12차-NGFM의 효과

소개

"12차-NGFM의 효과"에 대한 내용입니다.

목차

1. NFGM의 정의
2. NFGM 주요 특징 및 나노점의 형성
3. 양자 구속 효과 (Quantum Confinement Effect)
4. Coulomb Blockade Effect
Reference

본문내용

1. NFGM의 정의
기존 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트가 폴리 실리콘으로 만들어져 플로팅게이트의 폭이 40 nm 이하로 축소할 때 폴리 실리콘의 grain size 불균일성에 의해 문턱전압의 산포가 증가하고 소자의 write/erase 전압이 9-12 V 정도의 높은 전압을 사용하는 문제점을 해 결하기 위해 NFGM은 기존 플래시 메모리와 똑같은 소자구조를 가지고 있으며 단지 플로 팅 게이트를 나노사이즈(5～20 nm) 실리콘dot, 금속dot, 화합물반도체dot으로 대체한 1 개 트랜지스터(1T)의 구조를 가지고 있다. 나노크기의 결정dot들을 플로팅게이트로 사용한 NFGM은 소자의 write 및erase 전압을 3～4 V로, tunneling 산화막의 두께도6 nm 이하까지 낮출 수 있어 10nsec 정도의 write/erase 시간, 10년 이상의 retention time, 1×106 이상의write/erase cycle을 기대할 수 있는 비휘발성 메모리 소자이다. 현재까지 NFGM의 나노사이즈의 결정dot 재료로서는 실리콘, Au, Co, W 등이 사용되고 있으며, 특히 모토롤라사는 2003년 IEDM에서 write/erase 시간이 수십nsec인 4Mb NFGM 개발을 보고하였다. 2006년 이후 초기 feature가 80nm이고 write/erase time이 수십nsec, retention 시간이 10년이상, write/erase cycle이 1×106 이상인 NFGM 개발 보고를 기대하고 있다.

2. NFGM 주요 특징 및 나노점의 형성
NFGM은 앞서 언급한 SONOS의 경우처럼 기존의 부유게이트 플래시 메모리 셀의 축소 화를 더욱 연장하여 집적도를 높일 수 있다. SONOS의 저장전극인 질화막내에서 전하저장트랩의 분포 제어는 아직 확실하지 않지만 NFGM의 경우는 전하저장 장소로 질화막내의 트랩대신 다수의 나노 크기 부유게이트를 도입하고 크기 및 밀도를 제어하고 있다.

참고자료

· http://emille.kimm.re.kr/support/pdf/1602-01.pdf
· http://kisti.re.kr/yesKISTI/Briefing/Analysis/Print.jsp?seq=569&what=ANAL
· http://cnmt.kist.re.kr/attach_image/tmme-mhlee.PDF
· http://dowonoptic.com/MBoard/upload/NT%20.doc
· http://cgi.postech.ac.kr/cgi-bin/class/eece557/spboard/board.cgi?id=nano&action=download&gul=28
· http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/481_article.pdf
· http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/483_article.pdf