lab10-pre MOSFET Parameter 추출과증폭기 및 스위치 회로
- 최초 등록일
- 2010.08.29
- 최종 저작일
- 2009.01
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소개글
이번 실험에서는 MOSFET의 여러 가지 Parameter를 추출하고, 해당 Parameter가 MOSFET 동작에 미치는 영향을 알아본다. 이를 위해 MOSFET amp의 Transfer curve를 통해 voltage gain을, CMOS inverter의 transfer curve를 통해 Logic Threshold voltage를, MOS switch의 Transfer curve를 통해 그 특성을 확인한다.
목차
1. 실험목적
2. Spice Simulation
3. 참고문헌
본문내용
1. 실험목적
이번 실험에서는 MOSFET의 여러 가지 Parameter를 추출하고, 해당 Parameter가 MOSFET 동작에 미치는 영향을 알아본다. 이를 위해 MOSFET amp의 Transfer curve를 통해 voltage gain을, CMOS inverter의 transfer curve를 통해 Logic Threshold voltage를, MOS switch의 Transfer curve를 통해 그 특성을 확인한다.
2. Spice Simulation
VTO
Zero Bias Threshold Voltage
GAMMA
Bulk Threshold Parameter(Body Effect Parameter)
UO
Surface Mobility
LAMBDA
Channel Length Modulation Parameter
Source와 Body사이() 전압이 음의 값으로 커지면 depletion 영역이 넓어져서 가 증가하는 형태를 보인다.( Body effect ). 이론값은 ,와 식을 이용하여 구하였다. 위에서 구한 시뮬레이션 값과 Excel Program을 이용하여 VT 대 ()의 그래프 Line regression하면 다음과 같다.
Line regression을 통하여, 를 얻었고 이 값은 이론값과 거의 일치 한다.
Source와 Body사이() 전압이 양의 값으로 커지면 depletion 영역이 넓어져서 가 음의 값으로 증가하는 형태를 보인다.( Body effect ). 이론값은 ,와 식을 이용하여 구하였다. 위에서 구한 시뮬레이션 값과 Excel Program을 이용하여 VT 대 ()의 그래프 Line regression하면 다음과 같다.
참고 자료
없음