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OLED에 이용되는 재료 및 발전방향

정보화 사회가 심화됨에 따라 가볍고 얇으며 휴대가 편리한 디스플레이에 대한 필요성이 나날이 증대되고 있는 실정이다. 현재 디스플레이 분야에는 기존의 음극선관(CRT; Cathode-Ray Tube) 디스플레이로부터 평판 디스플레이로 비중이 점차 옮겨가고 있는 추세이다. 그 중 액정 디스플레이(LCD; Liquid Crystal Display)는 가볍고 전력소모가 적은 장점이 있어 평판 디스플레이로써 현재 가장 많이 사용하고 있으나, 수광소자인 LCD의 공정의 복잡성, 응답속도, 밝기, 대조비, 시야각과 대면적화의 기술적 한계가 있어 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판 디스플레이를 개발하려는 노력이 활발하게 전개되고 있다. 이러한 새로운 평판 디스플레이 중의 하나가 유기발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)디스플레이로써 저전압구동, 자기 발광, 경량박형, 광시야각, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점이 있어 이에 대한 연구가 전 세계적으로 활발히 진행되고 있다.
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한컴오피스
최초등록일 2007.11.29 최종저작일 2007.10
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OLED에 이용되는 재료 및 발전방향
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    소개

    정보화 사회가 심화됨에 따라 가볍고 얇으며 휴대가 편리한 디스플레이에 대한 필요성이 나날이 증대되고 있는 실정이다. 현재 디스플레이 분야에는 기존의 음극선관(CRT; Cathode-Ray Tube) 디스플레이로부터 평판 디스플레이로 비중이 점차 옮겨가고 있는 추세이다.

    그 중 액정 디스플레이(LCD; Liquid Crystal Display)는 가볍고 전력소모가 적은 장점이 있어 평판 디스플레이로써 현재 가장 많이 사용하고 있으나, 수광소자인 LCD의 공정의 복잡성, 응답속도, 밝기, 대조비, 시야각과 대면적화의 기술적 한계가 있어 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판 디스플레이를 개발하려는 노력이 활발하게 전개되고 있다.

    이러한 새로운 평판 디스플레이 중의 하나가 유기발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)디스플레이로써 저전압구동, 자기 발광, 경량박형, 광시야각, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점이 있어 이에 대한 연구가 전 세계적으로 활발히 진행되고 있다.

    목차

    I. 서 론

    II. 본 론
    1. OLED의 정의 및 개발역사
    1) OLED
    2) OLED의 구조와 발광 원리
    3) OLED 연구 개발 역사

    2. OLED에 이용되는 다양한 고분자 재료
    1) 정공 주입 재료
    2) 정공 수송 재료
    3) 정공 저지 재료
    4) 전자 전달 및 주입 재료

    3. OLED의 발광층에 이용되는 고분자 재료
    1) 형광성 발광 재료
    2) 인광성 발광 재료

    4. OLED의 특성
    1) OLED의 장.단점
    2) OLED의 특징

    5. OLED의 최근 동향과 시장 전망
    1) OLED의 최근 동향
    2) OLED의 기술 개발 동향

    III. 결 론

    * 참고 문헌

    본문내용

    2. OLED에 이용되는 다양한 고분자 재료

    1) 정공 주입 재료(Hole Injection Materials)

    OLED 소자에서 양극은 투명 전극으로 무기산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 글라스가 기판을 이루고 있으며 그 위에는 정공 주입층이 놓이게 된다. 정공 주입층은 정공 수송층과 ITO 사이의 계면 특성이 무기물과 유기물의 차이로 인하여 상호간에 좋지 않기 때문에 정공 주입층의 적절한 표면에너지로 상대적으로 개선된 계면특성을 이루게 한다.

    이외에도 정공 주입층은 표면이 거칠고 평탄하지 않은 관계로 ITO위에 도포되어져 ITO의 표면을 부드럽게 만들어주는 효과를 나타내며, ITO의 일함수 레벨과 정공 수송층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 레벨의 차이를 상호간에 맞추어 조절하기 위하여 ITO의 일함수 레벨과 정공 수송층의 HOMO 레벨 중간값을 가지도록 설계되어진다.
    추가로 정공 주입층은 적절한 정공 전도성과 전도성을 갖는 것이 아울러 필요하다. 최근에는 ITO의 spike를 포함하는 거친 roughness로 인하여 OLED Panel 양산제조시 발생하는 Leakage Current 현상의 부작용이 문제가 되어 이를 보완해주기 위한 방법으로 정공 주입층 재료의 두께가 100nm정도로 두껍게 요구됨에 따라 두꺼운 두께에서도 lm/w단위의 고효율이 유지될 수 있는 신규 재료가 매우 절실히 필요되고 있다.

    정공 주입층 재료로는 유리 전이온도(Tg)가 90˚C 이상의 열적 안정성과 무기금속인 ITO(양극)와 유기물인 정공 수송층과의 계면 특성이 우수한 CuPc가 널리 사용되어 왔다.
    그러나 적색, 청색 영역에서 흡수가 있고 증착균일도가 나쁘기 때문에 풀 칼라 디스플레이 제작의 경우 큰 문제점으로 사용이 되지 않고 있다. 최근에는 적색, 청색영역에서의 흡수가 없고 증착특성이 우수한 star-burst형의 아민류가 많이 사용되고 있다. 그중에서도 TCTA, m-MTDAPB, m-MTDATA, 2-TNATA 등은 Tg가 약100˚C 이상의 안정한 물질로 알려져 있다. 정공주입층 재료들이 가져야 할 특성들은 다음과 같다.

    참고자료

    · 없음
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