 관하여 문제점과 개선점을 정리한다.
이번 실험은 이론값에 비해 실험값이 약간 다르게 나왔다. 일단 MOSFET 회로에 대해 자세히 알지 못한 점이 원활한 실험진행을 이끌지 못하였다. 어느 쪽이 드레인이고, 어느 쪽이 소스부분인지도 제대로 구분하지 못하여 실험은 엉망이었던 것 같았다. 어렵사리 많은 시행착오 끝에 트렌지스터의 단자들의 부분을 알아 시험을 하긴 하였는데, 아직도 미심 쩍은 부분이 한 두 가지가 아니다. 또한 접지와 0V의 전압을 인가하는 점 또한 다른 조의 조언을 얻어 할 수 있었는데, 앞으로 접지에 관한 전문적인 지식을 좀 더 쌓고 실험을 하여야 겠다.

참고자료

· 없음