[부식공학 ]A.C IMPEDANCE 실험

소개

작은 진폭의 교류전압에 따라 나타나는 시편의 반응 전류를 통해 전기화학적 기본인자들의 구성을 알아본다.

목차

1.실험 목적
2.이론적배경
3.실험방법
4.실험결과및 토의
5.참고문헌

본문내용

1. 목 적
작은 진폭의 교류전압에 따라 나타나는 시편의 반응 전류를 통해 전기화학적 기본인자들의 구성을 알아본다.

2. 이 론
① A.C Impedance는 전류의 통로에 방해가 되는 저항, 축전기 및 유전기 등으로부터 생기는 복합저항임.
② 간단한 전기화학반응에서 나타난 결과 plot과 그에 따른 equivalent circuit.
3. 실 험 방 법
① TP316과 0.1N H2SO4(deaeration 분위기)를 준비한다.
② TP316의 Ecorr값이 안정할 때까지 측정한다.
③ 진폭 10mV, 주파수 105~10-2Hz 범위에서 impedance test 실험을 한다.
④ 결과 plot으로 Rp, RΩ, C의 값을 구한다.
⑤ 실험에서 나온 plot의 평형전기회로를 구성해 본다.
⑥ 직류측정법에서 나온 Rp값과 교류측정법에서 나온 Rp값을 비교한다.

■ 금속 시편의 면적
탄소강 = (0.452×0.55) = 0.25cm2
TP316 = (0.685×0.89) = 0.61cm2

이론적으로 그래프가 정확한 반원 모양으로 나와야 하지만 실험적 오차나 시편의 부식 등, 주위환경에 의해 확실한 반원 형태는 나오지 않았지만 그래 어느 정도의 반원 형태를 볼 수 있었다. 그런데 끝부분이 결과값의 증감이 나타나 매끄럽지 않고 좀 지저분한 양상을 보였다. 반원 X축과 접하는 점 중 최소점을 RΩ(=36.1859)이라하고, 최대점을 RΩ+Rp(=113.79)이라 한다. 결국의 반원의 지름이 Rp값이 라는 것을 알 수 있다. 반원의 최고점을 나타내는 값이 ωmax=1/CRp (=28.3413) 값으로 반원의 반지름이 된다.

참고자료

· 부식과 방식의 원리(이의호외/1999/동화기술) - 제3장 부식의 전기화학적 반응역학
· 제5장 부식속도 측정을 위한 분극방법
· 웹사이트 - http://www.geocities.com/bioelectrochemistry/nyquist.htm