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[전자회로실험]MOSFET 의 특성실험

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최초 등록일
2005.12.10
최종 저작일
2005.12
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소개글

MOSFET 의 특성실험

목차

없음

본문내용

실험 개요

MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.

실험원리의 이해

금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : MOSFET)는 게이트가 산화 실리콘(Sio2)층에 의해 채널과 격리된 점이 JFET와 다르며 게이트가 격리되어 있으므로 이들 소자를 종종 IGFET(Insulated Gate FET)라고 부르며 공핍형과 증가형의 두 종류가 있다.

참고 자료

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