JFET과 MESFET에 관한 보고서

소개

JFET과 MESFET에 관한 보고서입니다.
사진자료와 알기쉬운 해설로 구성되어 있습니다.
교수님이 과제로 내 주신건데...
A+ 받았습니다~^^

목차

■ The Junction Field Effect Transistor (JFET)
동작원리
JFET Common Source Amplifier
JFET Common Drain Amplifier

■ The Metal Semiconduct or FET (MESFET)
열처리에 의한 특성개선
열처리에 의한 전기특성변화
활성화어닐에 의한 균일성변화
MESFET의 일반적인 특징들.

♨ 참고 문헌

본문내용

■ The Junction Field Effect Transistor (JFET)
바이폴라 트랜지스터는 낮은 입력 임피던스, 고주파수에서의 낮은 이득, 그리고 콜렉터-에미터간
전압이 낮으면(대개 2v보다 작은 경우) 비선형 특성을 가진다. 입력 임피던스는 트랜지스터의
베이스-에미터 정션이 순방향 바이어스가 걸린다는 것을 생각하면 당연히 그렇게 될 수밖에
없다는 것을 알 수 있다. 정션 전계효과 트랜지스터는 바이폴라 정션 트랜지스터의 문제점들의
일부를 극복할 수 있다. 전계효과 트랜지스터는 n-채널과 p-채널의 두 종류로 구분된다.

회로의 화살표는 전류의 흐르는 방향을 나타낸다. 전류가 흐르는 채널은 극성이 단극성으로
구성되므로 이 트랜지스터는 단극성 트랜지스터(Unipolar Transistor)라 한다. 이런 단극성
트랜지스터는 전류의 흐름이 단지 채널을 형성하고 있는 기하학적인 구조에 의해 좌우되므로
저항 값은 전류가 흐르는 총체적인 체적과 재료에 의해 결정된다. 대개 JFET는 입력 임피던스를
높게 하기위해 PN접합면이 역방향바이어스를 걸어준 상태로 동작시킨다.

동작원리
아래 그림은 N-channel JFET에 직류바이어스를 걸어준 경우이다. 단순한 다이오드처럼 역방향
바이어스는 PN접합면에 천이층(Depletion Region)을 만들어 주고 역방향바이어스가 커지면
천이층도 넓어진다. 그러면 다수반송자가 이동해 갈 채널의 폭이 좁아져서 결과적으로 채널
저항이 커지게 된다. 그러므로 이러한 구조의 전류 ID는 게이트(S)와 쏘스(S)에 가해진 전압
VGS에 의해 결정된다.

참고자료

· “고체 전자 공학” Ben Streetman 도서출판 영
· http://kr.ks.yahoo.com/service/ques_reply/ques_view.html?dnum