[전자공학]bjt-특성 전자회로

최초 등록일
2006.06.04
최종 저작일
2006.06
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소개글

전자회로 실험 예비 레포트
이론요약
- 바이폴라 트랜지스터(bjt)의 여러 특성
예상결과
- pspice

목차

§ 이론요약
※ BJT에 의한 증폭
§ 예상결과

본문내용

§ 이론요약

BJT는 NPN, PNP 두종류가 있으며, 각각 베이스, 에미터, 컬렉터의 세 극을 갖고 있다. 아래 그림의 NPN 트랜지스터는 베이스-에미터 전압 VBE가 0.6v(PN접합전압)보다 높아서 베이스전류 IB를 흘리면 컬렉터에서 에미터로 IC=hfeIB만큼의 증폭된 전류가 흐른다.
아래 그림의 PNP 트랜지스터는 반대로 베이스-에미터 전위 VBE가 -0.6V보다 낮아서 베이스전류 IB를 흘리면 에미터에서 컬렉터로 IC=hfeIB만큼의 증폭된 전류가 흐른다.
이러한 트랜지스터의 동작에는 다음과 같이 세 가지 영역이 있다.
1) IB = 0, IC = 0 : 차단영역(cutoff region)
2) IC = hfeIB : 활성영역(active region)
3) IC ≤ hfeIB : 포화영역(saturation region)

※ Base current(iB)
◦ base에서 emitter로 흐르는 전자(p+-n의 다수캐리어 : 순방향 전류)
◦ emitter에서 넘어온 정공의 일부와 재결합하는 전자를 공급하는 전류
◦ p-n 접합에서 열적으로 생성된 소수의 전자의 n쪽으로의 흐름

※ Emitter current(iE)
◦ collector로 흐르는 정공 전류
◦ base에서의 다수캐리어인 전자의 일부와 재결합하는 정공

※ Collector current(iC)
◦ 역방향으로 바이어스가 걸린 n-p 부분에서 collector로 흐르는 정공 전류
◦ n-p 접합에서 열적으로 생성된 소수의 정공의 p쪽으로의 흐름

※ BJT 동작의 기초
◦ p-n junction의 역방향 전류의 제어
1. p-n junction에서의 역방향 포화 전류는 접합 부근에서의 소수 캐리어(EHP)가 생성되는 비율에
의존함.
2. 광학적(hn) 방법이나 전기적(bias) 방법으로 접합 부근에서의 소수 캐리어의 생성율을 높여서
역방향 바이어스 전류를 조절할 수 있음.

참고 자료

없음

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