실험6. 스위칭 레귤레이터 회로(예비)

소개

아주대학교 실험교재에 맞춰 작성한 실험 보고서 입니다. 제가 직접작성했구요. 이 보고서를 이용해서 운이 좋았는지 A+를 받았습니다.

목차

1. 실험목표
2. 실험장비 및 부품
3. 실험관련 이론
1) 다이오드
(1) 다이오드란?
(2) 순방향 특성
(3) 역방향 특성
2) 제너다이오드
3) 트랜지스터
(1) 트랜지스터란?
(2) 트랜지스터의 단자의 작용
(3) 트랜지스터와 진공관의 비교
(4) 트랜지스터의 형명
4) 스위칭 레귤레이터
(1) 스위칭 레귤레이터란?
(2) 스위칭 레귤레이터의 장단점
(3) 스위칭 레귤레이터의 동기화 및 주파수 조정
(4) 스위칭 레귤레이터의 구성
5) 실험에 대하여
5) 실험에서 사용된 소자의 특징
4. 실험방법
5. Computer Simulation(PSPICE)결과
1) 1차 저역 통과 필터
3) 시뮬레이션 결과 해석

본문내용

1. 실험목표
연산증폭기를 사용한 멀티바이브레이터 회로를 이용하여 신호전압으로 펄스폭을 제어하는 스위칭 방식 정전압 회로의 동작을 이해한다.

2. 실험 장비 및 부품
1) 직류가변전원 : ±15V
2) 오실로스코프/DVM(Digital Volt Meter)
3) IC : 741(2개)
4) TR : 2sc372(1개)
5) 캐패시터 : 0.01㎌, 10㎌, 100㎌
6) 저항 : 5㏀, 50㏀, 700Ω(2개), 500㏀(2개), 250㏀(2개), 10㏀(2개)
7) 가변저항 : 10㏀(2개), 200Ω, 1㏀
8) 제너다이오드 : RD-7A
9) 다이오드 : 1N914
3. 실험관련 이론
1) 다이오드
(1) 다이오드란?
Diode란 두 개라는 뜻의 Di와 전극이라는 뜻의 ode를 합친 것으로 P형과 N형 반도체를 접합하여 PN접합다이오드를 만들어 정류작용과 검파작용을 한다. P형반도체= (+)에노드, N형반도체= (-)케소드이다. P형반도체는 순수한 4가의 반도체 실리콘(Si)나 게르마늄(Ge)에 3가의 불순물 알루미늄(Al), 붕소(B),갈륨 (Ga) 등을 이용하여 만든 반도체다. 이때 다수케리어는 정공이 되고 소수케리어는 전자이다. 또, 3가원자를 억셉터(acceptor)원자라 한다. N형반도체는 순수한 4가의 반도체 실리콘(Si)나 게르마늄(Ge)에 5가의 불순물 인(P),비소(As),안티몬(Sb) 등을 이용하여 만든 반도체다. 이때 다수케리어는 전자가 되고 소수케리어는 정공이다. 또, 5가원자를 도우너(doner)원자라 한다. 순방향바이어스(forward bias)는 전원의 +가 P형 반도체에, 전원의 -가 N형 반도체에 연결될 때 순방향 바이어스(forward bias)라 합니다. 이때 전류가 잘 흘러 다이오드가 도통하게 됩니다. 또한, 역방향바이어스(reverse bias)는 전원의 -가 P형 반도체에 전원의 +가 N형 반도체에 연결될 때 역방향바이어스(reverse bias)라 합니다. 이때 전류가 잘 흐르지 못해서 다이오드가 불통하게 됩니다

참고자료

· 없음