예비 - 실험 4. Diode 및 BJT 특성

소개

다이오드(Diode)와 BJT의 전류-전압 특성을 이해하고, 이를 이용한 회로의 특성을 공부한다.

목차

1. 실험 목적
2. 준비문제
(1) 다이오드
(2) BJT
3. 실험결과 예측(준비문제 1-4번)

본문내용

단순하게 생각해 볼 때 위의 그림에서 나타난 npn BJT 소자나 pnp BJT 소자는 다이오드 두 개를 직렬로 연결한 것처럼 생각할 수 있다. 하지만 우리가 알고 있는 일반적인 BJT특성은 다이오드를 직렬로 두 개 연결했을 때 나타나지 않는다. 이러한 이유를 기술하면 다음과 같다.
1. BJT에 경우 Base부분에 해당하는 실리콘의 두께가 상대적으로 다이오드를 두 개 직렬연결 한 것에 비해 매우 얇다.
=> BJT의 동작이 제대로 이루어지기 위해선 Emitter의 대부분의 전자가 Base를 지나 collector로 흘러야 한다. 그렇기 때문에 Base의 두께가 넓게 되면, 전자가 Base쪽으로 많은 양 흐르게 되고 이는 collector로 흐르는 전자의 양이 줄어드는 것을 의미한다. 이는 라는 BJT특성 자체가 무너지게 되는 것이다.



2. BJT의 도핑면의 특성
=> 도핑(doping)이라 함은 반도체 재료 중에 미량의 불순물을 첨가하는 일을 말한다. BJT를 설계함에 있어 Emitter의 도핑량을 높게 해준다. 이렇듯 도핑량이 높게 되면 전자와 홀의 밀도가 높아지게 되며, BJT의 경우 이러한 방법으로 전자 밀도가 높은 Emitter에서 상대적으로 전자 밀도가 적은 Base를 지나 Collector부분에 모이게 하는 것이다. Collector의 도핑량 역시 Emitter에 비해 약하게 하여 Emitter에서 Collector로 전자를 흐르게 한다. 이렇게 도핑량을 달리하여 BJT의 특성을 결정해 주기 때문에 단순히 다이오드 두 개를 직렬로 연결한다고 하여서 BJT 특성을 가질 수 없다.

참고자료

· 없음