[전자회로실험2] MOSFET 기본 특성 예비레포트 (단국대)

소개

단국대 전자전기공학부 전자회로실험2 레포트입니다.
24-1 3분반 수강했으며, 해당 담당 교수님 확인하시고 구매 부탁드립니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론

3. 실험 소자 특성
1) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Fireld Effect Transistor)
2) 저항 (Resistor)

4. 실험 방법

5. 시뮬레이션 결과

6. 확인 질문
1) MOSFET의 Transconductance를 결정하는 Parameter는 무엇인지 서술하시오.
2) MOSFET의 ro가 클수록 VDS의 변화에 대해 IOUT이 어떻게 변하는지 서술하시오.

본문내용

1. 실험 목적
- MOSFET의 전압-전류 특성을 이해하고 실험을 통해 확인한다.

2. 실험 이론
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Fireld Effect Transistor)은 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)로, Metal-Oxide-Silicon으로 이루어진 형태의 소자이다. MOSFET은 게이트, 소스, 드레인으로 이루어진 소자이다. MOSFET을 해석하는 방법은 기본적으로 Voltage-Driven Current Source이다. 즉, 게이트에 걸리는 전압의 변화에 따라 드레인에 흐르는 전류가 변화하는 것을 의미한다.
문턱 전압(Threshold Voltage)는 MOSFET의 동작영역을 결정짓는 중요한 특성 중 하나로써 MOS구조에서 드레인과 소스 사이의 채널이 형성될 수 있도록 게이트에 걸어주어야하는 전압을 의미한다. 소자의 관점에서는 MOSFET을 On/Off 시키는 데 필요한 기준 전압이다.
MOSFET을 해석할 때는 항상 소스의 전압을 기준으로 한다. n-channel MOSFET을 기준으로 VGS, VDS를 따지고 p-channel MOSFET일 때는 VSG, VSD를 따진다.

참고자료

· 단국대 전자회로실험2 교안