cmos inverter 전류전압 특성 시뮬레이션 및 분석

소개

Hspice를 이용한 inverter 특성 시뮬레이션 결과와 해석입니다.
Pspice와 유사한 프로그램인데 결과는 같습니다.
보고서 점수는 만점이었습니다.

목차

< 3-1 > MOS 트랜지스터 특성 시뮬레이션
1. nMOSFET의 문턱전압 및 바디 바이어스 효과의 시뮬레이션
① 코드
② 그래프
*분석

2. nMOSFET의 I-V특성 시뮬레이션
① 코드
② 그래프
*분석

< 3-2 > MOS 트랜지스터 특성 시뮬레이션
1. CMOS 인버터의 전압 전달특성
① 코드
② 그래프
*분석

2. CMOS 인버터의 β비의 영향에 따른 전압 전달특성 시뮬레이션
① 코드
② 그래프
*분석

3. CMOS 인버터의 천이시간 시뮬레이션
① 코드
② 그래프
*분석

본문내용

2. nMOSFET의 I-V특성 시뮬레이션
① 코드
************************************
** Lab 3-1-2 netlist **
** 2008.4.25 by kkk **
************************************

.option post
.inc mos3.lib
.global vdd gnd

******* voltage source *******
vds vds 0 dc 0v
vgnd gnd 0 dc 0v
******************************

***********gate전압***********
vgs1 vgs1 0 dc 1v
vgs2 vgs2 0 dc 2v
vgs3 vgs3 0 dc 3v
vgs4 vgs4 0 dc 4v
vgs5 vgs5 0 dc 5v
******************************

***************circuits***************
m0 vds vgs1 gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m1 vds vgs2 gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m2 vds vgs3 gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m3 vds vgs4 gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
m4 vds vgs5 gnd gnd nehn w=1.6u l=0.8u
**************************************

.dc vds 0v 5v 0.05v
.print dc i(*)

.end

② 그래프(생략)

◈ 고찰
이번 실습은 및 의 변화에 따른 의 변화를 알아보는 실습이었다. 위의 그래프에서 볼 수 있듯이 의 변화에 따라 Saturation되는 전압이 바뀜을 알 수 있고, 의 증가에 따라 의 값이 증가함을 알 수 있다. 위의 그래프를 보면 Saturation 이후에도 가 조금씩 증가함을 알 수 있는데 이는 2차 효과중의 하나인 Channel length modulation의 영향이라 할 수 있다. 하지만 가 증가한다고 Channel의 길이가 무한정 짧아지는 것은 아니고, velocity saturation이 일어나기 때 문에 결국 는 일정해 진다.

참고자료

· 없음