전자공학응용실험 - MOSFET 기본회로 / MOSFET 바이어스회로 예비레포트

소개글

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목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비
4. 관련 이론
5. 실험 방법
6. Pspice simulation
7. 예비 보고 사항
8. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 제목 : 실험 9. MOSFET 기본특성
실험 10. MOSFET 바이어스 회로

2. 실험 목적 :
실험 9 :
MOSFET 은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

실험 10 :
MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가 되어야 하며, 이때의 DC바이어스를 동작 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다.

3. 실험 장비 :
1) 직류전원 공급 장치(DC Power Supply) :
직류전원 공급 장치(DC Power Supply)는 직류전원(DC Power)을 발생시켜 회로에 공급하는 가장 기본적인 실험 장비다.
[1]
2) 멀티미터:
멀티미터(Multimeter)는 전류, 전압, 저항 등의 전기적인 물리량을 측정하는 다기능의 계측기기다. 측정 대상의 이름을 따서 VOM(Volt-Ohm-Milli amperemeter)이라고도 하며, 아날로그(Analog)형과 디지털(Digital)형이 있다.
[2]

3) 함수발생기:
함수발생기(Function Generator)는 여러 가지 형태의 함수를 발생시켜 전압 형태로 출력하는 장치로서, 발생할 수 있는 함수는 sine, square, ramp, pulse 등이 있다.

참고 자료

https://www.google.co.kr/search?q=GSP-2303&tbm=isch&ved=2ahUKEwiMgP6p-KvoAhUF5JQKHQ10AWUQ2-cCegQIABAA&oq=GSP-2303&gs_l=img.3...677598.677598..677803...0.0..0.119.119.0j1......0....1..gws-wiz-img.Qm7K4lbijyM&ei=cTp2XsyDA4XI0wSN6IWoBg&bih=883&biw=1767&hl=ko#imgrc=_2RaT6E-oDSlIM
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https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=uu5626&logNo=221266905141&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.com%2F
https://www.google.com/search?q=%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84&sxsrf=AOaemvLQQ0E67e_XErQFeGTmfymc43p0BQ:1631126416362&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=2ahUKEwj_xoW1g_DyAhWNPpQKHWozBpsQ_AUoAXoECAEQAw&biw=1731&bih=926#imgrc=t8sA2jz8y7JBXM
https://www.componentsinfo.com/2n7000-pinout-datasheet-equivalent/
http://www.icbase.com/File/PDF/FAI/FAIR20661312.pdf
단계별로 배우는 전자회로실험 책 P.147 ~ P.176