[전자회로실험2] Single Stage Amplifier 예비레포트 (단국대)

소개

단국대 전자전기공학부 전자회로실험2 레포트입니다.
24-1 3분반 수강했으며, 해당 담당 교수님 확인하시고 구매 부탁드립니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론
1) Common Source Amplifier
2) Common Drain Amplifier

3. 실험 소자 특성
1) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Fireld Effect Transistor)
2) 저항 (Resistor)
3) 커패시터 (Capacitor)

4. 실험 방법
1) Common Source Amplifier
2) Common Drain Amplifier

5. 시뮬레이션 결과
1) Common Source Amplifier
2) Common Drain Amplifier

6. 확인 질문
1) Common source amplifier와 Common drain amplifier의 Gain을 증가시키기 위해 변화시킬 수 있는 요소가 무엇인지 적고, 그 이유를 서술하시오.
2) VGS = 1V, VTH = 0.6V인 Common source 회로에서 MOSFET이 Active 영역에서 동작하기 위한 VOUT 최솟값을 구하고, 그 과정을 서술하시오.

본문내용

1. 실험 목적
- Common Source 및 Common Drain Amplifier 회로를 구성하고 Input과 Output의 Gain을 측정한다.
- Output 전압이 2.5V가 되는 Input 전압을 확인한다.

2. 실험 이론
1) Common Source Amplifier
Source가 Ground와 연결되어 있는 회로를 Common Source Amplifier라고 한다. 입력신호를 증가시키면 Gate Voltage가 증가하고 Source Voltage는 항상 Ground 되어 있으므로 MOSFET에 흐르는 증가할 것이다. 따라서 Drain에 달린 저항 RD에 흐르는 전류의 크기가 증가할 것이다. 이때, MOSFET에 흐르는 전류는 위에서 아래로 흐르기 때문에 저항에 흐르는 전류는 아래에서 위로 흐르므로 출력전압의 크기는 음수가 된다.

(그림 2-a)에서 MOSFET의 게이트에 small signal input이 들어왔을 때 게이트 전압의 변화에 따라 드레인 전류는 gm * VGS 만큼 변화한다. 이 증폭된 전류는 VOUT에서 본 등가저항인 ROUT에 곱해져 출력에 나타나게 된다. 전압이득은 수식으로 계산하면 다음과 같다.

참고자료

· 단국대 전자회로실험2 교안