[회로이론]트랜지스터의 특성 II

소개

트랜지스터 회로 중 이미터 공통회로의 특성 실험에 대한 데이터, 분석,오차 원인 등..... A+ 맞은 결과 입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 이 론
3. 실험 결과
4. 결과 분석
< 토의 >

본문내용

. 결과 분석
1. 입력특성곡선을 살펴보면 i가 증가함에 따라 V는 초반에는 급격히 증가를 하다가
점점 더 그 증가폭이 줄어들어 나중에는 거의 평행한 직선을 그리게 된다.
=> 그래프를 보면 i = 0~50㎂일 때는 급격히 증가하지만 그 이후 (50~350㎂)에는 증
가량이 줄어들어 나중에 가서는 그래프가 거의 수평을 이루는 것을 볼 수 있다.

2. V의 변화에 따른 V 의 변화를 살펴보면 V가 0 V -> 10 V로 증가하면 V의
값이 증가한 것을 볼 수 있다. 이때 i가 증가함에 따라 증가하는 V의 증감패턴은
비슷한 패턴을 보인다.
=> 결과적으로 V = 10 V일 때의 그래프는 V = 0 V 일 때의 그래프가 약간 수직
이동한 것과 같은 모습을 보이게 된다.

3. 입력저항의 경우는 V와 거의 반대의 증감패턴을 보인다. 즉, i가 증가함에 따라
처음에는 저항이 급격히 감소하다가 나중에는 그 감소량이 조금씩 줄어들다가 40~80 Ω
정도의 저항이 낮은 상태를 유지하게 된다.
사실 이것은 V=IR 이라는 옴의 법칙을 생각해보면 어렵지 않게 유추할 수 있는 결과 이
기도 하다.

4. 출력특성의 경우는 △i가 매우 작은 영역(0~0.05 V)에서 매우 급격히 증가하여 그
이후로는 거의 일정한 값을 가지는 것을 볼 수 있으며, i가 클수록 더 높은 V영역에
서 수평곡선을 형성하는 것을 볼 수 있다.
=> 이론에서 예상했던 것처럼 출력특성의 경우 3부분으로 분류할 수 있는데 위의 그래
프를 바탕으로 3 영역을 구분하면 아래와 같다.







< 토의 >
입력특성이나 출력특성의 경우를 비롯하여 대부분 이론과 부합되는 실험치를 얻을 수 있었다. 다만 V≠0 이었던 두 번째 실험의 경우 i가 200㎂를 넘어서면서 오히려
V가 감소하게 되는 경우가 나온 적이 있었다. 결국 3번의 실험을 통하여 원하던 결과를
얻을 수 있었는데, 나중에 저항이 열에 의하여 손상된 것을 볼 수 있었다. 사실 200㎂가
넘어가면서 V를 10V로 유지하는데 V가 거의 40V까지 올렸던 점을 생각해볼 때 저항
에 발생한 열에 의해 저항이 손상되었고, 이로 인하여 실험상 오차가 발생했었다고 생각해
볼 수 있다.
베이스공통회로와 마찬가지로 이미터공통회로의 경우도 증폭기의 역할을 할 수 있다는 사실을 알 수 있다. 하지만 실제로 증폭기에 사용하는 것의 70%는 이미터공통회로라고 한다.
그 이유는 베이스공통회로는 i) 매우 낮은 입력저항 ii) 거의1에 가까운 전류이득
iii) 출력전압이 매우 높은 특성 때문에
=>즉, 전압이득은 좋지만 낮은 입력저항 대문에 매력적이지 못하여 전류완충기로 사용되는 것이 보통이며,
반면, 이미터공통회로는 입력신호가 베이스에 있어서 전류이득이 1이 넘고, 전류 이득만
본다면 베이스공통회로보다

참고자료

· 없음