[고체물리]MRAM의 기본 원리 및 개발 현황

소개

DRAM, SRAM과 Flash와 같은 전통적인 반도체 메모리는 high density, high performance, 낮은 비용의 방향으로 성공적으로 발전되었다. 하지만 복잡한 기술, 제조 단가와 물리적 한계 관점에서 미래의 나노 시대에 성공적인 발전이 지속될 수 있을지 없을지에 있어서 중요시 된다.
전통적인 메모리가 예상되는 문제는 많은 연구 그룹과 회사들이 힘이 되었다. 전통적인 메모리는 동시에 모든 것을 만족 시킬 수는 없지만, 이상적인 메모리의 새로운 형태는 주가 변동이 없고, high density, high speed 그리고 낮은 파워 소비에서의 긴 수명, 좀 더 나아진 기술적 한계, 더 나은 performance를 갖는 것이다. 불행하게도 많은 노력에도 불구하고, 제조가능성과 수명의 모든 조건을 만족 시킬만한 기술은 없었으며, 그리고 performance 또한 오늘날까지 나타나지 않았다. 앞으로 모든 요건들을 맞출 수 있는 메모리가 가능할지는 알 수 없다. 이상적인 메모리를 얻고자 하는 노력으로 비록 수명이나 기술적 한계가 충분히 알려지지는 않았지만, FRAM, MRAM, PRAM 등이 가능성이 있는 재료로 나타나게 되었다.
전통적인 메모리 스케일링의 한계에 대하여 말하면 다음과 같다. 전통적인 메모리가 수많은 장애와 직면하면서 발달하는 동안 대부분 결정적인 문제가 해결되어 졌다. 또한 전통적인 메모리 형태가 실패의 기술적 원인과 특성을 연구하기 위한 node이다. 해법을 찾기 위한 수많은 전통적인 메모리 기술 양상들이 속속들이 연구되어져 왔다. 결과적으로 우리는 모든 문제에 대한 결정적인 해답이 없을지 모르지만 그 사이에 우리는 다양한 전통적인 메모리에 대해 대체적으로 짐작 할 수 있다.

목차

1. Introduction
2-1. 자기기록기술
2-2. 자기저항 (magnetoresistance)
2-3. MRAM
3. 차세대 메모리 비교
4. MRAM의 사용 및 기술 동향
5. 결론

본문내용

일반적으로 정보를 저장하는 방식은 하드디스크와 같이 주사방식에 의해 정보를 저장하는 방식 (Scanning Technology) 과 DRAM, 플래시 메모리와 같이 고체 메모리 기술을 이용하여 정보를 저장하는 방식 (Solid State Technology) 으로 크게 나눌 수 있다. 하드 디스크와 같이 주사방식에 의해 정보를 저장하는 방식은 가격이 싸고 저장용량이 큰 반면 접근속도가 느리고 모터에 의해 구동되기 때문에 소비전력도 큰 편이라 휴대용 전자기기에 사용하기에는 적합하지가 않다. 반면 플래시 메모리와 같이 고체 메모리 기술을 이용하여 정보를 저장하는 방식은 접근속도가 빠르고 소비전력이 작은 장점이 있어 현재 휴대용 전자기기에 사용되고는 있으나 가격이 비싸고 저장용량이 작은 단점이 있다. 따라서 곧 도래할 것으로 예상되는 IMT-2000 등과 같은 고용량의 데이터를 고속으로 처리하는 휴대용 정보기기의 출현에 대처하기 위해서는 주사방식의 매체와 같이 가격이 싸고 고체 메모리 기술을 이용한 정보저장 소자와 같이 접근 속도가 빠르며 소비전력이 작은 새로운 정보저장 소자가 요구된다. 현재 이러한 특성을 만족하는 차세대 정보저장 소자로는 자기 메모리 (Magnetic RAM, MRAM) 가 가장 근접한 것으로 여겨지고 있다.

참고자료

· 없음