BJT Current and Voltage Characteristics

소개

전자회로2 실험의 BJT Current and Voltage Characteristics 예비레포트입니다

PSpice 시뮬레이션 표함

목차

§ 실험목적

§ 실험부품 및 사용기기

§ 이론 요약
Bipolar Junction Transistor와 Field-Effect Transistor
BJT의 구조도
BJT의 동작 설명
BJT의 동작특성

§ PSPICE Simulation
Q2N3905
가변 저항 R2 : 최대저항
가변 저항 R2 : 최소 저항
이미터 - 베이스 회로를 개방

Q2N3904
가변 저항 R2 : 최대저항
가변 저항 R2 : 최소 저항
이미터 - 베이스 회로를 개방

본문내용

§ 실험목적
콜렉터 전류 IC와 베이스전류 IB사이의 관계와 트랜지스터 특성곡선들에 대하여 조사한다.

§ 실험부품 및 사용기기
2현상 오실로스코프1저항(1/4W) 100Ω1VOM1저항(1/4W) 820Ω1브레드 보드1가변저항 2.5kΩ1신호발생기1트랜지스터 2N390410~15V 직류전압 공급장치1트랜지스터 2N39051

§ 이론 요약
Bipolar Junction Transistor와 Field-Effect Transistor
BJTFET캐리어다수 캐리어와 소수 캐리어가 공존한다. 즉 전자와 hole이 전류를 만든다.
⇒ Bipolar device다수 캐리어만 존재한다. 즉 전자 또는 hole 중의 하나에 의존한다.
⇒ Unipolar device종류, 구조NPN형 또는 PNP형
Emitter, Base, Collector로 구성N채널 또는 P채널
Source, Drain, Gate로 구성입력 저항순방향 바이어스인 상태에서 사용하므로 입력저항이 낮다.역방향 바이어스인 상태에서 사용하므로 입력저항이 높다.Offset 전압Offset전압이 0.7V 정도이다.Offset전압이 없다.출력전류출력전류가 입력전류(base의 전류)에 의해서 제어된다.
⇒ Current Controlled device출력전류가 입력전압(gate와 source의 전압)에 의해 제어된다.
⇒ Voltage Controlled device전류 범위작은 전류에서 사용.큰 전류에서 사용장점이 크고, 주파수 대역폭이 크다.Noise가 적고 증폭도가 크다.
구조가 단순하며 크기도 작으므로 IC화하기 쉽다.열의 영향열에 민감하다.열에 대해 안정되어 있다.공통점n, p형 반도체의 접합에 의해 만들어지며, 증폭기나 independent current source로 사용된다. Switch 의 기능도 가지고 있다.

BJT의 구조도
Bipolar Junction Transistor는 이름 그대로 Junction이 두 개 있는

참고자료

· Microelectronic Circuits By Sedra Smith 5Th Edition