전자회로실험) mosfet 특성 예비레포트

소개

예비내용 및 피스파이스와 분석

목차

◎ 실험목적
◎ 실험이론
◎ PSPICE

본문내용

◎ 실험목적
MOSFET의 세 단자인 소스, 게이트, 드레인의 특성을 모의실험을 통하여 알아본다.

◎ 실험이론
MOSFET에 관한 안전수칙
MOSFET의 게이트 산화층은 매우 얇기 때문에 100V 이하의 작은 정전기가 게이트에 가해져도 산화막이 파괴될 수 있다. 이 결과 MOSFET는 사용할 수 없게 되므로 다른 반도체 소자와는 달리 매우 조심스럽게 다루어져야 한다. 정전기는 소자를 보관하는 플라스틱의 마찰이나 접지가 되지 않은 납땜기구 그리고 사람의 몸에 축적된 정전기에 의해 발생할 수 있다. 일반적으로 MOSFET를 다룰 때는 다음의 몇 가지 점에 유의하여야 한다.
· MOSFET을 브레드보드에 먼저 끼우고 나머지 소자를 연결한다.
· MOSFET 부품을 분리하거나 회로를 연결할 때는 회로의 전원을 반드시 끈다.

1) 트랜지스터의 전압과 전류 특성
그림 (a)와 같이 게이트(G)에 전압을 걸지 않은 상태에서 드레인(D)-소스(S)간에 전압 를 인가한 경우를 생각하면 그림에서 알 수 있듯이 D-S 사이는 옆으로 n-p-n구조를 하고 있다. 따라서 드레인 측의 pn 접합이 역방향으로 바이어스되므로 D-S 사이에는 전류가 흐르지 않는다.
그림 (b)와 같이 게이트에 + 전압 를 인가하는 경우에는 게이트 전극의 +전압에 의해 게이트 바로 밑의 D-S사이에 N형의 반전층이 형성된다. 이와 같은 상태가 되면 D-S사이에서는 pn 접합 부분이 없어지고 n-n-n구조가 되므로 전류 가 D-S사이의 n형 반전층을 통하여 흐른다. 이 트랜지스터를 n 채널 MOSFET라 부른다.
MOS 트랜지스터의 G-S간의 전압 를 증가시키면 게이트 하부의 반전층의 폭이 넓어지고 전류 가 많이 흐른다. 이와 같이 MOS 트랜지스터는 게이트-소스 사이에 걸어주는 전압에 의해 드레인-소스 간의 전류를 제어하는 소자이다.

참고자료

· 없음