[전자회로실험] Source Follower Amplifier 결과레포트

목차

1. 실험 목표
2. 실험 내용
3. 실험 결과
4. 고찰

본문내용

실험 1에서 출력 저항은 R_out=(1/g_m ||r_o )||R_S≈1/g_m ||R_S이다. R_out이 0에 가까울수록 전압이 잘 전달되므로 R_S는 작을수록 좋다. 따라서 560Ω 일 때 포화영역 조건을 만족하고 가장 작은 (V_DS-(V_GS-V_th))/2가 가장 적절하다. V_out이 V_DD에 가까워질수록 출력 전압이 잘릴 위험이 있기 때문이다.
하지만 Source Follower는 전압이득이 최대 1이기 때문에 이러한 걱정에서 비교적 자유롭다.
실험1에서 V_GS에 따른 I_D가 정상적으로 측정되지 않은 원인은, 결정적 요인은 아니지만 Thermal effect가 있다. NMOS가 열을 받으면 V_th가 감소하여 그에 따라 같은 V_GS에서도 I_D가 증가할 수 있다.

일반적으로 MOSFET의 V_th는 약 -2mV/°C로 변화하기 때문에 전류의 증가가 V_th를 눈에 띄게 변화시킬 가능성이 있다. 실제로 실험 과정에서 V_in이 높을 때 전류가 너무 커 MOSFET이 뜨거워진 것을 느꼈다. 또한 실험1에 첨부한 Vin-Vout 그래프를 보면 Rs가 높을수록 Vin을 선형적으로 따라가는 Source follower의 특성을 두드러지게 확인할 수 있는데, 이는 Rs가 높을수록 전류가 감소하여 Thermal effect의 영향이 감소한 것으로 설명할 수 있다.

실험2에서 Source Follower는 주로 복잡한 회로에서 부하저항으로 인한 전압강하를 방지하고, 버퍼의 역할을 위해 쓰인다.

참고자료

· 없음