CVD&PVD

소개

CVD란?
PVD란?

목차

CVD
PVD (Physical Vapor Deposition)

본문내용

CVD는 화학증착법으로 화학반응을 이용해 표면을 코팅하는 방법으로 보통의 도금이나 산화처리(Anodizing) 등이 이에 해당된다. 전해질이 +나 -쪽으로 끌려가서 증착되거나 표면의 재료와 반응해서 치환되거나 화학반응으로 새로운 물질이 증착되는 것을 이용한 박막 프로세서이다. 다르게 표현 하자면 원하는 물질을 포함하고 있는 기체상태의 원료가스가 반응기 안으로 주입되면 열이나 플라즈마 등으로부터 에너지를 받게 되어 분해되는데, 이때 원하는 물질이 기판 위에 도달하여 막을 형성하는 기술이다. 화학적 기상 성장을 이용하는 박막 성장 공정으로 현재 공업적으로 확산되어 지금은 여러 박막제조공정에 이용되고 있다. 그러나 일반적으로 이 방법을 이용하여 실용성이 높은 박막을 만들 때 에는 아주 고온을 필요로 하게 되는데 그렇게 되면 공정상 고온을 생성하는데 공정상 어려움이 많게 되고 플라스틱이나 글라스 등 저융점의 기판을 사용할 수 없게 된다.
이러한 단점을 극복하기 위하여 PECVD공정을 도입하였다. PECVD는 Chemical Vapor를 진공상태의 챔버에 주입하고, 정장을 형성하여 플라즈마를 유도하는 장치로 구성되는데, 정장에 의해 높은 에너지를 얻은 전자가 중성상태의 가스분자와 충돌하여 가스분자를 분해하고, 이 분해된 가스원자가 기판에 부착되는 반응을 이용하여 박막을 증착시키는 공정이다. 따라서 기존의 CVD가 열에너지를 반응에 필요한 에너지원으로 이용하고 있는 반면에 PECVD는 플라스틱을 이용함으로써 그 만큼의 열에너지를 줄일 수 있게 되어 저온에서 박막을 형성 할 수 있다. 이러한 장점 때문에 SiO2, SiNX, Amorphous Silicon 등을 낮은 온도에서 증착할 수 있고 Compound Semiconductor와 폴리머 기판에 대한 증착이 가능하다.
CVD는 크게 가스배분장치, 반응기, 펌프장치로 구성된다. CVD는 반응기의 압력, 화학반응의 에너지원, 반응기벽의 온도, 반응온도, 반응기의 형상, 반응원료에 따라 다양하게 분류되어간다.

참고자료

· 없음