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EasyAI “차세대메모리” 관련 자료
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"차세대메모리" 검색결과 1-20 / 3,241건

  • 세대 자기저항메모리 MRAM 기술의 특허동향 분석 (Patent Analysis of MRAM Technology)
    한국자기학회 노수정, 이지성, 조지웅, 김도균, 유양미, 하미영, 서주원, 김영근
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.02 | 수정일 2025.03.06
  • 세대 메모리의 접근 특성에 기반한 하이브리드 메인 메모리 시스템 (Hybrid Main Memory Systems Using Next Generation Memories Based on their Access Characteristics)
    최근 DRAM 기반의 메인 메모리 기술 발전이 한계에 봉착함에 따라 컴퓨터 시스템의 진보에도 어려움이 발생하고 있다. 이를 개선하기 위해 집적도가 높고 비휘발성을 갖는 차세대 ... 메모리 기술이등장하고 있으나 이들은 쓰기 속도가 느리거나 쓰기 횟수에 제한이 있는 등, 메인 메모리로 사용하기에는아직 무리가 있다. 본 논문에서는 여러 차세대 메모리 기술들의 장점 ... 들을 조합하여 활용하는 하이브리드메인 메모리 시스템, 즉 HyMN을 제안한다. HyMN은 차세대 메모리 기술을 쓰기적합램과 읽기적합램으로 분류하여 메인 메모리 시스템을 구성
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10
  • 세대 메모리를 활용한 연구 환경 개발 (Developing Research Environment using Next Generation Non-Volatile RAM)
    현재 NAND 플래시의 약점을 보완하기 위한 새로운 대안으로 PRAM, FRAM과 같은 차세대 메모리가 개발되고 있다. 그러나 현재까지 이러한 차세대 메모리를 응용한 NAND ... 플래시 기반의 대용량 스토리지 아키텍처를 개발하기 위한 환경이 마련되어 있지 못하다. 따라서 본 논문에서는 차세대 메모리인 PRAM, FRAM을 포함하여 NOR, NAND ... architecture and file system design. 한국차세대컴퓨팅학회 한국차세대컴퓨팅학회 논문지 박성규, 박영우, 황우민, 정요원, 박규호
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10
  • 세대 CPU를 위한 캐시 메모리 시스템 설계 (Design of Cache Memory System for Next Generation CPU)
    In this paper, we propose a high performance L1 cache structure for the high clock CPU. The proposed cache memory consists of three parts, i.e., a dir..
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10
  • 세대 모바일 메모리 기술의 정량적 비교 및 분석 (Quantitative comparison and analysis of next generation mobile memory technologies)
    한국차세대컴퓨팅학회 윤창호, 문병인, 공준호
    논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.01 | 수정일 2025.05.15
  • 세대 메모리 소자를 적용한 신경망 처리장치의 성능 분석 (Performance Analysis of Neural Processing Units with Emerging Memory Technologies)
    대한전자공학회 최상운, 박성준, 박재용, 홍석인, 윤명국, 오윤호
    논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.28 | 수정일 2025.05.15
  • 세대 저전력 멀티뱅크 메모리를 위한 컴파일러 최적화 기법 (Compiler Optimization Techniques for The Next Generation Low Power Multibank Memory)
    다양한 형태의 메모리 아키텍처가 개발되었고, 이를 효과적으로 사용하기 위한 여러 컴파일러 최적화 기법이연구되었다. 특히, 모바일 컴퓨팅 디바이스에서 메모리는 성능을 결정하는 주요 ... 컴포넌트이기 때문에 이를 지원하기 위한 다양한 최적화 기법들이 개발되었다. 최근에는 하이브리드 형태의 메모리 아키텍처에 대한 연구가 많이 진행되고 있기 때문에 이를 지원하기 위한 ... 를 멀티뱅크 메모리 아키텍처 개발의 레퍼런스로 제공하기 위하여 진행되었다. Various types of memory architectures have been developed
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10
  • 판매자 표지 자료 표지
    세대 메모리 반도체 STT-MRAM 조사 과제
    세대 메모리소자인 STT-MRAM에 대하여 알아보고, 단점을 보완할 수 있는 방법에 대해 소개하고자 한다.1. MRAMSTT-MRAM에 대한 설명에 앞서, STT-MRAM ... 적 효과를 이용한 기억 소자로 소자로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로서, 소비 전력이 적고 높은 온도 범위에서 동작이 가능 ... 의 차이를 이용해 구분한다. 정보를 저장하기 위해, 각 Cell마다 서로 직교하는 2개의 배선에 전류를 흘려, 이때 발생하는 자기장을 이용한다. 메모리 셀은 하드디스크에 적용되고 있
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.12.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료
    COMMED I AContents 1 2 3 4 기존 메모리 반도체 - DRAM - NAND FLASH 차세대 메모리 반도체 - MRAM - PRAM - RRAM ... lower 1㎂ or lower Cost 2 5 1 3 4 차세대 메모리 반도체DRAM (Dynamic Random Access Memory) 구조 동작원리 • Transistor ... Fan * 이미지 출처 : SK hynixMRAM 의 전망 ❖ 장점 • 저전력 특성을 갖기에 에너지 효율성 측면에서 중요한 의미를 갖는다 • 다른 차세대 메모리 반도체에 비해
    리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08
  • 세대 메모리를 활용한 데이터베이스 기반 버퍼 관리 기법의 최신 동향 (A Recent Trend of Buffer Management based on Database using Next-generation Memory Module)
    최근 전원이 공급되지 않는 상태에서도 데이터를 보존하기 위한 비휘발성 차세대 메모리 소자가 각광받고있다. 그러나 제한된 수명과 DRAM 대비 부족한 지연대기로 인해 단 기간 내 ... 에 DRAM을 완전히 대체하기란어려울 것으로 예상되고 있다. 따라서 차세대 메모리 저장장치를 하드디스크를 대체하거나 하드디스크의 버퍼로 활용하여 현재의 환경에서 데이터베이스 시스템 ... 의 성능을 향상시키기 위한 연구들이 계속해서 진행되고있다. 본 논문에서는 차세대 메모리 저장장치를 활용한 버퍼 관리 기법을 연구하는 것이 중요한 연구 주제라고 판단하여 버퍼 관리
    논문 | 15페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.06 | 수정일 2025.07.10
  • 세대 비휘발성 메모리에 사용되는 High-k 절연막의 터널링 특성 (Tunneling Properties in High-k Insulators with Engineered Tunnel Barrier for Nonvolatile Memory)
    The metal-insulator-silicon (MIS) capacitors with SiO2 and high-k dielectrics (HfO2, Al2O3) were fabricated, and the current-voltage characteristics w..
    논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.26 | 수정일 2025.07.04
  • 세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 실험 레포트
    예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 05월 22일- 실험제목 : 차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용- 예비이론• 차세대 메모리의 종류 및 기존 메모리 ... 은 많은 장점을 갖는 차세대 비휘발성 메모리 소자이다. 기본 원리는 상변화 재료의 비정질 상태(Amorphous)와 결정질 상태(Crystal)에서의 전기적 비저항의 차이를 이용 ... caling에 따른 많은 문제점으로 인해, ReRAM이 차세대 비휘발성 기억소자의 대안으로 활발하게 연구되고 있다. ReRAM은 앞으로 여러 저항 변화 물질에 한 폭넓고 깊은 연구
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08
  • 세대 메모리 종류와 특징
    더 어려워지고 있는 추세입니다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요성이 크게 요구 되고 있습니다.현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM ... 의 고집적성과 낮은 소비전력, flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 모두 구현하기 위한 시도가 이루어지고 있습니다. 이에 따라 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있 ... 았으나, 최근 반도체 공정기술의 현저한 발달과 기존 기억소자의 scaling에 따른 많은 문제점으로 인해, ReRAM이 차세대 비휘발성 기억소자의 대안으로 활발하게 연구되고 있
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20
  • 비휘발성 차세대 메모리
    되고 있습니다.현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 모두 구현하기 위한 시도가 이루어지 ... 고 있습니다. 이에 따라 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자로는 ReRam(Resistance RAM), PRAM(Phase change RAM), MRAM(Magnetic ... 지만 이미 1960년대에 그 가능성이 제기되었으며 비휘발성 메모리로 집적도 또한 우수합니다. 이런 성격 때문에 차세대 메모리로 각광받고 있으며 최근 상용화의 막바지 단계에 근접해가
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20
  • [반도체 공정 A+] 차세대 메모리 기술 레포트
    R 구조로서 제조 공정이 단순하고 기존 CMOS 공정과 정합이 간단하여 다른 차세대 비휘발성 메모리 소자에 비해 initial feature size가 45nm 정도로 가장 집적도 ... 가 높고 신뢰성이 우수하여 차세대 메모리로 떠오르고 있다.• PRAM(Phase change Random Access Memory)PRAM은 Flash memory에 비해 빠른 동작 ... 속도 및 높은 집적도와 같은 많은 장점을 갖는 차세대 비휘발성 메모리 소자이다. 기본 원리는 상변화 재료의 비정질 상태(Amorphous)와 결정질 상태(Crystal)에서의 전기
    리포트 | 11페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08
  • 세대 메모리
    . ⇒ DRAM, SRAM, FLASH Memory : 일부 만족 ⇒ 대안 : 차세대 Memory (FRAM, PRAM, MRAM) Memory 구성 DRAM, MRAM, FRAM ... , PRAM : 1Transistor 1Capacitor, Capacitor 구성에서 차이 ⇒ 차세대 Memory는 기존의 DRAM에서 Refresh동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 ... 수십회)소모전력 증가. 고속 동작에 불리. 휘발성.MemoryMemory 구성 비교차세대 Memory종류 반도체 내부의 기본 단위인 셀을 구성하는 물질에 따라서, FRAM
    리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27
  • 비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사
    * 비휘발성 차세대 메모리의 개요비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전 ... 성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다.현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리 ... 의 고속 데이터처리 능력, Flash Memory의 비휘발성을 동시에 갖는 차세대 메모리를 구현하려는 움직임은 이미 연구소 개발 단계에서 업체의 시장 경쟁 단계로 넘어간 상황이
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08
  • 세대 비휘발성 메모리
    고 대용량데이터 처리속도가 빠름안정성 우수이 용USB드라이브, 메모리카드에이용핸드폰, 셋톱박스용 칩에 이용주도업체삼성전자가 주도인텔이주도III. 차세대 메모리 -DRAM의 속도 ... 한다면 메모리 업계는 커다란 지각변동이 일어날 것이다. 실제로 차세대 메모리 반도체 중에 하나로 주목받고 있지만 FRAM은 DRAM(Dynamic RAM)과 같은 빠른 동작속도, 3V또는 ... 5V의 낮은 동작전압, 데이터 읽기/쓰기 반복횟수 1조회 이상 가능한 뛰어난 동작특성을 갖는다.차세대 메모리는 바로 이런 특징을 갖도록 개발되고 있는 메모리를 말하는데, 현단계
    리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24
  • 세대 메모리
    다. (Flash memory는 DRAM보다 더 높은 집적이 가능하다.) 또한 기술이 초기 단계이므로 DRAM 수준의 내구성이나 신뢰도를 보여주지 못하고 있다.FRAM은 차세대 ... Report비휘발성 메모리학과 : 물리학과이름 :학번 :1. 이상적인 비휘발성 메모리최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있 ... 다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모리는 빠른 데이터 전송을 실현할 수 있는 반면 전원이 없으면 정보
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15
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2025년 07월 22일 화요일
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