HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

소개

HEMT의 정의와 기술 동향 모든것

목차

1. 서론
⑴ HEMT의 의미와 특징
⑵ HEMT의 역사


2. 본론
⑴ HEMT 제작과정
⑵ HEMT와 다른 device의 비교
⑶ Devices of HEMT
1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT
2) 고저로 도핑한 오믹층을 갖는 전력 PHEMT소자
3) Metamorphic HEMT를 이용한 100 GHz MIMIC 증폭기
⑷ HEMT research of prof. Jihyun Kim
1) Characterization of AlGaN/GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies
2) AlGaN/GaN HEMT irradiated with 17MeV proton
3) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of -Based Ohmic Contacts On AlGaN/GaN HEMT


3. 결론 - HEMT 기술동향

본문내용

1. 서론
⑴ HEMT의 의미와 특징
HEMT란 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transister)를 의미한다. 이 소자는 변조 도핑 전계 효과 트랜지스터(MODRET)또는 이중 접합 전계 효과 트랜지스터(HRET:heterojunction field effect-transister)라고도 부른다. 이들은 게이트 산화막이 소자의 나머지 부분보다 더 큰 밴드갭을 갖는 반도체로 대체된 것을 제외하고는 MOSFET와 동일한 구조를 가지고 있다. 이는 더 빠른 고속화와 보다 높은 주파수의 밀리파를 처리할 수 있고, 보통의 MOSFET에 비해 저전압, 고속 동작이 가능 소비전력이 낮으며 초고속 LSI를 실현할 수 있는 소자로서 잡음이 적다. 현재, Pseudomorphic-HEMT, InP 기반의 HEMT, Metamorphic-HEMT등을 비롯한 다양한 부분에서 연구가 이루어지고 있다.
• Pseudomorphic-HEMT: GaAs상의 InGaAs 채널에서 보다 높은 이동도를 가진다.

• InP 기반-HEMT : InGaAs에서 보다 높은 Induim fraction을 가진다.
• Metamorphic_HEMT : GaAs 기판위에 InP에피층을 성장시켜서 GaAs 기반의 공정기술을 적용하여 InP HEMT와 버금가는 특성을 얻는 것이 가능하다.

HEMT는 잡음이 적으므로 위성방송 수신기나 가정용 파라볼라 안테나의 증폭기로 이용된다. 또한 고이득이므로 밀리파대역 전력소자로도 이용되고 있다. 그리고 고 이동도 전자를 이용한 초고속 LSI를 개발하기 위한 연구도 이루어지고 있다.
AlGaAs막은 보통 MBE(Molecular Beam Epitaxy:분자선 에피택시)법이나 MOCVD(Metal Organic CVD:유기금속 소스를 이용한 기사성장)법에 의해 형성된다. AlGaAs와 GaAs의계면에는 헤테로 접합 즉, 이종 접합이 형성된다. 헤테로 접합에서는 여러 가지 재료의 조합을 생각할 수 있지만,

참고자료

· 없음