# IC칩의 분류와 특징

소개

IC칩의 발전과정과 IC칩을 구조따라 분류하고 특징을 설명한 Report입니다

목차

★ IC칩의 발전과정
①. Vacuum tube
②. Transistor
- Transistor의 종류
<구조에 따른 분류>
③. IC칩

★ IC칩의 종류와 특징
1. 메모리 IC칩
▷ 휘발성형
ⓛ. DRAM(Dynamic RAM)
- FPM(Fast Page Mode) DRAM
- EDO(Enhanced Data Out) DRAM
- SDRAM(Synchronous DRAM)
- DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
- DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
②. SRAM(Static Random Access Memory)
▷ 비휘발성형
①. Flash Memory Flash Memory
②. EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory)
③. EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

2. 주문형 반도체
①. ASIC(Application Specific Integrated Circuit)
②. FPGA(Field Programmable Gate Array)

★ Memory IC칩의 발전방향
★ 참고문헌 및 자료원

본문내용

★ IC칩의 발전과정
Vacuum tube -> Transistor -> IC칩
①. Vacuum tube
진공관1884년 미국의 에디슨은 백열전구를 연구 하면서 진공 속에서 전류가 흐르는 것을 발견하였으며(에디슨 효과), 이 발견을 기초로 하여 영 국의 J.A.플레밍이 기체를 빼낸 유리공 속에 백열전구와 같은 필라멘트와 2개의 금속판 전극을 넣어 2극진공관(밸브라 했다)을 발명하여 무선전신의 검파(檢波)에 이용했다. 1906년에 미국의 드 포리스트가 2극진공관에 또 다른 전극을 삽입하여 전자의 흐름을 제어하도록 하는 3극진공관을 발명하였다(당시에 Audion이라고 불렀다). 이후에 3극진공관의 결점을 보완한 4극관·5극관 등이 차례로 발명되었고, 그 외에도 여러 목적에 따른 진공관들이 발명되었다. 미약한 신호에 의한 큰 에너지의 제어, 각종 신호처리 기술이 가능해지도록 하여 전자공학의 발전의 시초가 되었다. 초기의 라디오나 텔레비전의 수상기와 각종 송신기에 사용되었다.
- 진공관의 종류
②. Transistor
1948년 미국 벨전화 연구소의 W.H.브래튼, J.바딘 및 W.쇼클리는 반도체 격자구조의 시편(試片)에 가는 도체선을 접촉시켜 주면 전기신호의 증폭작용을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였다. 이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관(眞空管)과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것이다. 트랜지스터 그 자체가 소형이어서 이를 사용하는 기기(機器)는 진공관을 사용할 때에 비하여 소형이 되며, 가볍고 소비전력이 적어 편리하다. 초기에는 잡음·주파수 특성이 나쁘고, 증폭도도 충분하지 못하였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관에 대치되었다.
- Transistor의 종류
트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크게 나누면, 컬렉터에 음의 전압을 걸어 사용하는 pnp형과 양전압을 걸어 사용하는 npn형이 있으며, pnp형은 주로 게르마늄(Ge), npn형은 주로 실리콘제의 경우가 많다.

참고자료

· 1. http://www.technoa.co.kr/
· 반도체와 관련된 뉴스와 자료제공
· 2. http://www.ksia.or.kr/ (한국반도체 산업협회)
· 사업환경의 개선과 산업구조의 고도화를 위해 회원사 간의 협력을 통해 반도체 산업을 발전시키고 첨단기술입국에 이바지하고자 설립한 민간단체.