[공업화학실험]반도체 pattern 형성과정(식각 결과 리포트)

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본문내용

Pattern 형성 공정
① 산화공정
고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응 을 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정 후에 감광액(PR:Photo Resist)을 도포시킨다.
② 현상 공정
stepper를 사용하여 Mask에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 코팅된 웨이퍼 위에 회로 패턴을 사진 찍는다.
③ 현상( Development) : 빛을 받은 부분을 현상시켜서 PR (positive PR)을 제거한다.

④ 식각 (Etching ) :
화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거 시키는 공정으로
원하는 회로 패턴을 형성시킨다. 반도체 생산 공정에서 가장 핵심적인 공정이다.
<< 식각에는 습식 식각과 건식식각이 있다.>>
습식식각 공정에서는 광저항체 마스크에 의해 보호되지 않은 층상물질을 용해시키는데 HF 나 KOH와 같은 용액이 사용된다. 건식식각은 기상반응이 수반되는데, 이 반응에 의해 반응성이 매우 큰 성분, 일반적으로 플라즈마를 만들게 되고, 이것이 표면에 부딪혀 표면과 반응을 하거나 침식시키는 것 중의 하나가 일어나거나 또는 둘 다 동시에 일어나게 된다.

참고자료

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