[화학공학]각막의 처리 - 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

소개

각막의 처리

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
5.1플라즈마란?
5.2 Lithography 란?
5.3 반도체 제조공정과 정의
5.4 식각의 종류와 정의
5.5 최근 각광받고 있는 MRAM의 원리와 구조
6. 참고자료

본문내용

1. 실험제목 : 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험

5. 실험이론
5.1플라즈마란?
5.1.1 기체의 전리와 플라즈마
기체중에서 전로 파괴가 일어나면 전극간은 전류를 대단히 흘리기 쉬운 상태로 된다. 이것은 방전 공간에 전하를 운반하는 전자나 이온이 다수 발생한 것을 의미한다. 이들 하전 입자는 기체의 전리에 의해 만들어 진다. 전리(ionization)란 원자 또는 분자가 외부로부터 에너지를 넘겨받아 전자를 방출하고 양이온으로 되는 현상이다. 원자나 분자가 방출하는 전자는 에너지를 넘겨받기 전까지는 원자핵의 근방에 핵외 전자로 속박되어 있던 것이다. 전리는 기체 분자와 고속 전자의 충돌, 파장이 짧은 광으로 기체를 조사하든가 기체 분자끼리의 충돌 등에 의해 일어난다. 전리가 왕성하게 행해져 공간 내에 하전 입자의 수가 많아지면 전자 그룹과 양이온 그룹간의 흡인력도 커져 전체로서 전기적으로 중성을 유지하려 한다. 예를 들면 전자와 양이온이 똑같이 혼재하고 있는 A와 B간에 있어서 전자 그룹이 어떤 원인으로 오른쪽 방향으로 변위하려고 하면 A와 B부분에 각각 양전하와 음전하가 나타난다. 그 결과 전계 E가 발생하고 전자의 변위는 정지된다. 따라서 전자와 양이온의 차가 커지는 일 없이 전체로서 전기적으로 거의 중성이 유지된다. 이렇게 양과 음의 하전 입자 군을 포함하며 게다가 전체로서 전기적으로 거의 중성인 하전 입자의 집단을 플라스마(Plasma)라 한다.
플라스마에 대한 가까운 예가 형광램프의 발광체(유리관의 내용물)이다. 형광램프에서는 기체의 절연 파괴로 플라스마를 만들며 그것이 방사하는 빛을 조명으로 이용하고 있다. 그 플라스마 속에는 1㎤당 개 정도의 전자와 양이온이 혼재하고 있다.
또한, 반도체 내의 전자와 정공의 집단이나 도체 내의 전자와 양이온의 집단도 일종의 플라스마인데 이것을 고체 플라스마라고 한다.

참고자료

· 6.1 [고전압 플라스마 공학], 이덕출 ․ 황명환공역, 동일출판사(1997), pp.13-21
· 6.2 [그림] http://2000plus.mpg.de/d/144/article
· 6.3 [반도체 공학], 허규성, 일진사(2001), pp.119-120
· 6.4 [그림] http://blog.naver.com/youngchaip/80006766379
· 6.5 http://www.semipark.co.kr/images/반도체%20장비/무한/반도체%20제조공정.htm
· 6.6 http://members.tripod.co.kr/mj4444/menu.html
· 6.7 [반도체와 돼지머리], 김진호, 양서원(1992), pp.101-119
· 6.8 [반도체], (주)전자자료사(1994), pp.1-28